深圳市浮思特科技有限公司文章

• 一季度我國集成電路產量激增40%2024-05-09 10:45

  

  近日，中國工業和信息化部發布了2024年第一季度電子信息制造業的運行情況報告，數據顯示，我國在這一時期內電子信息制造業整體表現強勁，尤其是集成電路產業，產量達到了驚人的981億塊，同比增長高達40%，這一成績在當前全球經濟形勢下尤為亮眼。在微型計算機設備方面，一季度產量為7404萬臺，雖然同比下降了0.8%，但考慮到全球供應鏈的波動和市場需求的變化，這一小幅

  電子信息 集成電路 491瀏覽量

• 改善GaN HEMT功率器件的短路耐受時間2024-05-09 10:43

  

  在本文中，我們將討論氮化鎵 (GaN) HEMT 功率器件中的一個關鍵參數，即短路耐受時間 (SCWT)。

  GaN HEMT 功率器件 1422瀏覽量

• 中國SiC功率半導體產業蓬勃發展2024-05-08 10:49

  

  根據TrendForce集邦咨詢的數據報告顯示，中國在SiC功率半導體產業中占據領先地位，特別是在功率元件業務中達到了42.4%的高占比。這一領域涵蓋了Fabless、IDM以及Foundry等多個子行業。此外，中國在SiC襯底和外延材料制造方面也日益受到國際市場的認可，逐漸在全球供應鏈中占據重要地位。盡管如此，國內廠商在晶體厚度和一致性方面仍需加強技術積累

  SiC 功率半導體 電驅系統 840瀏覽量

• 氫電動汽車：可持續交通的未來?2024-05-08 10:48

  

  通常來說，電動汽車與具有可充電的大型電池的車輛相關，然而，最近出現了其他令人興奮的驅動技術。最有前途的解決方案之一是配備氫基礎設施的電動汽車，它使用燃料電池發電，這是一種無排放且無需長時間充電的替代方案。具體來說，這是指氫電驅動，也稱為燃料電池驅動。氫電動汽車代表了未來可持續交通的生態解決方案。這些車輛使用燃料電池將氫轉化為電能，消除有害排放并減少對環境的影

  燃料電池 電動汽車 521瀏覽量

• 英飛凌為小米新款SU7智能電動汽車提供碳化硅 (SiC) 功率模塊2024-05-07 11:30

  

  近日，我們注意到在電動車行業中，小米電動汽車的新款SU7將由英飛凌科技提供具備碳化硅(SiC)元素的功率模塊CoolSiC以及裸芯片產品。英飛凌的這款CoolSiC技術產品可以實現更高的工作溫度，并帶來最優的性能，長久的使用壽命以及強大的驅動力。這種技術已經可以用于進一步提高電動汽車的駕駛里程。英飛凌的HybridPACKDrive已經在市場上取得了巨大的成

  小米 電動汽車 英飛凌 779瀏覽量

• 探索非對稱結構減少半導體器件中的應力2024-05-07 11:29

  

  電子產品廣泛使用半導體器件，這些器件負責改變電源、通信和處理信號。然而，諸如熱量、高電壓、高電流或頻率變化等壓力因素會影響器件的性能、可靠性和效率。因此，開發能夠抵抗這些壓力的半導體器件顯得尤為重要。一種有效減少壓力的方法是采用不對稱結構，比如三相電流源整流器(CSR)。01CSR是一種能夠將交流電轉換為直流電的電力轉換器，具備降壓功能。它通過在三個橋臂上各

  半導體器件 電子產品 高電流 810瀏覽量

• 模塊化碳化硅（SiC）器件評估的深入分析2024-05-06 15:32

  

  碳化硅(SiC)的高性能能力正在改變功率電子領域的格局，帶來了諸如卓越的效率、增加的功率密度和提升的熱性能等好處。值得注意的是，汽車應用正從SiC技術中受益良多，主要用于主驅動、車載充電器和電池充電站。我們從之前的文章中了解到，SiC的介電強度是硅的十倍，使其能夠創建滿足充電基礎設施和智能電網需求的高壓器件。此外，SiC的高開關頻率使得可以減小磁鐵和電感器等

  SiC sic器件 模塊化 碳化硅 1500瀏覽量

• 碳化硅(SiC)功率器件市場的爆發與行業展望2024-04-30 10:42

  

  隨著全球對電動汽車接納度的逐漸提高，碳化硅(SiC)在未來的十年里將迎來全新的增長機遇。預計，將來功率半導體的生產商和汽車行業的運作商會更積極地參與到這一領域的價值鏈建設中來。01碳化硅功率器件采用的是一種名為SiC的高級半導體材料，它與傳統的硅材料相比有著不少突出的優勢。這些優勢源于它的技術性能上的突破，如能在更高溫度和電壓下正常工作、降低開關時的能耗以及

  SiC 功率器件 電動汽車 1654瀏覽量

• 汽車半導體需求放緩，意法半導體調降2024營收2024-04-29 11:51

  

  意法半導體公司在最新發布的2024年第一季度財報中顯示，由于汽車半導體市場的需求減弱及消費電子產品的需求萎縮，公司不得不下調了全年的營收預期。根據意法半導體發布的數據，第一季度凈營收為34.65億美元，相比去年同期下降了18.4%，與上個季度相比，下降了19.1%。毛利為14.44億美元，同比減少31.6%，環比減少26%，毛利率為41.7%。凈利潤方面，公

  半導體 模擬器件 汽車 779瀏覽量

• SiC與GaN 功率器件中的離子注入技術挑戰2024-04-29 11:49

  

  碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬帶隙(WBG)半導體預計將在電力電子器件中發揮越來越重要的作用。與傳統硅(Si)設備相比，它們具有更高的效率、功率密度和開關頻率等主要優勢。離子注入是在硅器件中產生選擇性摻雜的主要方法。將其用于寬帶隙器件處理時存在一些挑戰。在本文中，我們將重點介紹其中的一些，同時總結它們在GaN功率器件中的一些潛在應用。01有幾個因素決

  GaN SiC 功率器件 2258瀏覽量