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• 發布了文章 2023-12-29 08:14

  英飛凌零碳之路——2023年度盤點（1）

  

  2023年，對于半導體行業而是言充滿挑戰和機遇的一年。根據英飛凌2023年9月最新財報，英飛凌2023財年銷售額同比增長15%至163.9億歐元，刷新了歷史最高。其中，零碳綠色能源領域貢獻了約13%的年度營收。根據Omdia9月公布的最新數據，英飛凌功率半導體器件繼續穩居全球第一，占據超20%的市場份額。今天，小編帶著大家一起來盤點下2023年英飛凌在零碳道

  半導體 新能源 英飛凌

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• 發布了文章 2023-12-22 08:14

  英飛凌入選全球最具可持續發展能力的企業

  

  英飛凌科技再次入選道瓊斯可持續發展全球指數（DowJonesSustainabilityWorldIndex），標普全球（S&PGlobal）日前在美國紐約公布了相關評估報告。負責可持續發展相關業務的英飛凌科技管理委員會成員、首席數字化轉型官ElkeReichart負責可持續發展相關業務的英飛凌科技管理委員會成員、首席數字化轉型官ElkeReichart表示

  功率器件 物聯網 英飛凌

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• 發布了文章 2023-12-22 08:14

  門極驅動正壓對功率半導體性能的影響

  

  /引言/對于半導體功率器件來說，門極電壓的取值對器件特性影響很大。以前曾經聊過門極負壓對器件開關特性的影響，而今天我們來一起看看門極正電壓對器件的影響。文章將會從導通損耗，開關損耗和短路性能來分別討論。1對導通損耗的影響無論是MOSFET還是IGBT，都是受門極控制的器件。在相同電流的條件下，一般門極電壓用得越高，導通損耗越小。因為門極電壓越高意味著溝道反型

  半導體 器件 驅動

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• 發布了文章 2023-12-21 08:14

  英飛凌62mm CoolSiC™ MOSFET 2000V M1H碳化硅半橋模塊榮獲2023年度最具影響力碳化硅產品獎

  

  11月14日，英飛凌科技的62mmCoolSiCMOSFET2000VM1H碳化硅半橋模塊憑借其卓越的性能，榮獲2023年度行家極光獎最具影響力產品獎，再次展現了英飛凌在碳化硅領域的技術創新能力和行業領先地位，得到了業內專家和客戶的認可。2023年上市的62mmCoolSiCMOSFET2000VM1H碳化硅半橋模塊采用溝槽柵，大大提升器件參數、可靠性及壽命

  模塊 碳化硅 英飛凌

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• 發布了文章 2023-12-16 08:14

  SiC MOSFET用于電機驅動的優勢在哪里

  

  在我們的傳統印象中，電機驅動系統往往采用IGBT作為開關器件，而SiCMOSFET作為高速器件往往與光伏和電動汽車充電等需要高頻變換的應用相關聯。但在特定的電機應用中，SiC仍然具有不可比擬的優勢，他們是：1低電感電機低電感電機有許多不同應用，包括大氣隙電機、無槽電機和低泄露感應電機。它們也可被用在使用PCB定子而非繞組定子的新電機類型中。這些電機需要高開關

  IGBT MOSFET SiC 電機驅動

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• 發布了文章 2023-12-11 17:31

  擴展 IGBT7 產品組合，實現bast-in-Class功率密度

  

  我們已經介紹過關于采用標準TO-247封裝的1200VTRENCHSTOPIGBT7S7加EC7二極管續流產品的優點。秉承"越多越好"的宗旨，英飛凌最近拓展了IGBT7和EC7技術的產品系列，其新封裝形式一定程度上豐富了其市場價值主張。圖1顯示了目前可用的分立產品組合，重點如下：1.采用TO-247PLUS封裝可實現高功率密度，可用于商用車和農用車(CAV)

  IGBT 二極管 英飛凌

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• 發布了文章 2023-12-09 08:14

  感應加熱原理與IGBT應用拓撲分析（上）

  

  經常遇到很多同事和朋友問：為什么電磁爐和電飯煲要用到IGBT，這種應用的IGBT需要有什么特點？今天我們就給大家詳細解釋感應加熱的原理和感應加熱的拓撲分析。在理解電磁感應加熱的原理之前，先問自己一個問題，假如這個世界上沒有電磁爐，你要燒開一鍋水，會怎么做？最常見的方式，就是點燃爐灶，把鍋架在火上。圖1.傳統燃氣加熱然而這種方法是間接的加熱方式，先由熱源加熱鍋

  IGBT 感應加熱 電磁

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• 上傳了資料 2023-12-06 11:56

  IGBT單管數據手冊參數解析（下）

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• 上傳了資料 2023-12-06 11:54

  IGBT單管數據手冊參數解析(上)

  IGBT

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• 發布了文章 2023-12-02 08:14

  英飛凌推出全新62mm封裝CoolSiC產品組合，助力實現更高效率和功率密度

  

  英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）近日宣布其CoolSiC1200V和2000VMOSFET模塊系列新添全新工業標準封裝產品。其采用新推出的增強型M1H碳化硅（SiC）MOSFET芯片，采用成熟的62mm封裝的半橋模塊。該封裝使SiCMOSFET能夠應用于250kW以上的中等功率等級應用，而傳統IGBT硅技術在這一功率等級應

  SiC 封裝 英飛凌

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