通常，光刻膠只是用作構建圖形步驟中的臨時掩膜。因此，光刻工藝的最后一步通常是需要去除光刻膠，我們稱之為去膠或者除膠。并且對去膠過程的要求是：迅速去膠且沒有殘留，對襯底以及沉積在上面的材料無損傷，因此這并不是很容易實現的步驟。這里我們稱用于去除光刻膠的溶劑或者溶液為去膠劑或者去膠液、除膠劑，lift-off工藝中我們也稱之為剝離液。
光刻膠薄膜的溶解度
非交聯型的光刻通?？梢允褂闷胀ü饪棠z去膠劑進行處理并且無殘留。如果去膠效果不良，應考慮以下可能的原因:
正膠在140℃左右開始熱交聯(例如在堅膜、干法刻蝕或涂膠階段)，這大大降低了它的溶解度。如果可以的話，應降低處理溫度。
光學誘導交聯是通過深紫外光輻射(波長 < 250 nm)并結合高溫使得光刻膠不能溶解在去膠劑中，這種情況在蒸發鍍層(如金屬化、濺射或干法刻蝕)中很常見。由于超短波輻射的穿透深度較低，所以只有光刻膠的表面受到交聯的影響。
負膠在較高的溫度下處理其交聯可以通過后續的工藝步驟進一步加強，這步會導致光刻膠的去除變得更加困難。另外，干法刻蝕過程中，重新沉積在光刻膠上的材料將會成為去膠過程中的障礙層，從而導致光刻膠的去除變得更加困難。
溶劑型去膠劑
丙酮
丙酮一般不推薦作為光刻膠的去膠劑，因為它具有很高的蒸氣壓力。如果使用了丙酮，應在丙酮蒸發和形成條紋前使用異丙醇清洗丙酮處理過的樣品。不建議對丙酮進行加熱以增加其溶解度，因為其蒸汽壓力高，極易發生火災危險。
NMP及NEP
NMP(1-甲基-2-吡咯烷酮)，NEP（氮乙基吡咯烷酮）是去除光刻膠層的一種普遍適用的溶劑。NMP的蒸氣壓非常低，可以加熱到80℃，以便能夠去除更多交聯的光刻膠薄膜。由于NMP已被列為對生殖有害物質，應考慮替代品，如DMSO。
DMSO
DMSO(二甲亞砜)加熱至60- 80℃時，作為光刻膠去膠劑的性能可與NMP的性能相媲美，是NMP的一種“安全溶劑”替代品。 DMSO容易從空氣中吸收水汽， 另外DMSO人體皮膚有滲透性 ，操作時注意防護。
原則上，其他溶劑也適合用作去膠劑：IPA，PGMEA（PMA），甲乙酮（MEK）或稀釋劑，可用于溶解穩定性不是很強的光刻膠的殘留。但是，在大多數情況下，用這些溶劑作為去膠液則需要更長的時間。溶劑去除劑同樣適用于酚醛樹脂型光刻膠以及所有聚合物光刻膠（例如PMMA）。
堿性去膠劑
如果襯底材料的化學穩定性允許，且不使用特殊的去除劑，那么可以使用最簡單高效的堿性去膠劑，最常見的是氫氧化鈉（NaOH）和氫氧化鉀（KOH）溶液。4％的KOH溶液將在幾秒鐘內去除所有基于酚醛樹脂基的光刻膠以及電子束光刻膠，專門為耐堿而設計光科技啊除外。當我們將NaOH或KOH的濃度增加到40％時，可用于去膠比較困難的穩定性膠，特別是硬烘后的光刻膠結構。堿性溶液通常不能完全去除光刻膠殘留物，但是在這種情況下會在光刻膠膜產生下蠕變。然后或多或少地將殘留物帶離襯底上，然后將其完全清除。但是，應該考慮到，高濃度的堿性溶液也可能腐蝕硅晶圓，從而破壞表面。綜上所述 可以使用基于緩沖堿性鹽的濃縮顯影劑（堿當量濃度1.1N）來替代堿性溶液實現去膠。這種顯影液在未稀釋狀態下可以迅速去除大多數光刻膠膜。
四甲基氫氧化銨（TMAH）溶液也用作去除劑，最大濃度為25％。在此濃度下，TMAH可與高濃度的NaOH和KOH溶液媲美。TMAH也會侵蝕硅，在使用過程中同樣需要小心。由于TMAH的消耗量較低，稀釋型的TMHA溶液更容易操作，而且對環境更友好。堿性水去膠劑不適用于所有聚合物（PMMA，聚苯乙烯，碳氫化合物）。但是，我們可以利用此特點用于兩層膠系統（PMMA /光刻膠；碳氫/光刻膠）應用，以選擇性去除上層光刻膠層。
通用去膠方案
通用去除劑
在去膠發生困難的情況下（例如在密集的等離子蝕刻或濺射之后），超聲或兆聲清洗會對去除光刻膠帶來很大的幫助。但是，在此過程中必須保護襯底上的敏感結構，否則將其破壞如下圖1所示，所以我們建議這種帶有高深寬比的結構的樣品最好使用兆聲輔助而不是超聲輔助處理。由于溶解的光刻膠的含量增加，去膠劑隨著長時間的發展其去膠效果在逐漸變弱。即使仍未達到理論上的飽和極限（遠高于50％的固含量），使用過溶液會隨著顆粒的富集并變得不透明，因此不再適合進行重復清洗。常見的做法是級聯清洗。在此過程中，去除劑用于三個不同的清洗步驟。將樣品放在第一個溶液池中，此步驟中幾乎完全去除光刻膠殘留物。然后將樣品轉移到第二個溶液池中，然后轉移到第三個槽中，在最后一個步驟后用去離子水沖洗干凈。一旦達到預定的溶解能力，就將第一個浴液丟棄，將第二個和第三個浴液向上移動一個位置。
除此之外的功能還可以通過強氧化酸來實現，例如王水，食人魚，硫酸或硝酸。這些酸用于最終清潔。但是除了環境保護方面（廢酸的處理），這些混合物通常不僅侵蝕光刻膠，而且也會腐蝕襯底表面的其他材料。
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審核編輯 黃宇