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• 發布了文章 2025-03-14 11:03

  德州儀器發布超小型微控制器，推動嵌入式技術微型化

  

  在全球嵌入式技術領域，德州儀器(TexasInstruments,TI)于近日在德國舉辦的國際嵌入式展會上震撼亮相，推出了一款革命性的微控制器(MCU)——MSPM0C1104。這款微控制器的面積僅為1.38mm2，較目前市場上最小的MCU小了38%，這一突破性進展將極大推動微型化技術的發展，滿足日益增長的市場需求。MSPM0C1104基于高效的ArmCor

  mcu 單片機 微控制器 德州儀器

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• 發布了文章 2025-03-14 11:01

  2 kV SiC功率模塊：推動1500 V系統的革命

  

  由于在可靠性、成本和系統級價值方面的顯著提升，具有1700V阻斷電壓的碳化硅(SiC)在工業電力轉換中變得越來越普遍。通過將最新一代SiC芯片的阻斷電壓擴展至2000V，新的可能性隨之而來。以前需要中壓器件或多級拓撲的直流鏈接電壓現在可以更輕松地處理。最新的碳化硅電壓等級正在促進1500V級逆變器的電路拓撲轉變。憑借經過驗證的芯片技術、低開關損耗和標準封裝，

  SiC 功率模塊 碳化硅

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• 發布了文章 2025-03-13 11:09

  意法半導體推出全新STM32U3微控制器，物聯網超低功耗創新

  

  近日，意法半導體(STMicroelectronics)宣布推出新一代STM32U3微控制器(MCU)，旨在為物聯網(IoT)設備帶來革命性的超低功耗解決方案。這款新產品不僅延續了意法半導體在超低功耗MCU領域的技術積累，更通過一系列創新設計，推動物聯網應用的高效能和長續航。STM32U3微控制器搭載了最高96MHz的ARMCortex-M33核心，具備市場

  STM32 微控制器 意法半導體 物聯網

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• 發布了文章 2025-03-13 11:05

  TRINNO特瑞諾 TGAN25N120ND N溝槽IGBT：感應加熱和軟開關領域新標桿

  

  在現代電力電子行業中，IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)作為一種高效的功率開關器件，廣泛應用于各類電力轉換設備。TRINNO(特瑞諾)旗下的TGAN25N120NDNPTTrenchIGBT以其卓越的性能和廣泛的應用前景受到了大家的青睞。本文將為您詳細介紹這一優質功率器件的特點及其應用領域。圖1：TGAN25N120NDIGBT卓越的技術特點TGAN25N120

  IGBT 功率開關器件 晶體管

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• 發布了文章 2025-03-12 11:42

  英飛凌2024年MCU市場份額飆升，首次奪得全球微控制器市場首位

  

  近日，根據市場研究機構Omdia發布的最新報告，英飛凌科技公司(InfineonTechnologiesAG)在2024年的微控制器(MCU)市場份額預計將達到21.3%，相比2023年的17.8%增長了3.5個百分點。這一顯著的增長幅度使英飛凌在同業中成為增幅最大的企業，并且標志著其在公司歷史上首次在全球微控制器市場登頂。微控制器是現代電子設備的核心組件，

  mcu 微控制器 英飛凌

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• 發布了文章 2025-03-12 11:40

  突破電動汽車動力系統的技術瓶頸：先進的SiC溝槽技術

  

  隨著汽車市場向主流采用加速，電力電子技術已成為創新的基石，推動了卓越的性能和效率。在這一技術演變的前沿，碳化硅(SiC)功率模塊作為一項關鍵進展，重新定義了電動動力系統的能力。電動汽車的日益普及依賴于延長車輛續航里程和降低電池成本。這可以通過減少能量損失和提升逆變器中功率模塊的緊湊性來實現。由于SiC功率器件能夠實現比傳統硅基器件更低的能量損失，因此它們引起

  SiC 動力系統 電動汽車

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• 發布了文章 2025-03-11 11:39

  英飛凌推出新款輻射耐受P溝道MOSFET，助力低地球軌道應用

  

  英飛凌(Infineon)近日宣布，擴大其輻射耐受功率MOSFET系列，新增P溝道功率MOSFET，以滿足日益增長的低地球軌道(LEO)空間應用需求。這一新產品的推出，標志著英飛凌在為新一代“新空間”應用提供高效、可靠的功率器件方面邁出了重要一步。隨著航天技術的迅猛發展，LEO衛星星座和其他空間系統的部署需求持續上升。為了成功實施這些次世代項目，工程師們需要

  MOSFET 英飛凌

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• 發布了文章 2025-03-11 11:34

  智能計算新紀元：具記憶功能的晶體管問世

  

  在當今電子工業中，對更快、更高效組件的需求巨大，以滿足現代計算的需要。傳統晶體管正逐漸達到其物理和操作極限，它們在數據中心中消耗大量能源和空間，尤其是在需要數十億個晶體管來存儲和處理數據的場景下。隨著數字數據的急劇增長，這種方法變得不可持續。來自約翰霍普金斯大學的研究團隊發現了一種新型記憶電阻器(memristor)，能夠擁有更豐富的記憶，提升其效率。該研究

  晶體管 智能計算 電阻器

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• 發布了文章 2025-03-07 11:11

  Marvell展示2納米芯片3D堆疊技術，應對設計復雜性挑戰！

  

  隨著現代科技的迅猛發展，芯片設計面臨著前所未有的挑戰。特別是在集成電路(IC)領域，隨著設計復雜性的增加，傳統的光罩尺寸已經成為制約芯片性能和功能擴展的瓶頸。為了解決這一問題，3D堆疊技術應運而生，成為應對這些挑戰的重要手段。近期，Marvell公司在這一領域取得了重大進展，展示了其采用臺積電最新2納米制程的矽智財(IP)解決方案，用于AI和云端基礎設施芯片

  Marvell 臺積電 芯片設計

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• 發布了文章 2025-03-07 11:10

  SiC與GaN技術專利競爭：新興電力電子領域的創新機遇

  

  在過去十年中，碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)技術的迅速崛起顯著重塑了電力電子行業。這些寬禁帶材料提供了諸多優勢，如降低功率損耗、更高的開關速度以及能夠在高溫下工作，使其特別適用于電動汽車(EV)、可再生能源系統和先進通信技術等應用。專利申請通常是一個領域研發和商業活動水平的有力指標。從圖1可以看出，SiC和GaN基礎的電力電子技術的專利申請趨勢在過去十年

  GaN SiC 氮化鎵

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