向欣電子文章

• 國貨當自強！晟鵬氮化硼高導熱材料通過美國與加拿大UL認證2024-09-27 08:03

  

  近日，廣東晟鵬科技有限公司（以下簡稱：晟鵬科技）導熱材料產品順利通過美國與加拿大UL認證，本次認證是公司對產品品質與安全性追求的體現，也是公司戰略開拓發展全球市場的重要一環。UL證書UL是美國保險商試驗所（UnderwritersLaboratoriesInc.）的簡寫。UL安全試驗所是美國最有權威的，也是世界上從事安全試驗和鑒定的較大一個獨立的、營利的、為

  ul認證 導熱材料 氮化硼 648瀏覽量

• 全球最具潛力的前沿材料30種 | 5G毫米波絕緣透波氮化硼散熱膜2024-09-26 08:04

  

  新材料是指新近發展或正在發展的具有優異性能的結構材料和有特殊性質的功能材料。目前，前沿新材料主要包括硼墨烯材料、過渡金屬硫化物、4D打印材料、仿生塑料等，加快布局前沿新材料已成為我國的重大戰略之一。小編為大家整理了全球30大最具潛力的前沿新材料，一起來看看它們對我們未來的生活會有哪些影響吧。△30大前沿材料分類表01全息膜簡介：全息膜實際上一種綜合衍射圖(h

  5G 毫米波 氮化硼 928瀏覽量

• 低功耗碳化硅 MOSFET 的發展 | 氮化硼高導熱絕緣片2024-09-24 08:02

  

  一、前言隨著電動汽車的發展，汽車功率器件芯片也正在尋求能夠有效處理更高工作電壓和溫度的組件。此時碳化硅MOSFET成為牽引逆變器等電動汽車構建模塊的首選技術。基于碳化硅的逆變器可使高達800V的電氣系統顯著延長EV續航里程并將充電時間減半。據行業研究公司IHSMarkit的數據，到2025年，全球高達45%的汽車生產將實現電氣化，每年將售出約4600萬輛電動

  MOSFET 低功耗 碳化硅 809瀏覽量

• 電路板熱設計和熱仿真的關系2024-09-22 08:01

  

  一.熱設計的重要性電源產品電子設備在工作期間所消耗的電能，除了有用功外，大部分轉化成熱量散發。電子設備產生的熱量，使內部溫度迅速上升，如果不及時將該熱量散發，設備會繼續升溫，器件就會因過熱失效，電子設備的可靠性將下降。SMT使電子設備的安裝密度增大，有效散熱面積減小，設備溫升嚴重地影響可靠性，因此，對熱設計的研究顯得十分重要。二.印制電路板溫升因素分析引起印

  熱仿真 熱設計 電路板 1030瀏覽量

• 電子封裝 | Die Bonding 芯片鍵合的主要方法和工藝2024-09-20 08:04

  

  DieBound芯片鍵合，是在封裝基板上安裝芯片的工藝方法。本文詳細介紹一下幾種主要的芯片鍵合的方法和工藝。什么是芯片鍵合在半導體工藝中，“鍵合”是指將晶圓芯片連接到基板上。連接可分為兩種類型，即傳統方法和先進方法。傳統的方法包括晶片連接和電線連接，而先進的方法包括IBM在60年代末開發的倒裝芯片連接。倒裝芯片鍵合是一種結合了模具鍵合和導線鍵合的方法，是通過

  東芯半導體 電子封裝 芯片 1747瀏覽量

• 動力電池TIM熱管理材料 | 氮化硼耐高溫高導熱絕緣片2024-09-20 08:04

  

  電池問題是新能源汽車起火的最大原因。新能源車的電池受到了外部刺激帶來的壓力后，變形增壓或升溫，并隨之會發生熱失控，進而引發自燃和爆炸。根據新能源汽車國家大數據聯盟的數據，已查明著火原因的車輛中，58%車輛起火源于電池問題，19%車輛起火源于碰撞問題，還有部分車輛的起火原因源于浸水、零部件故障、使用問題等原因。新能源車電池的最適宜工作溫度在10-30℃之間。低

  Tim 動力電池 熱管理 927瀏覽量

• DBC陶瓷基板 | 氮化硼耐高溫高導熱絕緣片2024-09-18 08:02

  

  隨著電子技術的發展，芯片的集成度不斷提高，電路布線也越來越細。因此，每單位面積的功耗增加，導致發熱增加和潛在的設備故障。直接粘合銅（DBC）陶瓷基板因其優異的導熱性和導電性而成為重要的電子封裝材料，特別是在功率模塊（IGBT）和集成電力電子模塊中。直接敷銅陶瓷基板（DBC）由陶瓷基片與銅箔在高溫下（1065℃）共晶燒結而成，最后根據布線要求，以刻蝕方式形成線

  DBC 導熱 絕緣 陶瓷基板 1132瀏覽量

• 碳化硅 （SiC） 與氮化鎵 （GaN）應用 | 氮化硼高導熱絕緣片2024-09-16 08:02

  

  SiC和GaN被稱為“寬帶隙半導體”(WBG)。由于使用的生產工藝，WBG設備顯示出以下優點：1.寬帶隙半導體氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）在帶隙和擊穿場方面相對相似。氮化鎵的帶隙為3.2eV，而碳化硅的帶隙為3.4eV。雖然這些值看起來相似，但它們明顯高于硅的帶隙。硅的帶隙僅為1.1eV，比氮化鎵和碳化硅小三倍。這些化合物的較高帶隙允許氮化鎵和碳化硅舒

  GaN SiC 氮化鎵 碳化硅 1256瀏覽量

• IGBT主動散熱和被動散熱 | 氮化硼高導熱絕緣片2024-09-15 08:03

  

  摘要：隨著絕緣柵雙極晶體管（IGBT）向高功率和高集成度方向發展，在結構和性能上有很大的改進，熱產生問題日益突出，對散熱的要求越來越高，IGBT芯片是產生熱量的核心功能器件，但熱量的積累會嚴重影響器件的工作性能。因此，對IGBT模塊的溫度進行有效地檢測和管理是十分重要的環節。綜述了IGBT模塊的研究現狀、研究熱點以及散熱相關技術，主要介紹了主動散熱和被動散熱

  IGBT 晶體管 絕緣片 1615瀏覽量

• 新能源汽車制冷和制熱技術分析 | 電動汽車氮化硼高導熱絕緣片2024-09-14 08:03

  

  新能源汽車以電能或其他清潔能源作為動力來源,具有節能環保、運行成本低等優點,已成為汽車工業發展的重要方向[1]。然而,由于取消了內燃機這一常規熱源,新能源汽車的制熱和制冷系統面臨諸多挑戰。合理設計制冷和制熱系統,選擇適宜的制冷劑,對于提高新能源汽車的熱舒適性和能源利用效率具有重要意義。一、新能源汽車制熱方式1.1PTC電加熱器PTC(PositiveTemp

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