希捷公司已經(jīng)制定一項規(guī)劃，希望在2023年利用其HAMR（即熱輔助磁記錄）技術(shù)推出48 TB磁盤驅(qū)動器，且每30個月將存儲密度提高一倍。這意味到2025/2026年，我們或?qū)⒂瓉砀哌_100 TB容量的磁盤驅(qū)動器產(chǎn)品。

HAMR克服了當前PMR（垂直磁記錄）技術(shù)中較小磁化區(qū)域傾向于在溫度變化與來自相鄰位的干擾之下發(fā)生磁極性轉(zhuǎn)換，進而導致二進制位值變化的趨勢。

利用另一種更為穩(wěn)定的記錄介質(zhì)，HAMR將在寫入位值之前對其進行加熱，這意味著讀寫磁頭需要配備激光加熱元件。HAMR bit可比PMR bit更小，因此磁盤驅(qū)動器的碟片存儲密度將隨之增加，從而使驅(qū)動器容量超越16 TB上限或者3.5英寸這一傳統(tǒng)外形尺寸。

西部數(shù)據(jù)公司目前正在開發(fā)另一種PMR替代方案，即微軟輔助磁記錄技術(shù)（簡稱MAMR）。

希捷公司將于2020年推出其首款HAMR驅(qū)動器產(chǎn)品。

以上圖表來自本屆于倫敦召開的A3 Tech Live大會，其中顯示希捷公司于2016年開始開發(fā)其HAMR技術(shù)，并將于2020年推出一款存儲容量超過20 TB的驅(qū)動器產(chǎn)品。

最后一款PMR驅(qū)動器將于2019/2020年推出，容量為16 TB。希捷公司目前的存儲容量最高的產(chǎn)品為3.5英寸Exos驅(qū)動器，容量為14 TB。

預計碟片存儲密度每2.5年將翻一番，希捷公司還公布了另外兩個HAMR驅(qū)動器容量變化節(jié)點：2021/2022年為36 TB，2023/2024年則為48 TB。

如果容量能夠到2025年甚至之后持續(xù)增加，那么100 TB磁盤驅(qū)動器也有望成為現(xiàn)實。

該公司強調(diào)稱，HAMR驅(qū)動器將成為現(xiàn)有PMR驅(qū)動器的直接替代品。

希捷公司實際上將開發(fā)出配備MACH.2多執(zhí)行器技術(shù)的性能優(yōu)化型HAMR驅(qū)動器——每張存儲碟片配合兩個讀取/寫入磁頭，以及帶有疊瓦式磁記錄（簡稱SMR）技術(shù)的容量優(yōu)化型驅(qū)動器。以下第二份圖表中對此有所體現(xiàn)：

SMR驅(qū)動器具有部分彼此重疊的寫入磁道塊，因此能夠進行讀取的磁道相對較窄，這意味著其讀取速度要遠高于重寫速度——這是由于重疊的磁道塊必須完整重寫，而不像現(xiàn)有驅(qū)動器那樣只需寫入磁道中受到影響的字節(jié)部分。

兩條HAMR驅(qū)動器產(chǎn)品線將擁有大致相同的容量，但高性能驅(qū)動器的容量水平似乎將稍微落后于高容量驅(qū)動器。這可能是圖表中的片面體現(xiàn)，不過希捷公司的此份資料并非產(chǎn)品公告，而僅僅用于預測產(chǎn)品容量變化趨勢。

根據(jù)圖表顯示，第一款多執(zhí)行器驅(qū)動器應該于2019年推出，這可能會給SMT驅(qū)動器以及非疊瓦式磁盤帶來潛在的速度提升方向。

而在HAMR技術(shù)無法進一步提高碟片存儲密度的時候，希捷公司希望轉(zhuǎn)而利用HDMR（即加熱點磁記錄）技術(shù)——這是一種利用BPMR（即bit模式介質(zhì)記錄）的HAMR改進方案，其中較小的bit（由單一磁性顆粒構(gòu)成）位于基準位置上方數(shù)納米的凸起或所謂“島”上。這將有效增加相鄰bit之間的區(qū)分能力。

目前，距離第一款HAMR驅(qū)動器面世還有13到25個月。希捷公司表示，其已經(jīng)生產(chǎn)了數(shù)百萬個HAMR驅(qū)動器磁頭，因此這項技術(shù)已經(jīng)實證可靠。在其幫助之下，我們希望看到HAMR的全面上市，以及由此帶來的容量更高、速度更快的驅(qū)動器產(chǎn)品。