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      FGH30T65UPDT 650V，30A場截止溝道IGBT

      數據：

      產品信息

      飛兆半導體的新型場截止溝道 IGBT 系列產品采用創新型場截止溝道 IGBT 技術，為光伏逆變器、UPS、和數字功率產生器等低導通和開關損耗至關重要的應用提供了最佳性能。
      • 最大結溫：T
      • = 175
      • C
      • 正溫度系數，易于并聯運行
      • 高電流能力
      • 低飽和電壓：V
      • = 1.65 V（典型值）@ I
      • = 30A
      • 器件100%經過I
      • 測試
      • 高輸入阻抗
      • 緊密的參數分布
      • 符合 RoHS 標準
      • 短路耐用性：> 5us @ 25
      • C

      技術文檔

      數據手冊（1） 相關資料（6）
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