近日，晶越半導體傳來重大喜訊，在半導體材料研發領域取得了新的里程碑式突破。繼 2025 年上半年成功量產 8 英寸碳化硅襯底后，公司持續加大研發投入，不斷優化工藝，于 7 月 21 日成功研制出高品質的 12 英寸 SiC 晶錠，這一成果標志著晶越半導體正式邁入 12 英寸 SiC 襯底的先進梯隊。

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在大尺寸晶體生長過程中，諸多難題如熱場分布不均、籽晶對位困難、厚度控制精度不足以及晶體缺陷風險增大等，一直是行業內亟待攻克的難關。面對這些挑戰，晶越半導體團隊展現出了卓越的科研實力與創新精神。他們系統性地對熱場結構設計進行優化，精準調整籽晶粘接工藝參數，運用先進技術提升厚度均勻性控制方法，并在缺陷抑制方面取得了顯著成效。通過對這些核心環節的協同優化，晶越成功實現了 12 英寸 SiC 晶體的高質量生長。

浙江晶越半導體有限公司成立于 2020 年 7 月 21 日，位于浙江省嵊州市經濟開發區，由海外歸國博士創立。公司通過整合海外創新技術與國內產業資源，組建了一支技術領先的專業團隊。現階段，公司主要專注于 6 - 8 英寸導電型碳化硅襯底材料的研發、生產與銷售。此次 12 英寸 SiC 晶錠的成功研制，不僅是晶越半導體自身發展的重大飛躍，也為國內半導體材料行業注入了一劑強心針。

隨著半導體產業的快速發展，SiC 作為第三代半導體材料的代表，因其具有高禁帶寬度、高硬度和耐磨性、高熱導率等優異特性，成為制造高壓、高溫、高頻功率器件的理想材料。大尺寸 SiC 晶體的制備一直是全球技術難題，此前行業主流量產尺寸仍為 6 - 8 英寸襯底。晶越半導體此次成功研制出 12 英寸 SiC 晶錠，大幅提升了晶圓的有效可用面積，能夠快速降低芯片單位成本，為國產 SiC 材料在新能源汽車、光伏儲能、智能電網、5G及AI/AR智能眼鏡等行業的快速規模化應用提供了可能。

在未來，晶越半導體表示將持續投入研發，專注于打磨產品、提高良率和優化參數，努力打造成為國內領先的碳化硅材料提供商。此次技術突破，也將進一步推動我國半導體產業在關鍵基礎材料領域實現從 “追趕者” 向 “領跑者” 的角色轉變，助力我國半導體產業在全球競爭中占據更有利的地位。

來源：半導體芯科技

審核編輯 黃宇