GL3213S是USB 3.0到SD3.0單LUN讀卡器控制器。 GL3213S可以支持各種類型的存儲卡,如Secure Digital TM(SD)、SDHC、mini SD和microSD(T-Flash)集成在一個芯片上。
DD3118除了在功能可以完全替代GL3213S,DD3118S還支持高密度存儲卡(容量高達2TB),如SDXC和記憶棒XC,以及高速存儲卡,SD3.0 UHS-I卡,DD3118集成了高速8051微處理器和高效硬件引擎,以實現最佳性能USB和各種存儲卡接口之間的數據傳輸性能。它還集成了3.3V至1.2V調節器和功率MOSFET,且DD3118對比GL3213S除了芯片成本具有優勢外,DD3118比GL3213S外圍器件更少,設計上面更加簡單便捷,其外圍器件比GL3213S少了十幾顆電容、電阻,使得整個方案BOM成本更低較GL3213S更具性價比。
1.DD3118與GL3213S結構框圖比較如下:
上圖是DD3118S功能框圖
上圖是GL3213S功能框圖
綜上所述:
GL3213S與DD3118S產品設計功能上都是一致的,DD3118可以完全替代GL3213S。
2.首先詳細講解一下DD3118的參數特性:
DD3118S符合通用串行總線3.0規范1.0版(USB 3.0)
符合通用串行總線規范2.0版(USB 2.0)
符合USB大容量存儲類規范1.0版
支持USB大容量存儲類批量傳輸(BOT)
支持1個設備地址和最多3個端點:控制(0)/大容量數據讀入(1)/大批量數據寫入
支持5 Gbps/超高速、480 Mbps/高速和12 Mbps/全速傳輸率
DD3118S在集成USB構建模塊方面具有:
超高速USB/USB 2.0收發器宏(UTM)、串行接口引擎(SIE)和嵌入式上電復位(POR)
嵌入式高速8051微控制器
高效的硬件DMA引擎提高了USB和閃存卡之間的數據傳輸性能接口
支持Secure Digital TM v1.0/v1.1/v2.0/SDHC/SDXC(容量高達2TB)
支持Secure Digital TM v3.0 UHS-I(超高速):SDR12/SDR25/SDR50/DDR50/SDR104
支持Secure Digital TM v5.0
DD3118S用于提供閃存介質卡電源的片上功率MOSFET具備:
片上3.3V至1.2V穩壓器
支持英特爾電源優化器
支持USB3.0 U1/U2/U3低功耗狀態
支持省電模式
支持遠程喚醒功能
支持SD供應商驅動程序的擴頻時鐘,以減少EMI影響
支持過電流保護機制
2C控制器:
支持修改VID、PID等USB信息
電源控制器:
支持V33 LDO輸出3.3V/1.1V
支持3.3V/1.8V的SD_VCC LDO輸出。
ESD保護(MM):≥200V,<400V。
ESD保護(HBM):≥4000V,<8000V。
ESD保護(CDM):≥1000V。
工作條件:
5V電壓輸入。
工作溫度:-40℃~85℃。
綜上所示:
DD3118的參數與GL3213參數特性是一致,特別的是DD3118的工作溫度要求接近產品的工業級性能, 其穩定性比GL3213S更優,在一些特殊應用場景下,DD3118比GL3213S更適合。
DD3118可以兼容電腦、平板、手機,包括蘋果 16/15 系列、iPad 以及安卓手機等,還適用于運動相機、無人機、ccd 監控等設備,能夠滿足不同用戶在多種場景下的數據傳輸需求。
3. DD3118與GL3213S芯片的封裝與管腳配置如下:
上圖是GL3213S的管腳配置
上表格是GL3213S的管腳說明
上圖是 DD3118S的管腳配置
上表格是DD3118的管腳說明
綜上所示:
DD3118與GL3213S在功能特性是一樣,且DD3118的封裝腳位是24PIN的,GL3213S的封裝腳位是28PIN的,可見在結構功能一致的情況下,DD3118腳位比GL3213S的要少,芯片集成度較GL3213S要高。
4. DD3118替代GL3213S方案的設計原理圖如下所示:
DD3118替代GL3213S設計3.0讀卡方案PCB板如下:
如上圖所示:DD3118方案外圍器件較少,整體方案BOM成本更低,更優于GL3213,且兩者BOM器件成本對比如下所示:
綜上所示:
DD3118封裝是QFN24, GL3213S封裝是QFN28 ,設計同樣一款3.0讀卡方案,GL3213S需要電容、電阻外圍器件一起要29顆,而DD3118只需要13顆,方案之精且設計簡單,不僅芯片成本較GL3213S更低,芯片外圍器件也比GL3213S少了一半。
審核編輯 黃宇
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