UCC23511 是一款適用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET 的光兼容單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，具有 1.5A 拉電流和 2A 灌電流峰值輸出電流以及 5.7kVRMS增強(qiáng)的隔離等級。33V 的高電源電壓范圍允許使用雙極電源來有效驅(qū)動(dòng) IGBT 和 SiC 功率 FET。UCC23511 可以驅(qū)動(dòng)低側(cè)和高側(cè)功率 FET。與基于標(biāo)準(zhǔn)光耦合器的柵極驅(qū)動(dòng)器相比，主要特性和特性帶來了顯著的性能和可靠性提升，同時(shí)在原理圖和布局設(shè)計(jì)中保持了引腳對引腳的兼容性。性能亮點(diǎn)包括高共模瞬態(tài)抗擾度 （CMTI）、低傳播延遲和小脈寬失真。嚴(yán)格的過程控制會導(dǎo)致較小的零件間偏差。輸入級是模擬二極管 （ediode），與傳統(tǒng) LED 相比，這意味著長期可靠性和出色的老化特性。它采用爬電距離和間隙為 >8.5mm 的拉伸 SO6 封裝，以及具有相對漏電起痕指數(shù) （CTI） >600V 的 I 組材料模塑料。UCC23511 的高性能和可靠性使其成為所有類型的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、太陽能逆變器、工業(yè)電源和電器的理想選擇。更高的工作溫度為傳統(tǒng)光耦合器以前無法支持的應(yīng)用提供了機(jī)會。
*附件：ucc23511.pdf

特性

• 5.7kV 電壓RMS具有光兼容輸入的單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器
• 引腳對引腳、直接升級，適用于光電隔離柵極驅(qū)動(dòng)器
• 1.5A 拉電流/2A 灌電流，峰值輸出電流
• 最大 33V 輸出驅(qū)動(dòng)器電源電壓
• 8V （B） 或 12V VCC UVLO 選項(xiàng)
• 軌到軌輸出
• 105ns（最大值）傳播延遲
• 25ns（最大值）器件間延遲匹配
• 35ns（最大值）脈寬失真
• 150kV/μs（最小值）共模瞬態(tài)抗擾度 （CMTI）
• 隔離柵壽命 >50 年
• 輸入級上的 13V 反極性電壓處理能力，支持互鎖
• 具有 >8.5mm 爬電距離和間隙的加長 SO-6 封裝
• 工作結(jié)溫，T J ： –40°C 至 +150°C
• 安全相關(guān)認(rèn)證（計(jì)劃）：
  • 5.7kV 電壓RMS隔離 1 分鐘，符合 UL 1577 標(biāo)準(zhǔn)
  • 8000 伏PK符合 DIN V VDE V0884-11：2017-01 的增強(qiáng)隔離
  • 符合 GB4943.1-2011 的 CQC 認(rèn)證

參數(shù)

一、產(chǎn)品概述

UCC1是一款高性能的單通道隔離門驅(qū)動(dòng)器，專為IGBT、MOSFET和SiC MOSFET設(shè)計(jì)。它采用光耦兼容輸入，具有5.7-kV RMS的隔離電壓，支持高達(dá)V的輸出驅(qū)動(dòng)電壓，并提供1.5A源電流和A漏電流。

二、主要特性

• ?高性能隔離?：5.7-kV RMS隔離電壓，支持高電壓應(yīng)用。
• ?高輸出電流?：.A源電流，2A漏電流，滿足大功率驅(qū)動(dòng)需求。
• ?寬電壓范圍?：輸出驅(qū)動(dòng)電壓最高可達(dá)V，支持雙極電源配置。
• ?低延遲?：最大ns的傳播延遲，適用于高速開關(guān)應(yīng)用。
• ?高CMTI?：-kV/μs的最小共模瞬態(tài)抑制比（CMTI），增強(qiáng)抗干擾能力。
• ?可靠性高?：采用模擬二極管（e-diode）輸入，相比傳統(tǒng)光耦具有更高的可靠性和更長的使用壽命。
• ?小型封裝?：拉伸SO-封裝，具有>8.5mm的爬電距離和電氣間隙，滿足緊湊設(shè)計(jì)要求。

三、應(yīng)用領(lǐng)域

• 工業(yè)電機(jī)控制驅(qū)動(dòng)器
• 工業(yè)電源和UPS
• 太陽能逆變器
• 感應(yīng)加熱

四、功能描述

• ?電源管理?：支持寬范圍的輸出供電電壓（4V至3V），并具有欠壓鎖定（UVLO）功能，保護(hù)驅(qū)動(dòng)器免受欠壓影響。
• ?輸入級?：采用模擬二極管（e-diode）輸入，無需光發(fā)射，提高了可靠性和穩(wěn)定性。
• ?輸出級?：具有強(qiáng)大的驅(qū)動(dòng)能力，包括一個(gè)P-channel MOSFET和一個(gè)額外的N-channel MOSFET并聯(lián)的拉高結(jié)構(gòu)，以及一個(gè)N-channel MOSFET的拉低結(jié)構(gòu)。
• ?保護(hù)功能?：包括欠壓鎖定（UVLO）、活動(dòng)下拉、短路鉗位等，確保驅(qū)動(dòng)器的安全可靠運(yùn)行。
• ?隔離屏障?：采用電容性隔離技術(shù)，提供增強(qiáng)的隔離性能和卓越的CMTI。

五、典型應(yīng)用

文檔提供了UCC1在驅(qū)動(dòng)IGBT的典型應(yīng)用電路，包括設(shè)計(jì)要求、詳細(xì)設(shè)計(jì)步驟、功率損耗計(jì)算和布局指南。

六、電源推薦

為確?？煽窟\(yùn)行，建議在VCC和VEE之間使用合適的旁路電容，并根據(jù)應(yīng)用需求選擇適當(dāng)?shù)腣CC和VEE電壓值。對于需要隔離電源的應(yīng)用，文檔還提供了使用變壓器驅(qū)動(dòng)器的建議。

七、布局指南

• ?組件放置?：旁路電容應(yīng)盡可能靠近VCC和VEE引腳放置，以減小電源噪聲。
• ?接地考慮?：限制高峰值電流充電和放電的晶體管柵極到最小物理區(qū)域，以減小環(huán)路電感并最小化噪聲。
• ?高壓考慮?：確保隔離性能，避免在驅(qū)動(dòng)器下方放置任何PCB走線或銅層。
• ?熱考慮?：優(yōu)化PCB布局以消散熱量，降低結(jié)到板的熱阻抗。