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TPS7H6003-SP 抗輻射 QMLV 200V 半橋 GaN 柵極驅動器數據手冊

科技綠洲 ? 2025-05-15 18:14 ? 次閱讀

TPS7H60x3-SP 系列抗輻射保證 (RHA) 氮化鎵 (GaN) 場效應晶體管 (FET) 柵極驅動器專為高頻、高效率應用而設計。該系列包括 TPS7H6003-SP(額定電壓 200V)、TPS7H6013-SP(額定電壓 60V)和 TPS7H6023-SP(額定電壓 22V)。驅動器具有可調死區時間能力、30ns 的小傳播延遲以及 5.5ns 的高側和低側匹配。這些器件還包括內部高壓側和低壓側 LDO,無論電源電壓如何,都能確保 5V 的驅動電壓。TPS7H60x3-SP 驅動器均具有分離柵極輸出,可靈活地獨立調整輸出的導通和關斷強度。
*附件:tps7h6003-sp.pdf

TPS7H60x3-SP 驅動器具有兩種控制輸入模式:獨立輸入模式 (IIM) 和 PWM 模式。在 IIM 中,每個輸出都由專用輸入控制。在 PWM 模式下,單個輸入產生兩個互補輸出信號,用戶可以調整每個邊沿的死區時間。

柵極驅動器還在獨立輸入模式下提供用戶可配置的輸入互鎖,作為防擊穿保護。當兩個輸入同時打開時,輸入互鎖不允許兩個輸出打開。用戶可以選擇在獨立輸入模式下啟用或禁用此保護,這允許驅動器在許多不同的轉換器配置中使用。這些驅動器還可用于半橋和雙低側轉換器應用。

特性

  • 輻射性能:
    • 抗輻射強度 (RHA) 高達 100krad(Si) 的總電離劑量 (TID)
    • 單粒子閂鎖 (SEL)、單粒子燃盡 (SEB) 和單粒子柵極破裂 (SEGR) 不受線性能量轉移 (LET) 的影響 = 75MeV-cm2/mg
    • 單粒子瞬態 (SET) 和單粒子功能中斷 (SEFI) 的特性高達 LET = 75MeV-cm2/mg
  • 1.3A 峰值拉電流,2.5A 峰值灌電流
  • 兩種作模式:
    • 具有可調死區時間的單個 PWM 輸入
    • 兩個獨立的輸入
  • 獨立輸入模式下的可選輸入互鎖保護
  • 用于可調開啟和關閉時間的分離輸出
  • 獨立輸入模式下 30ns 的典型傳播延遲
  • 5.5ns 典型延遲匹配

參數
image.png

方框圖

image.png

一、產品概述

  • ?產品名稱?:TPSH3-SP
  • ?類型?:輻射硬度保證(RHA)半橋GaN FET柵極驅動器
  • ?特性?:專為高頻、高效率應用設計,具有可調死區時間、小傳播延遲和高側/低側匹配特性

二、主要特性

  • ?輻射性能?:
    • 輻射硬度保證(RHA)至總電離劑量(TID)krad(Si)
    • 對單粒子閂鎖(SEL)、單粒子燒毀(SEB)、單粒子柵極擊穿(SEGR)免疫,線性能量轉移(LET)=MeV-cm2/mg
    • 單粒子瞬態(SET)和單粒子功能中斷(SEFI)特性至LET=MeV-cm2/mg
  • ?電氣性能?:
    • 峰值源電流:.A
    • 峰值沉電流:.A
    • 兩種操作模式:單PWM輸入模式(可調死區時間)和雙獨立輸入模式
    • 可選輸入互鎖保護(獨立輸入模式)
    • 分裂輸出,可調開通和關斷時間
    • 典型傳播延遲:0ns(獨立輸入模式)
    • 延遲匹配:5.5ns(高側到低側)

三、應用領域

四、電氣特性

  • ?供電電壓?:VIN范圍V至V
  • ?內部線性穩壓器?:高側和低側5V穩壓器,確保柵極驅動電壓穩定
  • ?死區時間?:通過外部電阻可調,防止半橋配置中的直通
  • ? 欠壓鎖定(UVLO) ?:保護內部穩壓器和VIN免受低電壓影響
  • ? 電源良好(PGOOD) ?:指示內部穩壓器和VIN的UVLO狀態

五、功能描述

  • ?操作模式?:
    • ?PWM模式?:單個PWM輸入生成互補輸出信號,用于同步降壓轉換器
    • ? 獨立輸入模式(IIM) ?:兩個獨立輸入分別控制高側和低側輸出,支持輸入互鎖保護
  • ?內部開關?:用于半橋配置的自舉電容充電,減少反向恢復損失
  • ?保護特性?:包括輸入欠壓鎖定、電源良好指示和可選的輸入互鎖保護

六、應用與實現

  • ?典型應用?:同步降壓轉換器
  • ?設計考慮?:
    • 自舉電容和旁路電容的選取
    • 柵極電阻的選取,以調節開關速度和減少振鈴
    • 布局指導,以最小化寄生電感和電容

七、封裝與尺寸

  • ?封裝類型?:引腳陶瓷扁平封裝(CFP)
  • ?尺寸?:.8mm x .4mm,質量2.2g

八、文檔與支持

  • ?相關文檔?:包括TPS7HEVM-CVAL評估模塊用戶指南、輻射效應報告等
  • ?支持資源?:TI E2E支持論壇、文檔更新通知、貿易標記信息等

該文檔詳細描述了TPSH3-SP輻射硬度保證半橋GaN FET柵極驅動器的技術規格、電氣特性、功能描述、應用領域、設計考慮、封裝尺寸以及相關的文檔和支持資源。該驅動器適用于需要高頻率、高效率以及強輻射硬度的空間應用。

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
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