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• 發布了文章 2023-01-11 15:09

  新品 | 采用IPM IM323 1500W電機驅動的評估板

  

  新品采用IPMIM3231500W電機驅動的評估板評估板EVAL-M1-IM323是用于IM323系列CIPOSIPM的評估，它的目標應用為三相電機驅動，大家電，如空調、泵、風扇和其他變頻驅動器。產品型號：EVAL-M1-IM323產品特點輸入電壓165Vac至265Vac165Vac時最大12A的輸入電流220V

  驅動 電機 評估板

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• 發布了文章 2023-01-11 15:08

  通過柵極驅動器提高開關電源功率密度

  

  作者：HubertBaierl，英飛凌科技市場總監校對：柯春山英飛凌科技高級主任工程師像許多電子領域一樣，進步持續發生。目前，在3.3kW開關電源(SMPS)中，產品效率高達98%，1U結構尺寸，其功率密度可達100W/in3。這之所以可以實現是因為我們在圖騰柱PFC級中明智地選擇了超結(SJ)功率MOSFET（例如CoolMOS），碳化硅(SiC)MOSF

  電源 驅動器

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• 發布了產品 2023-01-04 10:01

  新品 | 采用IPM IM323 1500W電機驅動的評估板

  

  產品型號：EVAL-M1-IM323

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• 發布了文章 2023-01-04 09:45

  探究快速開關應用中SiC MOSFET體二極管的關斷特性

  

  SiC MOSFET體二極管的關斷特性與IGBT電路中硅基PN二極管不同，這是因為SiC MOSFET體二極管具有獨特的特性。對于1200V SiC MOSFET來說，輸出電容的影響較大，而PN二極管的雙極電荷影響較小。本文探討了SiC MOSFET的獨有特性以及影響體二極管關斷特性的多個影響因素，并且闡明了快速開關應用中SiC MOSFET的反向恢復損耗概

  二極管 MOSFET

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• 發布了文章 2022-05-27 01:47

  魚與熊掌皆可得？當SiC MOSFET遇上2L-SRC

  

  引言事物皆有兩面：SiCMOSFET以更快的開關速度，相比IGBT可明顯降低器件開關損耗，提升系統效率和功率密度；但是高速的開關切換，也產生了更大的dv/dt和di/dt，對一些電機控制領域的電機絕緣和EMI設計都帶來了額外的挑戰。應用痛點氫燃料系統中的高速空壓機控制器功率35kW上下，轉速高達10萬轉以上，輸出頻率可達2000Hz，調制頻率50kHz以上是

  asic

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• 發布了文章 2022-05-26 02:14

  IGBT窄脈沖現象解讀

  

  什么是窄脈沖現象IGBT作為一種功率開關，從門級信號到器件開關過程需要一定反應時間，就像生活中開關門太快容易擠壓手一樣，過短的開通脈沖可能會引起過高的電壓尖峰或者高頻震蕩問題。這種現象隨著IGBT被高頻PWM調制信號驅動時，時常會無奈發生，占空比越小越容易輸出窄脈沖，且IGBT反并聯續流二極管FWD在硬開關續流時反向恢復特性也會變快。以1700V/1000A

  IGBT

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• 發布了文章 2022-05-24 05:30

  Tvj - IGBT元宇宙中的結溫

  

  ///在IGBT應用中，結溫是經常使用的一個參數，大部分讀者應該都很熟悉這個概念，但是這和元宇宙有什么關系呢？我想先請大家考慮一個問題：IGBT結溫到底是指具體哪兒的溫度？。。。你們是不是已經開始上百度搜索答案了？我在百度百科以及維基百科搜索出結溫的解釋大概是這樣的：晶體管結溫，簡稱結溫，是指半導體芯片內的最高工作溫度，通常芯片的結溫會比芯片的外殼高。。。原

  IGBT

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• 發布了文章 2022-05-24 05:26

  新品 | 溝槽柵 2000/3000A 4500V 125mm平板型壓接式IGBT

  

  新品溝槽柵2000/3000A4500V125mm平板型壓接式IGBT溝槽柵2000/3000A4500V125mm平板型壓接式IGBT相關器件：P2000DL45X1682000A4500V帶續流二極管125mm平板型P3000ZL45X1683000A4500V不帶續流二極管125mm平板型InfineonTechnologiesBipolar擴展了其高

  IGBT

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• 發布了文章 2022-05-24 05:24

  如何計算驅動芯片的desat保護時間

  

  SiCMOSFET短路時間相比IGBT短很多，英飛凌CoolSiCMOSFET單管保證3us的短路時間，Easy模塊保證2us的短路時間，因此要求驅動電路和的短路響應迅速而精確。今天，我們來具體看一下這個短而精的程度。圖1是傳統典型的驅動芯片退飽和檢測原理，芯片內置一個恒流源。功率開關器件在門極電壓一定時，發生短路后，電流不斷增加，導致器件VCE電壓迅速提升

  英飛凌 MOSFET IGBT

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• 發布了文章 2022-05-13 01:25

  IGBT門極驅動到底要不要負壓

  

  先說結論，如果條件允許還是很建議使用負壓作為IGBT關斷的。但是從成本和設計的復雜度來說，很多工程師客戶希望不要使用負壓。下面我們從門極寄生導通現象來看這個問題。IGBT是一個受門極電壓控制開關的器件，只有門極電壓超過閾值才能開通。工作時常被看成一個高速開關，在實際使用中會產生很高的電壓變化dv/dt和電流變化di/dt。電壓變化Dv/dt通過米勒電容CCG

  IGBT

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