在先進制程的發展上，臺積電與三星一直有著激烈的競爭。雖然，臺積電已經宣布將在 2020 年正式量產 5 納米制程。不過，三星也不甘示弱，預計透過新技術的研發，在 2021 年推出 3 納米制程的產品。根據三星表示，其將推出的 3 納米制程產品將比當前的 7 納米制程產品效能提升 35%，能耗也再降低 50%，而且芯片的面積也再減少 45%。

根據外媒報導，三星 14 日于美國加州所舉辦的晶圓制造論壇 （Samsung Foundry Forum） 上宣布，目前三星正在開發一項名為 ？環繞柵極 （gate all around，GAA） ？ 的技術，這個被稱為當前 FinFET 技術進化版的生產技術，能夠對芯片核心的晶體管進行重新設計和改造，使其更小更快。三星指出，預計 2021 年透過這項技術所推出的 3 納米制程技術，將能使得三星在先進制程方面與臺積電及英特爾進行抗衡，甚至超越。而且，能夠解決芯片制造縮小過程中所帶來的工程難題，以延續摩爾定律的持續發展。

而根據國際商業戰略咨詢公司 （International Business Strategies） 執行長 Handel Jones 表示，目前三星正透過強大的材料研究讓晶圓制造技術獲得發展。而在 GAA 的技術發展上，三星大約領先臺積電 1 年的時間，而英特爾封面則是落后三星 2 到 3 年。三星也強調，GAA 技術的發展能夠期待未來有更好的圖形技術，人工智能及其他運算的進步，以確保未來包括智能型手機、手表、汽車、以及智慧家庭產品都能夠有更好的效能。

事實上，之前三星就宣布將在未來 10 年內投資1，160 億美元來發展非存儲器項目的半導體產業，以成為未來全球的半導體產業霸主。其中，透過 GAA 技術發展的 3 納米制程技術就是其中重要的關鍵。三星希望藉此吸引包括蘋果、NVIDIA、高通、AMD 等目前臺積電客戶的青睞，以獲取更多晶圓生產上的商機。