引言

硅基 OLED 微型顯示器憑借高分辨率、高對比度等優勢，在虛擬現實、增強現實等領域應用廣泛。納米壓印技術為其制備提供了新方向，而精確測量光刻圖形是保證制備質量的關鍵，白光干涉儀在其中發揮著重要作用。

納米壓印制備硅基 OLED 微型顯示器的方法

工藝原理

納米壓印技術基于模板復制原理，通過將帶有微納圖案的模板與涂覆在基板上的軟質材料緊密接觸，在一定壓力和溫度下，使軟質材料填充模板圖案的凹陷區域，隨后脫模，將模板圖案轉移至軟質材料上，從而實現高精度圖形的復制。相較于傳統光刻技術，納米壓印技術成本低、效率高，能突破光學光刻的分辨率限制，適用于硅基 OLED 微型顯示器的微納結構制備。

制備流程

首先，準備硅基板，對其進行清洗、干燥等預處理，確?；灞砻鏉崈羝秸?。接著，在基板上旋涂一層光刻膠或其他軟質材料作為壓印介質，控制旋涂速度和時間，保證介質厚度均勻。然后，將帶有目標圖案的模板與涂覆好介質的基板對準貼合，施加壓力和溫度，使介質充分填充模板圖案。待介質固化后，小心脫模，將模板圖案完整轉移至基板上。之后，以壓印形成的圖案為掩模，通過刻蝕等工藝對基板進行處理，形成所需的微納結構，如陽極像素陣列、陰極結構等。最后，完成有機發光層、電子傳輸層等功能層的沉積與制備，組裝成硅基 OLED 微型顯示器。

白光干涉儀在光刻圖形測量中的應用

測量原理

白光干涉儀利用白光的干涉特性，將光源發出的白光經分光鏡分為兩束，一束照射待測光刻圖形表面反射回來，另一束作為參考光，兩束光相遇產生干涉條紋。根據干涉條紋的形狀、間距等信息，結合光程差與表面高度的關系，可精確計算出光刻圖形的高度、輪廓等參數。

測量優勢

白光干涉儀具備高精度、非接觸測量特性，測量精度可達納米級，能夠滿足硅基 OLED 微型顯示器微納結構的測量需求，且不會損傷脆弱的光刻圖形。其測量速度快，可實現實時在線檢測，配合專業軟件能對測量數據進行可視化處理，直觀呈現光刻圖形質量，便于及時調整制備工藝。

實際應用

在納米壓印制備硅基 OLED 微型顯示器過程中，白光干涉儀可用于測量壓印后光刻膠圖案的高度、線寬，評估圖案轉移的精度和完整性；還能檢測刻蝕后微納結構的深度、表面粗糙度等參數，確保陽極像素陣列、陰極結構等符合設計要求，為提升硅基 OLED 微型顯示器的性能提供保障。

TopMap Micro View白光干涉3D輪廓儀

一款可以“實時”動態/靜態 微納級3D輪廓測量的白光干涉儀

1)一改傳統白光干涉操作復雜的問題，實現一鍵智能聚焦掃描，亞納米精度下實現卓越的重復性表現。

2)系統集成CST連續掃描技術，Z向測量范圍高達100mm，不受物鏡放大倍率的影響的高精度垂直分辨率，為復雜形貌測量提供全面解決方案。

3）可搭載多普勒激光測振系統，實現實現“動態”3D輪廓測量。

實際案例

1，優于1nm分辨率，輕松測量硅片表面粗糙度測量，Ra=0.7nm

2，毫米級視野，實現5nm-有機油膜厚度掃描

3，卓越的“高深寬比”測量能力，實現光刻圖形凹槽深度和開口寬度測量。

審核編輯 黃宇