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深圳市浮思特科技有限公司

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深圳市浮思特科技有限公司文章

  • 功率二極管(Diodes)器件基礎:結構、符號與應用2024-06-26 11:57

    在現代電力電子領域,功率二極管作為一種基礎且關鍵的組件,扮演著至關重要的角色。它們不僅在各種電力轉換和控制系統中發揮作用,還在確保高效能和穩定性能方面起著決定性的作用。在本文中,我們將深入探討功率二極管器件及其特性(如i-v特性和關斷特性),以及它們如何作為電力器件工作。即在電力電子電路中,這些開關如何在飽和區域工作,并在模擬電路(如功率放大器和線性調節器)
  • 2023年全球SiC功率元件市場營收出爐,電動汽車需求成主要驅動力2024-06-25 11:58

    在電動汽車市場的迅猛增長推動下,2023年全球碳化硅(SiC)功率元件市場實現了顯著的營收增長。根據知名市場研究機構TrendForce集邦咨詢的最新報告,SiC功率元件市場前五大供應商占據了高達91.9%的總營收份額,其中意法半導體(ST)和安森美(Onsemi)表現尤為突出。來源:TrendForce報告指出,意法半導體憑借其在SiC技術領域的深厚積累,
  • 人工智能架構將推動未來硅基IGBT和碳化硅材料的改進2024-06-25 11:55

    直到最近,電力轉換行業在效率、尺寸、重量和成本方面的進步主要都是由半導體晶體管技術的改進推動的。為了實現這些改進,新型晶體管的工程目標很明確:提高額定電壓、減少導通和開關損耗,以及降低成本。為了實現這些目標,我們已經投入了數十億美元,并且還在持續投入中。如今的第七代IGBT和MOSFET,以及第三代SiCMOSFET和GaNFET都遠遠優于前幾代的電力器件。
  • 工信部《2024年汽車標準化工作要點》:強化汽車芯片標準供給2024-06-24 11:25

    近日,工信部在其官方網站上公布了《2024年汽車標準化工作要點》,該文件明確指出將加強汽車芯片領域的標準化工作,以確保國內汽車產業在新一輪的轉型升級中穩健發展。根據文件內容,工信部將加快汽車芯片環境及可靠性、電動汽車芯片環境及可靠性、汽車芯片信息安全等關鍵標準的研制工作,旨在為汽車芯片產業提供堅實的技術支撐。此外,還將推動制定智能駕駛計算芯片、汽車ETC芯片
  • TRINNO特瑞諾1200V太陽能逆變器專用IGBT助力光伏發電2024-06-24 11:24

    在當今快速發展的可再生能源領域,太陽能作為一種清潔、無限的能源,正受到越來越多人的關注和利用。為了最大化太陽能的轉換效率,選擇一款高性能的逆變器IGBT至關重要。TRINNO特瑞諾,作為作為追求創新的電力半導體的開發多年的品牌,推出了一款專為太陽能逆變器設計的IGBT——TGHP75N120FDR,其卓越的性能和穩定性,為太陽能發電系統提供了強有力的支持。T
  • 中國晶圓產能預計2024年將同比增長超13%2024-06-21 11:08

    隨著全球半導體產業格局的深刻變革,中國半導體行業正迎來快速發展的黃金時期。根據國際半導體產業協會(SEMI)在2024年1月發布的最新數據,中國半導體行業在2023年已成為全球最大的半導體設備消費國,投入金額超過360億美元。這一趨勢預計將在2024年持續,中國晶圓產能有望實現同比超過13%的增長。SEMI的報告顯示,在政府資金和其他激勵措施的推動下,中國正
    半導體 晶圓 芯片 705瀏覽量
  • 特瑞諾(TRINNO)采用最新技術的1350V高頻IGBT器件2024-06-21 11:08

    隨著技術的不斷進步,IGBT的設計和制造也在持續優化。現代IGBT模塊不僅提高了效率和可靠性,還減小了尺寸和重量,這對于空間受限的應用尤為重要。此外,通過集成智能控制和保護功能,IGBT模塊能夠更有效地管理電力系統,確保其安全穩定運行。隨著全球對高效能源利用和減少碳排放的需求日益增長,IGBT技術的發展將繼續扮演關鍵角色,推動電力電子技術向更高效、更環保的方
    IGBT 封裝 開關器件 1001瀏覽量
  • 晶豐明源(BPS)終止可轉債發行,聚焦電源管理芯片領域長期發展2024-06-20 11:29

    近日,知名電源管理芯片制造商晶豐明源(BPS)發布公告,宣布終止本次向不特定對象發行可轉換公司債券,并撤回相關申請文件。這一決策引發了業界的廣泛關注與討論。晶豐明源此次擬發行的可轉換公司債券原計劃募資不超過7.09億元,這筆資金原本將用于高端電源管理芯片產業化項目、研發中心建設項目以及補充流動資金。這些項目旨在進一步拓展公司的業務規模,鞏固并提升其在電源管理
  • 特瑞諾TRINNO高性能IGBT說明介紹2024-06-20 11:24

    今天為大家介紹一款特瑞諾(TRINNO)堅固耐用、性能卓越的IGBT,這款IGBT器件TGH80N65F2DS的額定電壓為650V,具有快速恢復反并聯二極管,漏電流極低,在高結溫和低結溫下也表現出出色的傳導和開關特性。TGH80N65F2DSIGBT采用先進的細溝槽柵極場截止(FS)技術,可確保整個器件的電場分布一致。該技術使IGBT能夠承受更高的擊穿電壓,
    IGBT 二極管 額定電壓 976瀏覽量
  • 半導體行業供需分化,晶圓代工產能激增引價格上漲2024-06-19 11:15

    在全球宏觀經濟形勢的波動背景下,半導體市場下游需求展現出明顯的分化趨勢。傳統消費終端如顯示、PC、手機等領域的需求持續低迷,而新興領域如AI服務器、物聯網、新能源車等則呈現出強勁的增長勢頭。這一變化不僅重塑了半導體行業的市場格局,也推動了晶圓代工廠產能利用率的顯著提升。根據行業觀察,自今年第二季度開始,晶圓代工廠的產能利用率已經出現了明顯的回升。不少廠商已接