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LM2724A 高速 3A 同步 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

科技綠洲 ? 2025-05-21 18:16 ? 次閱讀

LM2724A 是一個(gè)雙 N 溝道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器,可以驅(qū)動(dòng)頂部和底部 MOSFET 同時(shí)采用推挽式結(jié)構(gòu)。LM2724A 接受一個(gè) logic input 并將其拆分為 兩個(gè)互補(bǔ)信號(hào),中間有一個(gè)典型的 20ns 死區(qū)時(shí)間。內(nèi)置交叉?zhèn)鲗?dǎo) 保護(hù)電路可防止頂部和底部 MOSFET 同時(shí)導(dǎo)通。使用 偏置電壓為 5V,LM2724A 的每個(gè)驅(qū)動(dòng)器的峰值拉電流和灌電流約為 3A 的。輸入 UVLO (欠壓鎖定) 確保所有驅(qū)動(dòng)器輸出保持低電平,直到 電源軌在系統(tǒng)通電期間或電源軌下降后超過(guò)通電閾值 在系統(tǒng)斷電期間,低于 power-on threshold 指定的滯后。交叉?zhèn)鲗?dǎo) 保護(hù)電路檢測(cè)兩個(gè)驅(qū)動(dòng)器輸出,直到另一個(gè)驅(qū)動(dòng)器輸出才會(huì)打開(kāi) 驅(qū)動(dòng)器輸出較低。頂部 MOSFET 所需的頂部柵極電壓通過(guò)外部 boot-strap 結(jié)構(gòu)。當(dāng)不切換時(shí),LM2724A僅從 5V 電源軌吸收高達(dá) 195μA 的電流。這 通過(guò)將 SYNC 引腳拉至 地。
*附件:lm2724a.pdf

特性

  • 擊穿保護(hù)
  • Input Under-Voltage-Lock-Out
  • 3A 峰值驅(qū)動(dòng)電流
  • 195μA 靜態(tài)電流
  • 降壓配置中的 28V 輸入電壓
  • SOIC-8 和 WSON 封裝

參數(shù)

image.png

方框圖
image.png

一、產(chǎn)品概述

LM4A是一款高速3A同步MOSFET驅(qū)動(dòng)器,適用于需要同時(shí)驅(qū)動(dòng)頂部和底部MOSFET的推挽結(jié)構(gòu)。它提供了射極跟隨保護(hù),可防止頂部和底部MOSFET同時(shí)導(dǎo)通,并具備輸入欠壓鎖定(UVLO)功能。

二、主要特性

  • ?雙N溝道MOSFET驅(qū)動(dòng)?:能夠同時(shí)驅(qū)動(dòng)頂部和底部MOSFET。
  • ?射極跟隨保護(hù)?:內(nèi)置交叉?zhèn)鲗?dǎo)保護(hù)電路,防止頂部和底部MOSFET同時(shí)導(dǎo)通。
  • ?高電流能力?:每路驅(qū)動(dòng)器的峰值驅(qū)動(dòng)電流為A。
  • ?寬輸入電壓范圍?:支持高達(dá)V的輸入電壓(在降壓配置中)。
  • ?低靜態(tài)電流?:在5V偏置電壓下,靜態(tài)電流僅為5μA。
  • ?同步操作控制?:底部MOSFET的同步操作可通過(guò)SYNC引腳進(jìn)行控制。

三、引腳描述

  • ?SW?:頂部驅(qū)動(dòng)器返回,應(yīng)連接到頂部和底部FET的公共節(jié)點(diǎn)。
  • ?HG?:頂部柵極驅(qū)動(dòng)輸出,應(yīng)連接到頂部FET的柵極。
  • ?BOOT?:自舉,接受自舉電壓以供電高側(cè)驅(qū)動(dòng)器。
  • ?IN?:接受邏輯控制信號(hào)。
  • ?SYNC?:底部柵極使能。
  • ?VCC?:連接到+V電源。
  • ?LG?:底部柵極驅(qū)動(dòng)輸出,應(yīng)連接到底部FET的柵極。
  • ?GND?:接地。

四、電氣特性

  • ?工作電壓范圍?:VCC為.V至6.8V。
  • ?欠壓鎖定?:具有上電閾值(4V)和下電閾值(.V),以及.V的遲滯電壓。
  • ?驅(qū)動(dòng)能力?:頂部和底部驅(qū)動(dòng)器的峰值拉電流和灌電流均為3.2A。
  • ?響應(yīng)時(shí)間?:快速的上升和下降時(shí)間,以及可調(diào)的死區(qū)時(shí)間,以防止射極跟隨。

五、應(yīng)用

  • ?高電流DC/DC電源供應(yīng)器?
  • ?高輸入電壓開(kāi)關(guān)調(diào)節(jié)器?
  • ?快速瞬態(tài)微處理器電源?
  • ?筆記本電腦電源?

六、封裝與尺寸

  • 提供SOIC-和WSON封裝選項(xiàng)。
  • 詳細(xì)的封裝尺寸和引腳布局信息可在數(shù)據(jù)手冊(cè)中找到。

七、熱管理

  • 提供了最大允許功耗的計(jì)算公式,以及不同封裝下的熱阻信息。
  • 用戶在設(shè)計(jì)時(shí)需要考慮熱管理,以確保器件在允許的工作溫度范圍內(nèi)運(yùn)行。

八、安全警示

  • 設(shè)備具有有限的內(nèi)置ESD保護(hù),存儲(chǔ)或處理過(guò)程中應(yīng)采取靜電防護(hù)措施。
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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