超薄晶圓厚度極薄，切割時 TTV 均勻性控制難度大。我將從闡述研究背景入手，分析淺切多道切割在超薄晶圓 TTV 均勻性控制中的優(yōu)勢，再深入探討具體控制技術，完成文章創(chuàng)作。

超薄晶圓（<100μm）淺切多道切割的 TTV 均勻性控制技術

一、引言

隨著半導體技術向高集成度、高性能方向發(fā)展，超薄晶圓（<100μm）的應用日益廣泛。然而，其厚度極薄、剛性差，在切割過程中極易出現(xiàn)變形，導致晶圓總厚度變化（TTV）不均勻，嚴重影響芯片制造質量與良品率。淺切多道切割工藝通過分層切削，能有效降低單次切削應力，為 TTV 均勻性控制提供了新途徑，深入研究其控制技術對超薄晶圓加工意義重大。

二、淺切多道切割對超薄晶圓 TTV 均勻性的作用原理

2.1 減少單次切削應力

超薄晶圓在切割時對切削力極為敏感，淺切多道工藝通過減小單次切削深度，將總切削力分散到多次切割過程中。較小的單次切削力大幅降低了晶圓因受力產生的變形，避免了局部過度切削或切削不足，從而有效控制 TTV 均勻性 。

2.2 漸進修正切割誤差

多道切割過程中，每一道切割可對前序切割產生的微小誤差進行修正。通過逐步調整切削位置與深度，不斷優(yōu)化晶圓表面輪廓，使得超薄晶圓在多次切削后達到更理想的厚度均勻狀態(tài)，提升 TTV 均勻性 。

三、TTV 均勻性控制技術

3.1 工藝參數(shù)優(yōu)化技術

精確確定切削深度、切割道次、進給速度等工藝參數(shù)。在保證加工效率的前提下，適當減小切削深度、增加切割道次，可進一步分散切削力；合理匹配進給速度與切割速度，能減少切削過程中的振動與切削熱產生，降低對 TTV 均勻性的干擾 。可通過正交試驗或仿真模擬，篩選出最優(yōu)參數(shù)組合。

3.2 在線監(jiān)測與反饋控制技術

在切割過程中引入高精度在線監(jiān)測設備，如激光干涉儀，實時監(jiān)測超薄晶圓的 TTV 變化 。一旦監(jiān)測到 TTV 超出設定閾值，系統(tǒng)立即反饋并自動調整后續(xù)切割工藝參數(shù)，如微調切削深度或進給速度，實現(xiàn) TTV 均勻性的動態(tài)控制 。

3.3 刀具與工件裝夾優(yōu)化技術

選用高剛性、低磨損的刀具，優(yōu)化刀具幾何參數(shù)，減少切削過程中的振動與磨損，保證切割的穩(wěn)定性與精度 。同時，設計專用的超薄晶圓裝夾系統(tǒng)，采用真空吸附或彈性支撐等方式，確保晶圓在切割過程中穩(wěn)固固定，避免因裝夾不當導致的變形，助力 TTV 均勻性控制 。

以上文章圍繞超薄晶圓淺切多道切割的 TTV 均勻性控制展開。若你希望補充更多實驗數(shù)據(jù)、案例，或對內容結構進行調整，隨時可以告訴我。

高通量晶圓測厚系統(tǒng)運用第三代掃頻OCT技術，精準攻克晶圓/晶片厚度TTV重復精度不穩(wěn)定難題，重復精度達3nm以下。針對行業(yè)厚度測量結果不一致的痛點，經(jīng)不同時段測量驗證，保障再現(xiàn)精度可靠。?

我們的數(shù)據(jù)和WAFERSIGHT2的數(shù)據(jù)測量對比,進一步驗證了真值的再現(xiàn)性：

（以上為新啟航實測樣品數(shù)據(jù)結果）

該系統(tǒng)基于第三代可調諧掃頻激光技術，相較傳統(tǒng)雙探頭對射掃描，可一次完成所有平面度及厚度參數(shù)測量。其創(chuàng)新掃描原理極大提升材料兼容性，從輕摻到重摻P型硅，到碳化硅、藍寶石、玻璃等多種晶圓材料均適用：?

對重摻型硅，可精準探測強吸收晶圓前后表面；?

點掃描第三代掃頻激光技術，有效抵御光譜串擾，勝任粗糙晶圓表面測量；?

通過偏振效應補償，增強低反射碳化硅、鈮酸鋰晶圓測量信噪比；

（以上為新啟航實測樣品數(shù)據(jù)結果）

支持絕緣體上硅和MEMS多層結構測量，覆蓋μm級到數(shù)百μm級厚度范圍，還可測量薄至4μm、精度達1nm的薄膜。

（以上為新啟航實測樣品數(shù)據(jù)結果）

此外，可調諧掃頻激光具備出色的“溫漂”處理能力，在極端環(huán)境中抗干擾性強，顯著提升重復測量穩(wěn)定性。

（以上為新啟航實測樣品數(shù)據(jù)結果）

系統(tǒng)采用第三代高速掃頻可調諧激光器，擺脫傳統(tǒng)SLD光源對“主動式減震平臺”的依賴，憑借卓越抗干擾性實現(xiàn)小型化設計，還能與EFEM系統(tǒng)集成，滿足產線自動化測量需求。運動控制靈活，適配2-12英寸方片和圓片測量。