深圳市浮思特科技有限公司文章

• 用碳化硅(SiC)重新思考軟開關效率2024-06-19 11:13

  

  從理論上講，碳化硅(SiC)技術比硅(Si)具有優勢，這使得它看起來可以作為電力電子中現有MOSFET的直接替代品。這在一定程度上是正確的，但只要關注該技術與硅的不同之處，以及如何優化電路技術(例如軟開關)，超越硅的實際應用，就可以從SiC中獲得更多收益。與硅相比，SiC的帶隙更寬，因此擊穿電壓和電子遷移率更高，從而降低了導通電阻。與硅相比，SiC的開關速度

  MOSFET SiC 電阻 碳化硅 1217瀏覽量

• 深圳集成電路進口額穩健增長，前五月增幅達21.1%2024-06-18 11:13

  

  在全球集成電路市場持續發展的背景下，深圳作為中國重要的經濟特區，其集成電路進口額展現出強勁的增長勢頭。據深圳海關最新數據，今年前五月，深圳集成電路進口額同比增長了21.1%，這一顯著增長不僅凸顯了深圳在全球集成電路貿易中的重要地位，也反映了深圳在電子信息產業領域的持續繁榮。從數據上看，今年前五個月，深圳集成電路進口額達到2668.5億元，同比增長21.1%。

  電子信息 集成電路 593瀏覽量

• 氧化鎵器件，高壓電力電子的未來之星2024-06-18 11:12

  

  超寬帶隙(UWBG)半導體相比si和寬帶隙材料如SiC和GaN具有更優越的固有材料特性。在不同的UWBG材料中，氧化鎵正逐漸展現出其在高壓電力電子領域的未來應用潛力。本文總結了氧化鎵材料的一些固有特性，并展示了近期在高壓器件方面的一些進展。氧化鎵的固有材料特性氧化鎵的β相(β-Ga2O3)已成為評估UWBG材料選擇的關鍵候選。多個因素促成了這一點。表1列出了

  SiC 半導體 電力器件 1181瀏覽量

• 全球芯片產業競速，汽車芯片產業迎發展風口2024-06-17 11:34

  

  在全球科技浪潮的推動下，人工智能技術的飛速發展正為芯片產業帶來前所未有的挑戰與機遇。特別是在汽車芯片市場，供不應求的局面已成為行業共識，全球目光紛紛聚焦于此。汽車芯片近日，在重慶舉辦的一場由大聯大商貿主辦的峰會上，業內專家與業界領袖共同探討了新能源汽車芯片產業的未來發展趨勢。大聯大商貿中國區總裁沈維中表示，重慶憑借其獨特的地理位置、豐富的資源和政策支持，在新

  人工智能 汽車芯片 芯片 552瀏覽量

• GaN智能功率模塊(IPM)實現高效電機驅動2024-06-17 11:32

  

  氮化鎵(GaN)在電力轉換應用中的優勢為電源轉換器帶來了系統級的好處。智能功率模塊(IPM)通常用于提供緊湊、高效且安全的電機控制驅動。在本文中，我們將重點介紹基于GaN的IPM，目標應用包括家用電器和供暖、通風和空調(HVAC)系統。寬禁帶半導體提高電器和HVAC系統的效率標準家用電器占全球能源消耗的相當大一部分。早在2024年4月，美國就引入了更嚴格的能

  GaN IPM 智能功率模塊 電機驅動 1720瀏覽量

• SemiQ推出高性能1700V SiC肖特基二極管和雙二極管模塊2024-06-14 11:36

  

  近日，半導體器件領域企業SemiQ宣布，其QSiC™產品系列中新增了1700VSiC(碳化硅)肖特基分立二極管和雙二極管模塊。這一創新舉措旨在滿足包括開關電源(SMPS)、不間斷電源(UPS)、電動汽車(EV)充電站在內的多種高要求應用場景在尺寸和功率上的嚴格標準。這款新推出的SiC肖特基二極管技術亮點在于其無反向恢復電流的特性，這意味著開關過程中的損耗極低

  SiC 二極管 肖特基二極管 1014瀏覽量

• 使用快速恢復二極管MOSFET在電源中的應用2024-06-14 11:35

  

  “超級結”技術由于其優越的品質因數，已經在擊穿電壓超過600V的功率MOSFET市場中占據主導地位。在設計基于超級結的功率器件時，工程師必須考慮一些因素，以提高電源應用中的效率、功率密度和可靠性。工程考慮因素如圖1所示，首先需要考慮的是P列從基區延伸，形成漂移區的“電荷平衡”，以實現更高的摻雜濃度，即相應區域的更低電阻。延伸的結區域帶來了過多反向恢復電荷的缺

  MOSFET 二極管 電源 987瀏覽量

• 電子元件市場展望樂觀，下半年將迎來強勁增長?2024-06-13 11:40

  

  根據最新的ECST(電子元件狀態調查)報告，2024年下半年電子元件銷售前景樂觀，預計將實現強勁增長。盡管5月份的調查顯示半導體、被動元件和機電元件的銷售信心受到一定打擊，但6月的展望顯示市場將迎來積極反彈。在5月份的調查中，半導體領域的銷售信心得分下滑明顯，跌幅超過18點。被動元件和機電元件雖然跌幅較小，但也呈現出市場下滑的趨勢。然而，這種短暫的低迷并未持

  半導體 機電產品 電子元器件 799瀏覽量

• 一文讀懂MOSFET開關損耗介紹2024-06-13 11:38

  

  MOSFET的操作可以分為兩種基本模式：線性模式和開關模式。在線性模式下，晶體管的柵源電壓足以使電流通過通道，但通道電阻相對較高。通道上的電壓和通過通道的電流都很大，導致晶體管內的功耗很高。在開關模式下，柵源電壓要么低到足以阻止電流流動，要么高到足以使FET進入“完全增強”狀態，此時通道電阻大大降低。在這種狀態下，晶體管像一個閉合開關：即使有大電流通過通道，

  MOSFET 開關損耗 晶體管 2303瀏覽量

• 全球掀起8英寸SiC投資熱潮，半導體產業迎來新一輪技術升級2024-06-12 11:04

  

  隨著全球半導體產業的快速發展，碳化硅(SiC)材料因其卓越的性能而備受矚目。近期，8英寸SiC晶圓投資熱潮更是席卷全球，各大半導體廠商紛紛加大投入，積極布局這一新興產業。8英寸SiC晶圓相較于傳統的6英寸晶圓，具有更高的生產效率和更低的成本。據行業專家分析，從6英寸升級到8英寸，雖然單片晶圓成本有所增加，但由于每片晶圓中可用的裸片數量大幅增加，產量更高，最終

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