動(dòng)態(tài)

• 發(fā)布了文章 2022-05-10 01:25

  英飛凌精彩亮相歐洲PCIM 2022：盡享非凡功率

  

  PCIM歐洲始于1979年的德國(guó)紐倫堡，是全球電力電子行業(yè)的頂級(jí)展會(huì)及研討會(huì)，已有40年多年歷史。在這一行業(yè)盛會(huì)上，全球從業(yè)者齊聚一堂，展示與交流電力電子技術(shù)和應(yīng)用。來(lái)自學(xué)術(shù)界和工業(yè)界的專家在這里發(fā)布最新的研究成果和新產(chǎn)品，內(nèi)容從器件、驅(qū)動(dòng)控制、封裝技術(shù)到最終系統(tǒng)，涵蓋整個(gè)生態(tài)鏈。英飛凌將亮相PCIM2022（5月10日至12日，德國(guó)紐倫堡），展示功率半導(dǎo)體

  英飛凌

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• 發(fā)布了文章 2022-05-08 01:46

  如何拓展IGBT驅(qū)動(dòng)器電流

  

  功率半導(dǎo)體驅(qū)動(dòng)電路是集成電路的一個(gè)重要子類，功能強(qiáng)大，用于IGBT的驅(qū)動(dòng)IC除了提供驅(qū)動(dòng)電平和電流，往往帶有驅(qū)動(dòng)的保護(hù)功能，包括退飽和短路保護(hù)、欠壓關(guān)斷、米勒鉗位、兩級(jí)關(guān)斷、軟關(guān)斷、SRC(slewratecontrol)等，產(chǎn)品還具有不同等級(jí)的絕緣性能。但作為集成電路，其封裝決定了最大功耗，驅(qū)動(dòng)IC輸出電流有的可以做到10A以上，但還是不能滿足大電流IGB

  電流 驅(qū)動(dòng)器

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• 發(fā)布了文章 2022-04-30 01:57

  當(dāng).XT技術(shù)遇上SiC單管

  

  英飛凌于2020年發(fā)布了基于.XT技術(shù)的D2PAK-7L封裝1200VSiCMOSFETSMD系列產(chǎn)品，導(dǎo)通電阻從350mohm到30mohm，覆蓋功率范圍最高可到20kW，產(chǎn)品目錄下圖1。圖1.英飛凌D2PAK-7L1200VSiCMOSFET產(chǎn)品也許您已選用測(cè)試，或許還在選型觀望，又或者正懵懂于“.XT”是個(gè)啥？不妨讀完此文，撥云見日，三站地鐵，十分鐘足

  SiC

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• 發(fā)布了文章 2022-04-28 01:33

  怎么理解驅(qū)動(dòng)芯片的驅(qū)動(dòng)電流能力

  

  使用功率開關(guān)器件的工程師們肯定都有選擇驅(qū)動(dòng)芯片的經(jīng)歷。面對(duì)標(biāo)稱各種電流能力的驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品時(shí)，往往感覺(jué)選擇非常困惑。特別是在成本壓力之下，總希望選擇一個(gè)剛好夠用的產(chǎn)品。以下內(nèi)容或許能給到些啟發(fā)。首先來(lái)看一下這個(gè)驅(qū)動(dòng)峰值電流的定義方式。這個(gè)很重要，不同公司的產(chǎn)品往往宣傳說(shuō)法不一樣，所以要參考規(guī)格書。以下圖1是英飛凌的1EDI系列產(chǎn)品的電流表。比如1EDI60I12A

  驅(qū)動(dòng)器

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• 發(fā)布了文章 2022-04-26 01:23

  新品 | 采用950V IGBT7 S7芯片和SiC二極管的Dual-Boost Easy3B模塊

  

  新品1500V光伏雙面組件MPPT模塊該功率模塊是為1500V直流電壓的太陽(yáng)能應(yīng)用而開發(fā)的，與雙面光伏組件兼容，功率為500W+。每個(gè)模塊都配備了3路MPPT，每路MPPT的輸入電流可達(dá)到30A。產(chǎn)品規(guī)格：FS3L200R10W3S7F_B94200A950VFS3L200R10W3S7F_B94是采用200A950VIGBT7S7和SiC二極管的Dual-

  芯片 模塊

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• 發(fā)布了文章 2022-04-23 01:42

  新品 | CIPOS™ Tiny 600V 15A三相IPM

  

  新品CIPOSTiny600V,15A的三相IGBT智能功率模塊CIPOSTiny600V,15A的三相IGBT智能功率模塊具有優(yōu)化的性能和緊湊的封裝，可用于額定功率達(dá)1.5HP的逆變器產(chǎn)品規(guī)格：IM323系列的新成員是專門為家用空調(diào)和家用電器應(yīng)用設(shè)計(jì)的CIPOSTiny600V,15A的三相IGBT智能功率模塊具有優(yōu)化的性能和緊湊的封裝，可用于額定功率達(dá)1

  IGBT IPM

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• 發(fā)布了文章 2022-04-20 01:27

  新品 | 1200V低阻值CoolSiC™ MOSFET產(chǎn)品

  

  新品CoolSiC1200VSiCMOSFET低歐姆產(chǎn)品CoolSiC1200VSiCMOSFET低歐姆產(chǎn)品，采用TO247封裝，建立在最先進(jìn)的溝槽柵半導(dǎo)體工藝上。經(jīng)過(guò)優(yōu)化，性能和可靠性均有進(jìn)一步提高。封裝采用.XT互連技術(shù)，最新的CoolSiCMOSFET具有一流的熱耗散性能。產(chǎn)品規(guī)格：1200V,7mΩ、14mΩ和20mΩTO247封裝CoolSiC12

  MOSFET

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• 發(fā)布了文章 2022-04-19 01:24

  無(wú)磁芯變壓器(CT)隔離驅(qū)動(dòng)芯片技術(shù)優(yōu)勢(shì)及產(chǎn)品系列

  

  在之前的技術(shù)文章中，介紹了驅(qū)動(dòng)芯片的概覽，PN結(jié)隔離(JI)技術(shù)，SOI驅(qū)動(dòng)芯片技術(shù)等非隔離的驅(qū)動(dòng)技術(shù)，本文會(huì)繼續(xù)介紹英飛凌的無(wú)磁芯變壓器(CT)隔離驅(qū)動(dòng)芯片技術(shù)。在隔離器件的技術(shù)上，有三種主流的隔離技術(shù)，分別是光隔離，電容隔離和變壓器隔離。顧名思義，其隔離的介質(zhì)分別是光，電場(chǎng)信號(hào)和磁信號(hào)，隔離器件的使用及其廣泛，從輸入輸出接口，通訊端口，到功率器件的柵極驅(qū)

  芯片

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• 發(fā)布了文章 2022-04-16 01:38

  IGBT驅(qū)動(dòng)電流行為綜述

  

  IGBT驅(qū)動(dòng)需要電流：IGBT是一種電壓驅(qū)動(dòng)的電子開關(guān)，正常情況下只要給15V電壓就可以飽和導(dǎo)通，實(shí)際器件的驅(qū)動(dòng)是給柵極端口電容充放電，還是需要電流的。IGBT驅(qū)動(dòng)電流峰值電流取決于柵極總電阻，電流取決于柵極電荷，但我們一般講的是峰值電流。驅(qū)動(dòng)的峰值電流很好理解，按照歐姆定律，由驅(qū)動(dòng)電壓和驅(qū)動(dòng)電阻決定：但在小阻值驅(qū)動(dòng)回路中，實(shí)際測(cè)得驅(qū)動(dòng)電流一般比上述公式計(jì)算

  IGBT

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• 發(fā)布了文章 2022-04-15 01:29

  高集成度功率電路的熱設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)

  

  前言目前隨著科學(xué)技術(shù)和制造工藝的不斷發(fā)展進(jìn)步，半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展日新月異。對(duì)于功率半導(dǎo)體器件而言，其制造工藝也同樣是從平面工藝演變到溝槽工藝，功率密度越來(lái)越高。目前功率半導(dǎo)體器件不僅是單一的開關(guān)型器件如IGBT或MOSFET器件類型，也增加了如智能功率模塊IPM等混合型功率器件類型。在IPM模塊中既集成有功率器件，還集成了驅(qū)動(dòng)器和控制電路IC，這樣的功率半導(dǎo)體

  MOSFET 半導(dǎo)體技術(shù) 功率電路

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