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• 發(fā)布了文章 2025-03-21 11:26

  Microchip Technology委托麥格理集團出售亞利桑那州晶圓廠二號

  

  近日，MicrochipTechnology公司宣布已委托麥格理集團(MacquarieGroup)，負責其位于亞利桑那州坦佩的晶圓制造工廠——晶圓廠二號的市場推廣與出售。這標志著Microchip在調整其制造規(guī)模方面邁出了重要一步。MicrochipTechnology是一家全球領先的半導體解決方案提供商，專注于微控制器、模擬半導體、閃存等領域。公司在技術

  microchip 半導體 晶圓

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• 發(fā)布了文章 2025-03-21 11:25

  SiC MOSFET在3-kW LLC變換器設計中的優(yōu)勢

  

  使用寬帶隙半導體材料(如碳化硅或氮化鎵)制造的電源開關現在在電力變換器中得到了廣泛應用。SiC晶體管的高速開關特性以及低反向恢復電荷，或氮化鎵HEMT的零反向恢復電荷，使設計師能夠制造比基于硅的替代品更小且高效的電力系統(tǒng)。然而，盡管氮化鎵和碳化硅有如此多的優(yōu)勢，這些開關類型與經過驗證的硅MOSFET或IGBT相比仍顯得有些陌生。FutureElectroni

  LLC變換器 SiC MOSFET 電源開關

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• 發(fā)布了文章 2025-03-20 11:18

  Nexperia推出高效耐用的1200 V SiC MOSFET，采用創(chuàng)新X.PAK封裝技術

  

  近日，Nexperia宣布推出一系列新型的1200V碳化硅(SiC)MOSFET，專為滿足工業(yè)應用中的高效能和耐用性需求而設計。這些新產品不僅具備卓越的溫度穩(wěn)定性，還采用了先進的表面貼裝(SMD)封裝技術，稱為X.PAK。這種封裝技術的創(chuàng)新之處在于其頂面冷卻設計，使得設備在高功率應用中能夠有效散熱，極大地提升了整體性能。新推出的X.PAK封裝尺寸緊湊，只有1

  MOSFET Nexperia SiC

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• 發(fā)布了文章 2025-03-20 11:16

  SiC MOSFET與肖特基勢壘二極管的完美結合，提升電力轉換性能

  

  使用反向并聯的肖特基勢壘二極管(SBD)可以提高碳化硅MOSFET在電力轉換應用中的性能和可靠性。本文將展示兩家SiC器件制造商在集成SBD與MOSFET為單芯片解決方案方面所取得的進展。SiC肖特基二極管SiC肖特基二極管相較于標準的硅p/n二極管提供了許多優(yōu)勢。一個關鍵優(yōu)勢是缺乏反向恢復損失，這種損失在p/n二極管中尤為顯著，特別是在高溫、快速切換和高電

  MOSFET SiC 肖特基勢壘二極管

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• 發(fā)布了文章 2025-03-19 11:15

  Navitas推出全球首款雙向GaN功率IC

  

  近日，納維塔斯半導體公司在亞特蘭大舉行的APEC2025大會上，宣布推出全球首款雙向氮化鎵(GaN)功率集成電路(IC)，此舉被業(yè)界譽為在可再生能源和電動汽車等高功率應用領域的“范式轉變”。納維塔斯首席執(zhí)行官兼聯合創(chuàng)始人基恩·謝里丹在新聞發(fā)布會上指出，這款新型雙向GaNIC在效率、體積、重量和成本等多個方面都達到了行業(yè)頂尖水平。納維塔斯在大會上推出的雙向Ga

  GaN Navitas 功率IC

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• 發(fā)布了文章 2025-03-19 11:10

  DSA技術：突破EUV光刻瓶頸的革命性解決方案

  

  為了補償光子不足，制造商可能會增加曝光劑量，這又會延長光刻過程中停留的時間。然而，這種做法直接影響了生產效率，使得整個過程變得更慢，經濟性降低。此外，隨著幾何尺寸的縮小以適應更小的技術節(jié)點，對更高劑量的需求也加劇，從而造成了生產力的瓶頸。DSA技術：一種革命性的方法DSA技術通過利用嵌段共聚物的分子行為來解決EUV光刻面臨的挑戰(zhàn)。嵌段共聚物由兩個或多個化學性

  DSA EUV 半導體

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• 發(fā)布了文章 2025-03-18 11:34

  onsemi推出新一代SiC智能電力模塊，助力降低能耗與系統(tǒng)成本

  

  近日，半導體技術公司onsemi宣布推出其首代1200V硅碳化物(SiC)智能電力模塊(IPM)，型號為SPM31。這款以金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)為基礎的模塊，憑借卓越的能效和功率密度，成為行業(yè)內的一項重大技術進步。新一代EliteSiCSPM31IPM在體積上保持了最緊湊的設計，相較于傳統(tǒng)的場停7IGBT技術，具有更顯著的能量效率和更低

  IPM SiC 晶體管

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• 發(fā)布了文章 2025-03-18 11:33

  突破200 kHz：電力電子硬件在環(huán)(HIL)測試的創(chuàng)新解決方案

  

  “萬物電氣化”影響著社會和工業(yè)的各個領域。為了實現可持續(xù)性發(fā)展的經濟轉型，需要低成本且高效的電力電子技術來滿足各種應用需求。這不僅要求為每個特定應用開發(fā)拓撲結構，還需要高效率的新型半導體技術，例如基于碳化硅(SiC)或氮化鎵(GaN)的器件。電動化是能源轉型的關鍵支柱之一。在此領域，除了成本外，轉換器的尺寸、重量和功率(例如用于電池充電)也至關重要。為此，上

  HIL 寬帶隙器件 測試 電動化

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• 發(fā)布了文章 2025-03-17 10:41

  LEM(萊姆電子)適用于800V三相牽引逆變器的電流傳感器

  

  目前，越來越多的汽車牽引逆變器開發(fā)者開始采用三相功率模塊，LEM(萊姆)公司的HAH3DRS07/SP42便是其中一個備受青睞且經過廣泛驗證的例子。這些模塊的興起，得益于碳化硅(SiC)MOSFET技術的應用，能夠支持800V電池系統(tǒng)的實現，從而為車輛提供更長的續(xù)航里程和更短的充電時間。HAH3DRS07/SP42，這是一款專為800V三相功率模塊設計的緊湊

  lem 電流傳感器 逆變器

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• 發(fā)布了文章 2025-03-17 10:40

  高級技術推動電動車電池制造的變革與可持續(xù)發(fā)展

  

  隨著電動車(EV)市場的快速增長，預計到2033年將達到5375.3億美元，汽車制造商面臨的最緊迫挑戰(zhàn)之一是確保電動車電池的安全性、可靠性和經濟性。電池技術的進步在滿足這些需求和確保電動車成功實現大規(guī)模推廣方面發(fā)揮著至關重要的作用。為此，人工智能(AI)、數字雙胞胎和先進電池化學等新興技術正在幫助塑造電動車電池制造的未來，改變生產過程，提升電池性能，并確?？?

  人工智能 電動汽車 電動車電池

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