適用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET 的光兼容、單通道、隔離式柵極驅動器,具有 4.5A 的拉電流和 5.3A 的灌電流峰值輸出電流和 5.7kVRMS隔離等級。33V 的高電源電壓范圍允許使用雙極電源來有效驅動 IGBT 和 SiC 功率 FET。可以驅動低側和高側功率 FET,與基于光耦合器的柵極驅動器相比,FET 帶來了顯著的性能和可靠性升級,同時在原理圖和布局設計中保持了引腳對引腳的兼容性。性能亮點包括高共模瞬態抗擾度 (CMTI)、低傳播延遲和小脈寬失真。嚴格的過程控制會導致較小的零件間偏差。輸入級是模擬二極管 (e-diode),與傳統 LED 相比,這意味著長期可靠性和出色的老化特性。IGH 性能和可靠性非常適合用于所有類型的電機驅動器。更高的工作溫度為傳統光耦合器不支持的應用提供了機會。
*附件:ucc23513.pdf
特性
- 具有光兼容輸入的單通道隔離式柵極驅動器
- 引腳對引腳、直接升級,適用于光電隔離柵極驅動器
- 峰值輸出電流
- 14V 至 33V 輸出驅動器電源電壓
- 8V (B) 和 12VCC UVLO 選項
- 軌到軌輸出
- 105ns(最大值)傳播延遲
- 25ns(最大值)器件間延遲匹配
- 35ns(最大值)脈寬失真
- 150kV/μs(最小值)共模瞬態抗擾度 (CMTI)
- 隔離柵壽命 >50 年
- 輸入級具有 13V 反極性電壓處理能力
- 具有 >8.5mm 爬電距離和間隙的加長 SO-6 封裝
- 工作結溫,T
J: –40°C 至 +150°C - 安全相關認證:
- 8000 伏
PK符合 DIN V VDE V0884-11:2017-01 的增強隔離 - 5.7kV 電壓
RMS隔離 1 分鐘,符合 UL 1577 標準 - 符合 GB4943.1-2011 的 CQC 認證
- 8000 伏
參數
一、產品概述
UCC3是一款高性能的單通道隔離門驅動器,專為IGBT、MOSFET和SiC MOSFET設計。該驅動器具有.-kV RMS的隔離評級,適用于工業電機控制、工業電源、UPS和太陽能逆變器等應用。UCC3采用光耦兼容輸入,提供4.5-A源電流和5.3-A漏電流,并支持高達-V的輸出驅動電壓。
二、主要特性
- ?高隔離電壓?:.-kV RMS隔離電壓,符合UL 7和CQC認證標準。
- ?寬輸出電壓范圍?:支持4-V至-V的輸出驅動電壓,適用于雙極電源配置。
- ?高性能?:低傳播延遲(最大5 ns)、小脈沖寬度失真(最大5 ns)和高共模瞬態免疫(CMTI)能力(最小0 kV/μs)。
- ?高可靠性?:采用模擬二極管(e-diode)輸入階段,提供長期可靠性和優異的老化特性。
- ?光耦兼容?:提供與標準光耦隔離門驅動器的引腳對引腳兼容性。
- ?操作溫度范圍廣?:結溫范圍為-0°C至+°C。
三、應用領域
- 工業電機控制驅動器
- 工業電源和UPS
- 太陽能逆變器
- 感應加熱
四、功能描述
- ?輸入階段?:采用e-diode輸入,無需外部電源,提供穩定的輸入電流和電壓特性。
- ?輸出階段?:具有混合拉高結構,結合P溝道MOSFET和N溝道MOSFET,提供強大的源電流能力。拉低結構由N溝道MOSFET實現,確保快速關斷。
- ?保護功能?:包括欠壓鎖定(UVLO)、有源下拉和短路鉗位,保護功率半導體免受損壞。
- ?增強型隔離?:采用SiO電容隔離技術,提供增強的電氣隔離和優異的CMTI性能。
五、典型應用
文檔提供了UCC3在驅動IGBT時的典型應用電路,包括設計要求和詳細設計步驟。設計步驟包括選擇輸入電阻、門驅動器輸出電阻、估計門驅動器功率損耗和估算結溫等。
六、電源推薦
- 推薦使用4-V至-V的輸出供電電壓(Vcc),并需要在Vcc和Vee引腳之間連接旁路電容以支持高峰值電流。
七、布局指南
- ?組件放置?:旁路電容應盡可能靠近Vcc和Vee引腳,以減少噪聲和支持高峰值電流。
- ?接地考慮?:限制高峰值電流充電和放電的晶體管柵極到最小物理區域,以減小環路電感和最小化晶體管柵極上的噪聲。
- ?高壓隔離?:確保隔離屏障下方沒有PCB走線或銅層,以防止污染并確保隔離性能。
- ?熱考慮?:增加連接到Vcc和Vee引腳的PCB銅層,以提高熱傳導性。
八、文檔支持
文檔提供了詳細的規格表、電氣特性、開關特性、典型特性曲線、參數測量信息、應用指南、布局示例、PCB材料推薦、機械包裝和可訂購信息。此外,還提供了設備支持資源鏈接、相關文檔、接收文檔更新通知的方法、社區資源、靜電放電注意事項和術語表等。
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