日前，美國商務部宣布對中興通訊采取出口管制措施，國內產業界十分關注。這一事件會不會阻礙我國高技術產業快速發展?我們如何應對各種沖擊?人民日報記者采訪了工業和信息化部有關負責人及行業專家。

出口管制不會阻礙中國高技術產業快速發展步伐

國家發改委宏觀經濟研究院常務副院長王昌林表示，美國商務部宣布對中興通訊采取出口管制措施，將對我國高技術產業發展帶來一定影響，但不會阻礙中國高技術產業快速發展步伐。

王昌林認為，這是因為中國在全球高技術產業鏈中處于重要地位。如果美國大規模限制對中國關鍵技術的出口，無疑將對中國造成影響，也勢必同時也打擊美國和日本、韓國的電子信息產業。而且，還要看到，美國等發達國家制造業主要是靠高技術制造業支撐的，如果高技術產業大幅下滑，還將影響美國相關的研發服務等行業和納斯達克等資本市場，從而對美國經濟和全球經濟產生重大影響。

我國高技術產業創新取得重要進展，具備加快做大做強的諸多優勢。王昌林分析，我國已經形成了體系完整、配套齊全、能力巨大的產業體系，并初步形成了一批創新型龍頭企業;經過多年的努力，目前我國在芯片、操作系統等領域擁有一批自主知識產權的技術和產品，并在國防軍工等領域實現規模化應用，具備了加快高技術產業做大做強的較好基礎;國內市場規模和發展潛力巨大，可依托龐大的內需推進核心技術的研發和產業化，這是其他許多國家所不具備的。

王昌林表示，實踐證明，貿易摩擦和技術壁壘難以阻礙一個國家高技術產業發展。上世紀70年代，在半導體產業領域，美國和日本爆發了多年的貿易戰，但并沒有阻礙日本半導體產業的崛起。又如，前些年美國等國家對我國光伏產業實施了“雙反”調查，也沒有阻礙我國光伏產業快速發展步伐。而且，從航空航天、碳纖維等行業看，發達國家的技術封鎖反而加快了這些行業自主創新能力的提升。

中國有條件、有能力、有辦法應對沖擊干擾

工業和信息化部部長苗圩表示，當前，我國在完善基礎設施、豐富人力資本、完備產業體系、廣闊市場空間、高效動員體制等方面形成了突出優勢。我國產業技術水平越來越接近全球前沿，整體處于技術追趕后半程，高鐵、特高壓輸變電、通信設備、網絡應用等部分領域躋身世界先進行列。

“盡管中興通訊事件暴露出我國在傳統芯片中存在短板，但我們有條件、有能力、有辦法應對創新發展過程中的沖擊和干擾。”中國電子信息產業發展研究院裝備研究所所長左世全說，我國的技術創新優勢體現在四個方面：規模雄厚的產業優勢、世界上最大的制造業需求潛力、集中力量辦大事的制度優勢和無可比擬的人才資源優勢。

工信部電子司有關負責人介紹，近年來，我國芯片設計業規模和質量穩步提升，細分領域實現較大突破，國產芯片對關鍵領域的支撐能力顯著增強，先進工藝生產線建設速度不斷加快，封裝測試業接近國際先進水平。

工信部副部長羅文指出，當前要突出抓好制造業創新中心建設，面向行業關鍵共性技術，解決行業反映突出的專用設備、材料、工藝等共性問題，跨越科技成果工程化、產業化的“死亡之谷”。羅文說，順勢而為、前瞻部署，加強戰略謀劃和統籌協調，推動互聯網、大數據、人工智能和制造業深度融合，促進先進制造業快速健康發展，我國就一定能抓住新一輪科技和產業革命的歷史機遇，中國制造業創新的道路也會越走越開闊。

我國高端芯片研制已具備基礎

十三五國家重點研發計劃“光電子與微電子器件及集成”重點專項專家組組長、中科院半導體所副所長祝寧華表示，我國近年來不間斷地支持光電子領域的科技創新，取得了豐碩的創新性成果。

祝寧華介紹，僅從“863”計劃的十二五規劃來看，國家針對寬帶通信、高性能計算機、骨干網絡、光交換、接入網、無線通信和微波光波融合等領域方向中的光電子器件進行了重點部署。“這些研發項目有很多都是前瞻布局的，中興通訊此次受到限制的所有芯片，在十二五和十三五國家研究計劃中，都有相應的部署。”

祝寧華分析，當前我國在光電子高端芯片研制上已具備基本條件。據了解，為實現自主創新發展，我國于2008年實施了國家科技重大專項“極大規模集成電路制造裝備及成套工藝”，經過9年攻關，成功打造了我國集成電路制造業創新體系。專項實施前，國內集成電路制造最先進的量產工藝為130納米，研發工藝為90納米。9年來，我國主流工藝水平提升了5代，55、40、28納米三代成套工藝研發成功并實現量產，22、14納米先導技術研發取得突破，已研制成功14納米刻蝕機、薄膜沉積等30多種高端裝備和靶材、拋光液等上百種材料產品，性能達到國際先進水平。

十三五國家重點研發計劃寬帶通信和新型網絡重點專項專家組成員、北京大學教授李紅濱表示，我國通信行業正在經歷一個從低端到高端的發展過程。“只要我們堅持已有的開放、競爭合作、共同發展道路不動搖，集中政府、研發機構、企業的優勢力量，相信用不了太久，在產業鏈高端——核心芯片上也必然會取得同樣令世人矚目的成就。”