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TPS7H6013-SP 抗輻射 QMLV 60V 半橋 GaN 柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

科技綠洲 ? 2025-05-15 17:36 ? 次閱讀

TPS7H60x3-SP 系列抗輻射保證 (RHA) 氮化鎵 (GaN) 場效應(yīng)晶體管 (FET) 柵極驅(qū)動器專為高頻、高效率應(yīng)用而設(shè)計。該系列包括 TPS7H6003-SP(額定電壓 200V)、TPS7H6013-SP(額定電壓 60V)和 TPS7H6023-SP(額定電壓 22V)。驅(qū)動器具有可調(diào)死區(qū)時間能力、30ns 的小傳播延遲以及 5.5ns 的高側(cè)和低側(cè)匹配。這些器件還包括內(nèi)部高壓側(cè)和低壓側(cè) LDO,無論電源電壓如何,都能確保 5V 的驅(qū)動電壓。TPS7H60x3-SP 驅(qū)動器均具有分離柵極輸出,可靈活地獨立調(diào)整輸出的導(dǎo)通和關(guān)斷強度。
*附件:tps7h6013-sp.pdf

TPS7H60x3-SP 驅(qū)動器具有兩種控制輸入模式:獨立輸入模式 (IIM) 和 PWM 模式。在 IIM 中,每個輸出都由專用輸入控制。在 PWM 模式下,單個輸入產(chǎn)生兩個互補輸出信號,用戶可以調(diào)整每個邊沿的死區(qū)時間。

柵極驅(qū)動器還在獨立輸入模式下提供用戶可配置的輸入互鎖,作為防擊穿保護。當兩個輸入同時打開時,輸入互鎖不允許兩個輸出打開。用戶可以選擇在獨立輸入模式下啟用或禁用此保護,這允許驅(qū)動器在許多不同的轉(zhuǎn)換器配置中使用。這些驅(qū)動器還可用于半橋和雙低側(cè)轉(zhuǎn)換器應(yīng)用。

特性

  • 輻射性能:
    • 抗輻射強度 (RHA) 高達 100krad(Si) 的總電離劑量 (TID)
    • 單粒子閂鎖 (SEL)、單粒子燃盡 (SEB) 和單粒子?xùn)艠O破裂 (SEGR) 不受線性能量轉(zhuǎn)移 (LET) 的影響 = 75MeV-cm2/mg
    • 單粒子瞬態(tài) (SET) 和單粒子功能中斷 (SEFI) 的特性高達 LET = 75MeV-cm2/mg
  • 1.3A 峰值拉電流,2.5A 峰值灌電流
  • 兩種作模式:
    • 具有可調(diào)死區(qū)時間的單個 PWM 輸入
    • 兩個獨立的輸入
  • 獨立輸入模式下的可選輸入互鎖保護
  • 用于可調(diào)開啟和關(guān)閉時間的分離輸出
  • 獨立輸入模式下 30ns 的典型傳播延遲
  • 5.5ns 典型延遲匹配

參數(shù)
image.png

方框圖
image.png

一、產(chǎn)品概述

  • ?產(chǎn)品名稱?:TPSH-SP
  • ?類型?:輻射硬化保證(RHA)的GaN FET半橋柵極驅(qū)動器
  • ?應(yīng)用?:空間衛(wèi)星電源供應(yīng)、通信有效載荷、命令與數(shù)據(jù)處理、光學成像有效載荷等

二、主要特性

  • ?輻射性能?:
    • 總電離劑量(TID)保證高達krad(Si)
    • 對單粒子閂鎖(SEL)、單粒子燒毀(SEB)、單粒子?xùn)艠O擊穿(SEGR)免疫
    • 單事件瞬態(tài)(SET)和單事件功能中斷(SEFI)特性高達LET = MeV-cm2/mg
  • ?驅(qū)動能力?:
    • 峰值源電流.A
    • 峰值沉電流.A
  • ?操作模式?:
    • 單PWM輸入,可調(diào)死區(qū)時間
    • 兩個獨立輸入
  • ?保護特性?:
    • 可選輸入互鎖保護
    • 分裂輸出,可調(diào)開通和關(guān)斷時間
    • ns典型傳播延遲
    • .ns典型延遲匹配

三、電氣特性

  • ?輸入電壓范圍?:V至V
  • ?內(nèi)部線性穩(wěn)壓器?:
    • BPL和BPL提供V和V輸出
    • BPH提供V輸出用于高側(cè)柵極驅(qū)動
  • ? 欠壓鎖定(UVLO) ?:多個內(nèi)部和外部電源具有UVLO保護
  • ? 功率好(PGOOD) ?:指示低側(cè)內(nèi)部線性穩(wěn)壓器或VIN是否進入欠壓鎖定

四、功能描述

  • ?自舉操作?:支持多種自舉電容充電方式,包括通過內(nèi)部自舉開關(guān)和外部直接VIN充電
  • ?死區(qū)時間?:在PWM模式下,通過外部電阻設(shè)置高側(cè)和低側(cè)輸出之間的死區(qū)時間
  • ?輸入互鎖保護?:在獨立輸入模式下,防止高側(cè)和低側(cè)同時開通,防止直通

五、應(yīng)用信息

  • ?典型應(yīng)用?:同步降壓轉(zhuǎn)換器、全橋拓撲等
  • ?設(shè)計注意事項?:
    • 自舉電容和旁路電容的選取和放置
    • 柵極電阻的選取,以調(diào)節(jié)開通和關(guān)斷速度并抑制振鈴
    • 死區(qū)時間的設(shè)置,以防止交叉導(dǎo)通

六、封裝與尺寸

  • ?封裝類型?:引腳陶瓷扁平封裝(CFP)
  • ?尺寸?:.mm x .mm(體尺寸),不包括引腳

七、文檔與支持

  • ?相關(guān)文檔?:包括評估模塊用戶指南、單事件效應(yīng)輻射報告、總電離劑量輻射報告等
  • ?支持資源?:TI EE支持論壇、商標信息、靜電放電(ESD)警告等

該文檔詳細描述了TPSH-SP輻射硬化保證的GaN FET半橋柵極驅(qū)動器的技術(shù)規(guī)格、電氣特性、功能描述、應(yīng)用信息、封裝尺寸以及相關(guān)的文檔和支持資源。該驅(qū)動器適用于需要高輻射性能保證的空間應(yīng)用。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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