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深圳市浮思特科技有限公司

分享功率器件、觸控驅動、MCU等硬件知識,行業應用和解決方案,以及電子相關的行業資訊。

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動態

  • 發布了文章 2025-04-28 11:27

    浮思特 | SiC技術2025:突破性進展與產業變革

    隨著電動汽車、可再生能源系統和高性能計算等新興技術將傳統硅技術推向極限,材料科學正在不斷發展以滿足新的性能需求。功率半導體技術面臨著在多樣化嚴苛應用中實現更高電壓運行、更優熱管理和更高能效的壓力。圖12024年,碳化硅功率電子領域取得多項重大進展,這一趨勢持續至2025年。Soitec的工程化碳化硅基板在電子行業中,MOSFET、IGBT和肖特基二極管等開關
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  • 發布了文章 2025-04-25 11:39

    SemiQ新一代1200V SiC MOSFET模塊:高效能、超快開關與卓越熱管理

    近日,半導體技術公司SemiQ宣布推出基于第三代碳化硅(SiC)技術的1200VSOT-227MOSFET模塊系列。該系列產品采用先進的共封裝設計,具備更快的開關速度、更低的導通與開關損耗,適用于太陽能逆變器、儲能系統、電動汽車充電以及高效服務器電源等高性能電力電子應用。SemiQ此次發布的SiCMOSFET模塊采用優化的芯片設計,相比前代產品,芯片尺寸更小
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  • 發布了文章 2025-04-25 11:34

    浮思特 | 從硅基到寬禁帶:逆變器功率器件的代際跨越與選型策略

    近年來,電力電子技術取得了重大進展。從電動汽車到可再生能源系統,逆變器在直流電轉換為交流電的過程中發揮著關鍵作用。傳統上,絕緣柵雙極晶體管(IGBT)等硅基功率器件因其可靠性和成熟的制造體系,長期主導著逆變器設計領域。然而,碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬禁帶(WBG)功率器件的出現正在重塑行業格局。這些器件具有更高效率、更大功率密度、更快開關頻率和更
  • 發布了文章 2025-04-24 11:33

    韓國對華半導體出口銳減23.5%,貿易逆差現象引發關注

    根據韓國產業通商資源部發布的最新數據顯示,今年第一季度,韓國對華出口總額達288億美元,其中半導體出口額為137.3億美元,占對華出口總額的47%。然而,令人關注的是,韓國對華半導體出口額較去年同期的179.4億美元下降了23.5%。這一趨勢引發了廣泛的關注,也暴露出中韓貿易關系中的新動向。對于半導體出口的顯著下降,分析人士指出,主要有兩個方面的原因。首先,
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  • 發布了文章 2025-04-24 11:32

    合成金剛石在半導體與量子領域的突破性應用

    合成金剛石因其在多種應用中提供極致性能的卓越能力,被譽為"超級材料"。其獨特屬性可深刻改變工藝流程和終端產品性能,適用于半導體、傳感器和光學等廣泛領域。卓越特性與應用價值電子工業主要采用化學氣相沉積(CVD)法培育的合成金剛石。其碳原子以密集四面體結構排列的分子結構,賦予了無與倫比的強度與硬度。核心特性包括:·寬光譜透光性·超高導熱率·寬電子帶隙·優異抗熱震
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  • 發布了文章 2025-04-23 11:36

    寬帶隙WBG功率晶體管的性能測試與挑戰

    功率電子技術的快速發展,得益于寬帶隙(WBG)半導體材料的進步,尤其是氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)。與傳統硅材料相比,這些材料具有更高的擊穿電壓、更好的熱導率和更快的開關速度。這些特性使得功率晶體管的性能得到了顯著提升,開啟了更高效率和更快動態響應的可能性。寬帶隙晶體管在現代電力系統中扮演著關鍵角色,包括開關電源(SMPS)、逆變器和電動機驅動器,因為
  • 發布了文章 2025-04-22 11:35

    氮化鎵技術驅動的高效逆變器設計:硅與GaN器件的比較分析

    通過重新設計基于氮化鎵(GaN)場效應晶體管(FET)的IGBT和MOSFET解決方案,DRS優化的車輛逆變器性能使開關頻率提高了四倍,減少了體積和重量,同時實現了98.5%的效率。在DRS,我們設定了一個目標,即設計出改進版的2kVI車輛逆變器。在開發過程中,我們比較了基于硅的IGBT和MOSFET解決方案與最近出現的常關型E-HEMTGaN器件的性能。本
  • 發布了文章 2025-04-21 11:57

    上汽英飛凌無錫擴建功率半導體項目 投資3.1億元提升產能!

    近日,上汽英飛凌汽車功率半導體(上海)有限公司發布了關于其無錫擴建功率半導體模塊產線項目的環境影響評價(環評)公告。該項目的總投資額達到3.1億元人民幣,計劃選址于無錫分公司,旨在進一步提升其生產能力,以滿足日益增長的市場需求。隨著全球汽車行業的快速發展,尤其是電動汽車和智能汽車的崛起,對功率半導體的需求顯著增加。功率半導體是電動車和混合動力車中的重要組成部
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  • 發布了文章 2025-04-21 11:56

    霍爾效應電流傳感技術:開環與閉環系統的比較與應用

    電流傳感器廣泛應用于各種場合。常見的技術是電阻式電流傳感,即測量分流電阻上的電壓降來確定未知電流。基于分流電阻的解決方案不提供電氣隔離,并且在測量大電流時功率效率較低。另一種廣泛使用的技術基于霍爾效應。霍爾效應電流傳感器由于其傳感器與待測電流之間的電氣隔離,提供了更高的安全性。它還避免了電阻式電流傳感方法中使用的分流電阻產生的高功耗。在本文中,我們將了解霍爾
  • 發布了文章 2025-04-18 11:48

    臺積電2025年第一季度財報出爐:營收利潤略有下滑但同比大幅增長

    在剛剛結束的法說會上,全球領先的半導體制造公司臺積電公布了2025年第一季度的財務報告。盡管該季度的營收和利潤環比略有下滑,但同比數據則顯示出顯著的增長,整體表現符合市場預期。根據臺積電的財報,第一季度的總營收和利潤較上一季度有所下降,這是由于市場需求的季節性波動和全球經濟環境的影響。然而,與2024年第一季度相比,營收和利潤均有大幅度提升,這表明公司在整體
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認證信息: 浮思特科技

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公司介紹:深圳市浮思特科技有限公司半導體行業12年企業,為客戶提供從產品選型到方案研發一站式服務。主營范圍是電子方案開發業務和電子元器件代理銷售,專注在新能源、電動汽車及充電樁、家用電器、觸控顯示,4大領域的方案研發,為客戶提供從方案研發到選型采購的一站式服務。公司產品線分為4大類:新能源、電動汽車及充電樁、家用電器、觸控顯示。各產品線已有穩定合作中的大客戶群體。公司有12年的電子元器件研發經驗沉淀和代理銷售經驗,內部流程完整、組織架構清晰,服務客戶超萬位。有專利信息11條,著作權信息41條,是一家長期、持續追求核心技術的科技型公司。公司代理品牌有TRINNO、HITACHI、ABOV、SK PowerTech、晶豐明源、敦泰電子、希磁科技、奧倫德、里陽。公司主要銷售電子元器件是IGBT/IGBT module、MCU、AC-DC芯片、IPM、二極管、碳化硅二極管/碳化硅MOSFET、光耦。

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