各位先楫的小伙伴久等了,HPMicro Manufacturing Tool 0.6.0版本正式發(fā)布啦!
該版本包含多個模塊的更新優(yōu)化,讓我們抓緊時間先睹為快!
v0.6.0 版本主要更新內(nèi)容如下:
新增:
新增 HPM6P00、HPM5E00系列SoC的燒寫及其它操作,新增 HPM6E00、HPM5E00 固件;
新增 verify-checksum 及 query-rte command 兩條命令支持;
新增燒寫并校驗功能;
新增內(nèi)存視圖標簽頁,支持內(nèi)存讀取并顯示;
新增鏡像內(nèi)存逐字節(jié)比較以及快速校驗和比較功能;
新增內(nèi)存區(qū)域擦除以及整片擦除功能;
新增量產(chǎn)命令配置鏡像文件夾燒寫功能;
OTP 標簽頁新增轉(zhuǎn)換離線燒錄器 HPMicro OBOX 配置功能;
優(yōu)化:
優(yōu)化導入導出配置,新增 HPMARC 導入導出配置類型;
優(yōu)化 OTP 寫入后讀寫校驗功能;
優(yōu)化配置量產(chǎn)包名稱及路徑參數(shù)未持久化問題;
優(yōu)化原子命令中部分長度只能輸入十進制問題;
優(yōu)化鏡像編輯部分長度參數(shù)只能輸入十進制問題;
優(yōu)化固件燒寫命令錯誤碼信息;
修復:
修復當提示存在 OTP 字未燒寫信息時,未連接的設備進入 OTP 標簽頁導致的崩潰問題;
修復導出量產(chǎn)包中文路徑亂碼問題;
修復鏡像編輯新建簽名證書密碼長度錯誤問題;
修復部分輸入框十六進制數(shù)組只能從最后刪除的問題;
部分新特性說明
1. 新增HPM6P00以及 HPM5E00系列SoC燒寫
小伙伴們久等了,在新版本中,我們加入了 HPM6P00 以及 HPM5E00 系列 SoC 的燒寫,操作流程不變,選中對應的芯片連接即可:
2. 新增verify-checksum命令及UI和命令行操作
為了解決小伙伴們苦于燒寫之后無法快速驗證燒寫正確性的問題,新版本通過加載固件擴充了 ROM 命令來解決這個問題。新版本固件支持了verify-checksum命令,該命令的作用就是幫助校驗寫入的內(nèi)容是否正確。工具的 UI 界面以及命令行均對該命令進行了封裝,下面分別來看一下。
2.1 命令行支持verify-checksum命令
我們先來看下這個命令需要的參數(shù):
-- verify-checksum [[four-byte hexadecimal array]]/
- memory_id: 0 - ILM / 1 - DLM
0x10000 - XPI0 NOR / 0x10001 - XPI1 NOR
0x30000 - SDXC0 / 0x30001 - SDXC1
該命令與write-memory命令參數(shù)類似,需要先選擇待校驗的內(nèi)存ID,ID類型如上所述,然后輸入燒寫起始地址以及帶校驗的數(shù)據(jù),校驗數(shù)據(jù)可以為四字節(jié)十六進制數(shù)組或者獨立的二進制文件。
命令運行時會對數(shù)據(jù)參數(shù)計算一個校驗和,并將該校驗和傳給 ROM 進行驗證,ROM 收到命令參數(shù)后,同樣會計算相同地址及數(shù)據(jù)長度的校驗和,并比較兩個校驗和是否相同,如果相同則驗證成功,否則驗證失敗。
2.2 UI 上verify-checksum操作入口
除了命令之外,工具也提供了 UI 上的便捷操作入口。在鏡像編輯標簽頁燒寫按鈕旁邊有個下拉選項,當設備正常連接后(固件正常加載),點擊下拉箭頭便可選擇燒寫并校驗選項,如下圖所示:
選擇后,燒寫按鈕文本便會修改為燒寫并校驗,點擊后,工具會先進行燒寫,待燒寫完畢后會對當前燒寫內(nèi)容進行校驗,校驗成功后會顯示成功日志,如下圖所示:
同時,同步到按鈕也做了同步更新,當燒寫按鈕狀態(tài)為燒寫并校驗時,點擊同步到按鈕,不僅會同步燒寫命令到量產(chǎn)命令列表,也會附加verify-checksum校驗命令,如下圖所示:
在量產(chǎn)命令列表中可以看到,write-memory命令后面追加了verify-checksum命令,代表會對當前寫入的數(shù)據(jù)進行校驗。
同時,新增量產(chǎn)命令中也單獨增加了verify-checksum的命令配置,如下所示:
該命令配置參數(shù)與命令行verify-checksum命令參數(shù)可一一對應,不再過多介紹啦。單獨添加一條校驗命令在量產(chǎn)命令列表里的展示效果如下:
考慮到校驗命令的使用場景主要為驗證燒寫的內(nèi)容,因此為了方便操作,工具在write-memory命令配置頁提供了增加校驗功能的快速入口:
當勾選了最下方的在寫完數(shù)據(jù)后驗證 checksum復選框后,在量產(chǎn)命令列表中便會生成和上方燒寫并校驗同步命令相同的write-memory & verify-checksum命令。在執(zhí)行時會先燒寫輸入,燒寫完畢后立即對燒寫數(shù)據(jù)進行校驗。
除此之外,還有一處校驗命令的入口在內(nèi)存視圖中,將由下方章節(jié)進行介紹。
3. 內(nèi)存視圖
在 v0.7.0 版本的工具中,新增了內(nèi)存視圖標簽頁,可以幫助小伙伴們快速查看、校驗以及擦除內(nèi)存數(shù)據(jù)。該標簽頁下支持獲取并顯示當前連接設備的內(nèi)存數(shù)據(jù),比較內(nèi)存和文件數(shù)據(jù)一致性以及擦除內(nèi)存等操作。但在使用前均需要對 FLASH/eMMC 進行配置,當工具檢測到 ROM 未配置當前數(shù)據(jù)時,會先彈框提示配置 FLASH/eMMC 后,當配置成功后,再繼續(xù)執(zhí)行選擇的命令,如下圖所示:
配置完成后便可以完整使用內(nèi)存視圖的功能,現(xiàn)分別進行介紹。
3.1 內(nèi)存讀取
內(nèi)存視圖支持讀取指定開始地址以及指定長度的內(nèi)存數(shù)據(jù)。使用讀取功能時,長度參數(shù)需要手動進行填寫,填寫后點擊讀取按鈕,未配置內(nèi)存時會先彈出配置對話框。配置完畢后便會將讀取內(nèi)容顯示到界面上,如下圖所示:
讀取的內(nèi)容會按照偏移地址進行顯示,每行16個字節(jié),分為左右兩部分,左邊為具體地址的十六進制值,右面對應位置為該值對應的 ASCII 碼。
3.2 鏡像比較
內(nèi)存視圖支持比較某個鏡像文件與內(nèi)存中某個內(nèi)存區(qū)域數(shù)據(jù)是否一致。工具此處提供了兩種比較方式,一種為普通的鏡像比較,即通過直接讀取內(nèi)存數(shù)據(jù)逐字節(jié)進行比較。同時也提供了快速校驗方式,該方式即為verify-checksum的另一個入口,通過計算校驗和直接判斷數(shù)據(jù)一致性。小伙伴們可以通過鏡像比較按鈕右側(cè)的下拉框來自己選擇校驗方式。
下面是采用鏡像比較的方法比對了一份不匹配數(shù)據(jù)的執(zhí)行結(jié)果,可以看到,在內(nèi)存視圖中會標識處錯誤的地址以及在日志中會顯示錯誤值。如下圖所示:
3.3 內(nèi)存擦除
小伙伴們可以點擊擦除按鈕來對當前內(nèi)存區(qū)域進行區(qū)域擦除或整片擦除。您需要通過下拉按鈕先來選擇擦除的方式。區(qū)域擦除即會對輸入的地址以及長度進行指定擦除。整片擦除將會擦除整塊內(nèi)存數(shù)據(jù),因此當選擇整塊擦除時,地址以及長度參數(shù)可以忽略。
下圖為執(zhí)行區(qū)域擦除后再次運行讀取內(nèi)存的結(jié)果:
4. 鏡像文件夾燒寫配置
在之前版本中,工具新增了導出量產(chǎn)包功能,方便小伙伴們直接分發(fā)壓縮包進行量產(chǎn)操作。但有的小伙伴希望在配置燒寫命令的時候更加靈活。比如有的小伙伴有很多鏡像,每次燒寫時想要動態(tài)選擇不同的鏡像路徑,并且不需要修改其它的燒寫參數(shù)。對于之前版本的工具,只能先修改量產(chǎn)命名列表中的write-memory命令中路徑參數(shù),然后重新分發(fā)量產(chǎn)包,這樣一頓操作下來比較費時間,因此,鏡像文件夾功能應運而生。
鏡像文件夾功能允許小伙伴們通過write-memory命令配置一個鏡像文件夾,如下圖所示:
確定選擇后,命令列表中便會顯示該文件夾以及該文件夾下一級目錄下(不包括子文件夾)對應的鏡像,如下圖所示:
當有了這個鏡像文件夾之后,每次點擊燒寫前,您都可以手動切換文件夾下單選按鈕選擇想要燒寫的鏡像,解決了每次必須手動更新write-memory命令的繁瑣。
同時,在導出量產(chǎn)包時,鏡像文件夾也會一并導出,在量產(chǎn)工具開始燒寫前,如果工具發(fā)現(xiàn)命令中包括鏡像文件夾,就會有相應提示:
該提示每次燒寫前均會提示,如果需要修改燒寫文件路徑,直接選擇是,修改路徑即可。
5. 優(yōu)化導入導出功能
在之前版本中,導入導出配置僅包含量產(chǎn)命令,不包括鏡像文件,這就導致導入配置時,您還需要手動將鏡像文件拷貝到工具根目錄,在 v0.7.0 版本中,新增了后綴為 HPMARC 的導出配置格式,該格式配置在導出時會自動檢測配置中是否包括鏡像路徑,如果包括會一并打包合成 HPMARC 文件,您在開發(fā)工具或者量產(chǎn)包導入時僅需要導入該配置文件,相應的鏡像便會自動拷貝到指定目錄,解決了手動拷貝鏡像的煩惱。
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