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深圳市浮思特科技有限公司

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深圳市浮思特科技有限公司文章

  • 封裝技術會成為摩爾定律的未來嗎?2024-04-19 13:55

    你可聽說過摩爾定律?在半導體這一領域,摩爾定律幾乎成了預測未來的神話。這條定律,最早是由英特爾聯合創始人戈登·摩爾于1965年提出,簡單地說就是這樣的:集成電路上可容納的晶體管數量大約每兩年翻一番,性能也隨之增強。這不僅是一條觀察法則,更像是一道命令,催促著整個行業向著更小、更快、更便宜的方向發展。01但這些年來,摩爾定律好像遇到了壁壘。我們的芯片已經小得難
  • 阿斯麥(ASML)公司首臺高數值孔徑EUV光刻機實現突破性成果2024-04-18 11:50

    在半導體領域,技術創新是推動整個行業向前發展的重要動力。近日,荷蘭阿斯麥(ASML)公司宣布,成功打造了首臺采用0.55數值孔徑(NA)投影光學系統的高數值孔徑(High-NA)極紫外(EUV)光刻機,并已經成功印刷出首批圖案。這一重要成就,不僅標志著ASML公司技術創新的新高度,也為全球半導體制造行業的發展帶來了新的契機。目前,全球僅有兩臺高數值孔徑EUV
    EUV 光刻機 半導體 1302瀏覽量
  • GaN功率HEMT制造中的缺陷及其表征方法2024-04-18 11:49

    氮化鎵具有許多內在材料優勢,如寬能隙和高電子遷移率。當用作橫向高電子遷移率晶體管(HEMT)器件時,這些特性可用于獲得功率轉換性能優勢,因為其無反向恢復損失且電容相對較小。隨著這項技術在更廣泛的應用范圍內推廣,詳細理解提高產量和可靠性的根本原因至關重要。本文中,我們總結了在GaN晶圓加工過程中常見的一些缺陷,以及用于檢測這些缺陷的表征技術。01氮化鎵晶體結構
    GaN HEMT 氮化鎵 2244瀏覽量
  • 新能源汽車蓬勃發展,IGBT供應緊張下的技術創新與產能擴張2024-04-17 13:47

    IGBT作為電機和電控系統的關鍵組件,對新能源汽車的性能有著直接影響,尤其在功率逆變器模塊中扮演關鍵角色。據統計,IGBT模塊約占新能源汽車總成本的5%,此外還廣泛應用于車載空調控制系統等。
  • 全新碳化硅MOSFET封裝技術提升電力模塊性能2024-04-17 13:46

    說到減少碳化硅MOSFET開關損耗,完全有可能,但讓電力模塊在運行時保持高開關速度,那可不是一件輕松的事。
  • 國內碳化硅功率半導體元件市場迎來高速增長2024-04-16 13:42

    電動汽車和新能源的需求蓬勃增長正在推動碳化硅功率半導體元件市場的擴張。中國的碳化硅外延片生產商,在瀚天天成和天域半導體十多年的積累后,乘著新能源的東風,在全球市場中迅速崛起。
  • 碳化硅制備的重要性與難點和挑戰2024-04-16 13:35

    這種耐高溫、承受高電壓、導熱性能好到驚人的材料,讓它在半導體、航空航天、電力電子等多個領域成為了革命性的材質選擇。換句話說,沒有碳化硅,許多現代技術根本無法實現。
  • 英飛凌推出新一代OptiMOS™ MOSFET技術封裝2024-04-15 15:49

    全球半導體行業的領導者英飛凌科技股份公司宣布推出一款新型封裝——SSO10T TSC,該封裝基于其先進的OptiMOS™ MOSFET技術,專為滿足汽車電子產品中對熱效率和空間利用有嚴苛要求的場合設計。
    MOSFET 封裝 英飛凌 812瀏覽量
  • 如何利用方波信號驅動場效應管的奧秘揭秘2024-04-15 15:48

    而今天,我們要探討的,是一種特別的信號——方波信號,它如何驅動場效應(FET)的呢
  • 電子世界的開關大師:MOS場效應晶體管2024-04-12 11:58

    屬-氧化物-半導體場效應晶體管,也就是我們熟知的MOSFET。它就像是高速信息公路上的交通警察,控制著電流的方向和大小,讓整個系統高效而穩定地運行。
    MOS MOSFET管 晶體管 841瀏覽量