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• 發布了文章 2023-10-12 08:14

  英飛凌攜手英飛源拓展新能源汽車充電市場

  

  基于碳化硅（SiC）的功率半導體具有高效率、高功率密度、高耐壓和高可靠性等諸多優勢，為實現新應用和推進充電站技術創新創造了機會。近日，英飛凌科技宣布與中國的新能源汽車充電市場領軍企業英飛源達成合作。英飛凌將為英飛源提供業內領先的1200VCoolSiCMOSFET功率半導體器件，用于提升電動汽車充電站的效率。英飛凌科技零碳工業功率事業部總裁PeterWawe

  充電 半導體 新能源汽車 英飛凌

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• 發布了文章 2023-09-23 08:16

  熱泵及其諧波電流解決方案

  

  1熱泵簡介熱泵，英文heatpump，它有2個定義，定義1：從低溫熱源吸熱送往高溫熱源的循環設備。定義2：以消耗一部分高品位能源(機械能、電能或高溫熱能)為補償,使熱能從低溫熱源向高溫熱源傳遞的裝置。所以，熱泵廣泛用于冬天取暖，產生熱水，工業烘干，溫室養殖等。簡單講，熱泵就是一個能量的搬運工，對于用戶而言，花了一份電費，獲得了四份甚至更多的熱量，這多出來的熱

  電流 裝置 設備

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• 發布了文章 2023-09-16 08:32

  IGBT器件柵極電壓波形振蕩的原因？

  

  IGBT器件柵極電壓波形振蕩的原因？

  IGBT 器件 電壓

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• 發布了文章 2023-09-14 08:16

  搭載1200V P7芯片的PrimePACK™刷新同封裝功率密度

  

  繼英飛凌1200VIGBT7T7芯片在中小功率模塊產品相繼量產并取得客戶認可后，英飛凌最新推出了適用于大功率應用場景的1200VIGBT7P7芯片，并將其應用在PrimePACK模塊中，再次刷新了該封裝的功率密度上限。目標應用領域：1200VP7模塊首發型號有以下兩個：相比于以前的IGBT4或IGBT5產品，新的IGBT7產品進一步拓展了PrimePACK封

  IGBT 封裝 芯片 英飛凌

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• 發布了文章 2023-09-09 08:16

  ChatGPT變聰明了嗎？如何計算IGBT器件的工作結溫Tvj

  

  ChatGPT變聰明了嗎？如何計算IGBT器件的工作結溫Tvj

  ChatGPT IGBT 器件

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• 發布了文章 2023-09-04 16:26

  ChatGPT真的懂IGBT嗎

  

  ChatGPT是部萬寶全書，請鑒定一下她是否缺個角，看看她是在一本正經地胡說八道，還是一位真知灼見的專家。本期是和ChatGPT辯論的第

  ChatGPT IGBT 電阻

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• 發布了文章 2023-08-25 08:16

  具備出色穩定性的CoolSiC™ MOSFET M1H

  

  2023PCIMAsia英飛凌將重磅亮相2023PCIMAsia設立“綠色能源與工業”“電動交通和電動出行”“智能家居”三大核心展示區域8月29日-31日，我們現場不見不散！點擊上方圖片，了解更多本次展會上，英飛凌將展出豐富的SiC系列產品，包括CoolSiCMOSFET以及相應的驅動評估板CoolSiCMOSFETCoolSiCMOSFETEasy2B三電

  MOSFET SiC 電壓

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• 發布了文章 2023-08-25 08:16

  談談SiC MOSFET的短路能力

  

  談談SiC MOSFET的短路能力

  IGBT MOSFET SiC 電壓 短路

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• 發布了文章 2023-08-17 09:27

  如何更好的使用EiceDRIVER™ IC驅動SiC MOSFET

  

  2023PCIMAsia英飛凌將重磅亮相2023PCIMAsia設立“綠色能源與工業”“電動交通和電動出行”“智能家居”三大核心展示區域碳化硅（SiCMOSFET）和氮化鎵(GaN)因其高頻率、低損耗的特性得到廣泛的應用，但對驅動系統的性能提出了更高的要求。英飛凌最新一代增強型EiceDRIVER1

  IC MOSFET SiC 驅動

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• 發布了文章 2023-08-02 08:17

  來自英飛凌開發者社區的10問10答——IGBT篇

  

  Q在IGBT器件的開通過程中，柵極電荷Qg的充電過程是怎樣的？A:IGBT器件例如IKZA50N65EH7的數據手冊中如圖1所示，給出了柵極電荷Qg和柵極電壓Vge的關系。圖2為IGBT器件簡化示意圖。柵極電荷的充電過程可以分為以下三個區域。

  IGBT 電壓 英飛凌

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