12月10日，比亞迪在寧波發布了在車規級領域的IGBT4.0技術，將電動車CPU的核心技術帶到了“聚光燈”下。

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)全稱“絕緣柵雙極型晶體管”，其芯片與動力電池電芯并稱為電動車的 “雙芯”，是影響電動車性能的關鍵技術，其成本占整車成本的5%左右。

對于電動車而言，IGBT直接控制驅動系統直、交流電的轉換，決定了車輛的扭矩和最大輸出功率等。

作為中國第一家實現車規級IGBT大規模量產、也是唯一一家擁有IGBT完整產業鏈的車企。比亞迪稱，已投入巨資布局性能更加優異的第三代半導體材料SiC(碳化硅)，有望于2019年推出搭載SiC電控的電動車。預計到2023年，比亞迪旗下的電動車將全面搭載SiC電控。

IGBT屬于汽車功率半導體的一種，因設計門檻高、制造技術難、投資大，被業內稱為電動車核心技術的“珠穆拉瑪峰”。此前，該技術主要掌握在國際巨頭手中。

“比亞迪依靠自身強大的研發實力、人才的聚集、產業鏈的配套，在汽車功率半導體領域有了核心的突破，這個突破不是今天想，明天投入就能實現的，是積累了十多年的技術、人才和產業鏈才能實現的。”中國半導體行業協會IC設計分會副理事長周生明表示。

據比亞迪第六事業部兼太陽能事業部總經理陳剛介紹，比亞迪IGBT4.0較當前市場主流的IGBT，電流輸出能力高15%，綜合損耗降低了約20%。

同時，比亞迪稱，已經成功研發了SiC MOSFET(汽車功率半導體包括基于硅或碳化硅等材料打造的IGBT或 MOSFET等)，有望于2019年推出搭載SiC電控的電動車。預計到2023年，比亞迪將在旗下的電動車中，實現SiC基車用功率半導體對硅基IGBT的全面替代，將整車性能在現有基礎上再提升10%。

陳剛表示：“SiC MOSFET將成為比亞迪電動車性能持續迭代更新的新一代‘殺手锏’，同時保持開放心態，期待和產業鏈條上的伙伴合作融合。”