概述
ADuM110N是采用ADI公司 iCoupler ^?^技術的單通道數字隔離器。 該隔離器件將高速、互補金屬氧化物半導體(CMOS)與單芯片空芯變壓器技術融為一體，具有優于光耦合器件和其它集成式耦合器等替代器件的出色性能特征。 這些器件的最大傳播延遲為13 ns，在5 V下脈沖寬度失真小于3 ns。

ADuM110N支持高達150 Mbps的數據速率，可承受3.0 kV rms的電壓額定值（請參考“訂購指南”）。 該器件均可采用1.8 V至5 V電源電壓工作，與低壓系統兼容，并且能夠跨越隔離柵實現電壓轉換功能。

與其它光耦合器不同，可確保不存在輸入邏輯轉換時的直流正確性。 它們提供兩種不同的故障安全選項，輸入電源未用或輸入禁用時，輸出轉換到預定狀態。 ADuM110N與ADuM1100引腳兼容。
數據表：*附件：ADuM110N單通道數字隔離器技術手冊.pdf

應用

• 通用單通道隔離
• 工業現場總線隔離

特性

• 高共模瞬變抗擾度：100 kV/μs
• 對輻射和傳導噪聲的高抗干擾能力
• 低傳輸延遲
  • 13 ns（最大值，5 V）
  • 15 ns（最大值，1.8 V）
• 最大數據速率：150 Mbps
• 安全和法規認證
  • UL認證
    • 1分鐘3000 V rms，符合UL 1577
  • CSA元件驗收通知5A
  • VDE合格證書
    • DIN VDE V 0884-11:2017-01
    • VIORM = 565 V 峰值
  • CQC認證符合GB4943.1-2011
• 向后兼容性
  • 與[ADuM1100]引腳兼容
• 低動態功耗
• 1.8 V至5 V電平轉換
• 工作溫度最高可達：125°C
• 故障安全高或低選項
• 8引腳SOIC封裝，符合RoHS標準

框圖

引腳配置描述

典型性能特征

應用信息

概述

ADuM110N采用高頻載波，借助iCoupler芯片級變壓器線圈（線圈之間由聚酰亞胺隔離層分隔），透過隔離柵傳輸數據。它運用開關鍵控（OOK）技術以及圖9和圖10所示的差分架構，具備低傳播延遲和高速邏輯信號傳輸能力。內部穩壓器和輸入/輸出設計技術可實現從1.7V到5.5V的寬范圍電壓轉換，支持1.8V、2.5V、3.3V和5V邏輯電平。這種架構具備高共模瞬態抗擾度，以及對電噪聲和磁干擾的高抗擾能力。采用頻譜開關鍵控載波及相關技術，可最大程度降低輻射發射。

圖9展示了ADuM110N等型號的波形，在載波波形為關斷（即輸入未使能或未工作）時，故障安全輸出狀態為低電平（部分型號，如ADuM110N1，故障安全輸出為低電平）。對于故障安全輸出為高電平的型號（在型號編號中有所標注），圖10展示了載波波形關斷（輸入未使能或未工作）時，故障安全輸出為高電平的情況。具體故障安全輸出狀態（低或高），可查閱《訂購指南》。

印刷電路板（PCB）布局

ADuM110N數字隔離器的邏輯接口、電源及外部接口電路，強烈建議在輸入和輸出電源引腳處進行電源去耦（見圖8）。去耦電容最便捷的連接方式是：在引腳1（VDD1）與引腳4（VSS1）之間，以及引腳5（VDD2）與引腳8（VSS2）之間連接。去耦電容值推薦為0.01μF和0.1μF。需注意，電容兩端的總走線長度以及輸入電源引腳的走線長度不得超過10mm 。

在涉及高共模瞬態的應用中，務必使隔離柵兩側的電路板耦合降至最低。此外，要精心設計電路板布局，避免任何耦合影響特定組件側的絕對最大額定值。若未做到這一點，可能會使器件承受超出“絕對最大額定值”的電壓，進而導致器件閂鎖或永久性損壞。

如需電路板布局指南，可參考AN - 1109應用筆記 。