為助力客戶提升對觸摸相關方案的開發效率，優化用戶的體驗感。中微愛芯基于豐富的項目經驗，針對觸摸芯片EMI無法通過的情況提供了幾種常用的解決方法，顯著提升開發效率與終端用戶體驗。

1.關閉未使用的外設時鐘（推薦）

AiP8F35XX芯片默認開啟所有外設時鐘，用戶可通過關閉未使用的外設時鐘來降低EMI輻射。

如：關閉WT時鐘。

SystemKeyCode

SYSCR1 &= ~0X02; //關閉WT時鐘

KeyCodeOff

2.增大觸摸盤與芯片引腳的串聯電阻

AiP8F35XX系列可以增大電阻阻值，可提高抗電磁干擾效果，理論上該阻值不超過10K。

3.降低系統時鐘（推薦）

EMI尖端脈沖頻率為系統時鐘倍數，則通過降低系統時鐘，將系統時鐘從16M降低到8M、4M，可有效的降低電磁輻射。

4.芯片VDD和GND之間接濾波電感及預留高頻濾波電容（推薦）

5.AC電源端口加上共模線圈

推薦20mH共模線圈可有效抑制20M以上的電磁輻射。該方法效果好，但是成本高。

6.芯片VCC端口加電容

在芯片的電源端口加100uf電解電容和100nf濾波電容，同時預留1nF濾高頻電容，這些電容盡量靠近芯片電源引腳，其中電解電容建議采用高頻低阻材質。

7.長線端口處理（推薦）

芯片引腳需連接長線與外部通信，如UART、I2C等，則建議在該長線的MCU引腳端口附近接101電容，可有效降低長線引起的天線效應。毛刺的頻率和端口電容可參考如下：

電容的諧振頻率

8.地線處理

芯片地線盡量走直線，少回路，防止產生渦流，雙面板的地平面盡量多打過孔，有利于地勢的穩定。

芯片回路太長

芯片地回路短

雙面板地多加過孔

9.鋪地操作

尖端脈沖是由于高頻通信線引起的，則在高頻通信線附近鋪GND操作，可有效的抑制高頻通信導致導致的電磁輻射。

I2C高頻走線周圍被GND包裹

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無錫中微愛芯電子有限公司成立于2004年，是一家以集成電路設計、測試、方案開發、銷售和服務為主的高新技術企業，是工信部認定的集成電路設計企業，是國家鼓勵的重點集成電路設計企業。產品已形成MCU、LCD顯示、LED顯示、通用邏輯、信號鏈、馬達&柵驅動、功率器件、電源、音響、遙控器、通信、配套等多個系列幾千款產品，覆蓋消費電子、網通產品、工業設備、新能源、汽車電子等多個領域。