SuperFET
III MOSFET是安森美半導體的全新高壓超結（SJ）MOSFET系列，利用均衡技術實現出色的低導通電阻和更低的柵極電荷性能。這種先進技術專為最大限度地減少傳導損耗，提供更高的開關性能和更高的dv / dt速率而定制。因此，SuperFET III MOSFET非常適用于各種小型化和高效率的電力系統。 700 V @ TJ = 150 C 超低柵極電荷（典型值Qg = 33 nC） 低效輸出電容（典型值Coss（eff。）= 300 pF） 優化電容 內部柵極電阻：7.0歐姆 典型值。 R =159mΩ 100％雪崩測試 符合RoHS