文章來源：學(xué)習(xí)那些事

原文作者：小陳婆婆

本文介紹了什么是X射線光刻

隨著極紫外光刻（EUV）技術(shù)面臨光源功率和掩模缺陷挑戰(zhàn)，X射線光刻技術(shù)憑借其固有優(yōu)勢(shì)，在特定領(lǐng)域正形成差異化競(jìng)爭(zhēng)格局。

接近式X射線光刻

X射線光刻掩模版

投影式X射線光刻

接近式X射線光刻

X射線光刻作為下一代微納加工技術(shù)的關(guān)鍵方向，其核心優(yōu)勢(shì)在于利用波長(zhǎng)僅1nm量級(jí)的X射線（能量范圍1~10 keV）實(shí)現(xiàn)超精細(xì)圖案化。

與傳統(tǒng)光學(xué)光刻不同，X射線的短波長(zhǎng)特性使其衍射效應(yīng)可忽略不計(jì)，理論上可突破光學(xué)衍射極限，為3nm及以下節(jié)點(diǎn)芯片制造提供解決方案。

一、X射線源技術(shù)體系

當(dāng)前主流X射線源包含四大技術(shù)路線：

電子碰撞源（占比約70%應(yīng)用）

原理：高能電子束轟擊鎢/鉬等難熔金屬靶材，通過內(nèi)殼層電子躍遷產(chǎn)生特征X射線，同步伴隨韌致輻射形成連續(xù)譜

特點(diǎn)：設(shè)備成熟度高，但存在靶材熱負(fù)載問題（鎢熔點(diǎn)3422℃）

激光等離子體源

機(jī)制：高功率激光聚焦產(chǎn)生高溫等離子體（溫度達(dá)106 K），通過軔致輻射和線輻射復(fù)合產(chǎn)生X射線

優(yōu)勢(shì)：脈沖式輸出，峰值亮度可達(dá)1012W/cm2

放電等離子體源

結(jié)構(gòu)：通過脈沖氣體放電形成Z箍縮等離子體，適用于大面積均勻輻射

應(yīng)用場(chǎng)景：平板顯示器修復(fù)領(lǐng)域

同步加速器光源

特性：基于相對(duì)論電子在磁場(chǎng)中偏轉(zhuǎn)產(chǎn)生的同步輻射，具有高準(zhǔn)直性和偏振特性

局限：設(shè)備體積龐大（北京同步輻射裝置周長(zhǎng)240m），僅限實(shí)驗(yàn)室使用

二、接近式X射線光刻系統(tǒng)架構(gòu)

系統(tǒng)構(gòu)成三要素：

輻射單元：電子碰撞源為核心組件，需配置鈹窗（厚度0.1-0.5mm）實(shí)現(xiàn)真空隔離

光路系統(tǒng)：采用1:1成像架構(gòu)，典型配置參數(shù)

工作距離D：1m（光闌至掩模間距）

間隙G：25μm（掩模與晶圓間距）

環(huán)境控制：充氦氣（壓力<100Pa）或真空腔體（<10-4Pa）

工件臺(tái)系統(tǒng)

步進(jìn)式運(yùn)動(dòng)機(jī)構(gòu)（精度±50nm）

掩模-晶圓對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)（采用莫爾條紋技術(shù)，對(duì)準(zhǔn)精度<100nm）

三、接近式曝光工藝優(yōu)化

性能提升路徑

光源優(yōu)化：

采用多極磁聚焦電子槍，將電子束斑尺寸壓縮至50μm以下

實(shí)施脈沖式曝光（脈寬<1μs），降低熱負(fù)載效應(yīng)

掩模技術(shù)突破

開發(fā)鉭基吸收體（Ta/TaN多層膜），實(shí)現(xiàn)20:1線寬比

應(yīng)用應(yīng)力補(bǔ)償層（SiNx/SiO2復(fù)合膜），控制膜層翹曲<5μm

環(huán)境控制創(chuàng)新

氦氣純度控制：H2O含量<1ppm，避免X射線吸收

振動(dòng)隔離：采用主動(dòng)阻尼平臺(tái)，振動(dòng)幅值<0.1nm（1-100Hz）

四、行業(yè)應(yīng)用展望

當(dāng)前接近式X射線光刻系統(tǒng)已在以下領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)產(chǎn)業(yè)化突破：

先進(jìn)封裝：TSV轉(zhuǎn)接板加工（線寬/間距<1μm）

MEMS器件：加速度計(jì)彈簧結(jié)構(gòu)制作（厚度變異<2%）

光子芯片：硅基波導(dǎo)刻蝕（側(cè)壁粗糙度<5nm）

X射線光刻掩模版

一、基底材料選擇：低Z元素薄膜的必然性

X射線光刻掩模版的基底材料選擇遵循獨(dú)特的光學(xué)定律：由于X射線穿透性與材料原子序數(shù)（Z值）呈負(fù)相關(guān)，低Z元素薄膜成為唯一可行方案。

典型材料體系包含三大方向：

氮化硅（Si?N?）體系

優(yōu)勢(shì)：與硅基底工藝兼容性優(yōu)異，LPCVD制備溫度可控制在700-850℃

局限：硬度（HV≈15GPa）低于碳化硅，抗輻射劑量閾值約5×10? rad

碳化硅（SiC）體系

特性：硬度達(dá)HV≈28GPa，熱導(dǎo)率490 W/(m·K)，在10 keV X射線處吸收系數(shù)僅0.03 cm?1

突破：采用化學(xué)氣相沉積（CVD）結(jié)合高溫石墨基座，實(shí)現(xiàn)單晶4H-SiC外延生長(zhǎng)

金屬薄膜體系

鎢（W）方案：在5 keV處吸收系數(shù)0.35 cm?1，但熱膨脹系數(shù)（4.5×10??/K）與硅差異顯著

金（Au）方案：作為應(yīng)急替代方案，需配合鈦（Ti）粘附層使用

二、吸收層薄膜制備工藝：應(yīng)力控制的精密工程

吸收層薄膜制備的核心挑戰(zhàn)在于多層膜應(yīng)力管理，典型工藝流程包含：

低壓化學(xué)氣相淀積（LPCVD）

參數(shù)優(yōu)化：在650℃下，通過調(diào)節(jié)SiH?/NH?比例（從1:3到1:10），實(shí)現(xiàn)薄膜壓應(yīng)力從-200 MPa至+150 MPa的調(diào)控

創(chuàng)新技術(shù)：采用等離子體增強(qiáng)CVD（PECVD）在250℃低溫制備氮化硅，殘余應(yīng)力控制在±50 MPa以內(nèi)

摻雜選擇性刻蝕技術(shù)

實(shí)施步驟：在硅基底背面注入硼離子（能量150 keV，劑量5×101? cm?2），形成1μm厚的重?fù)诫s層（電阻率<0.01 Ω·cm）

刻蝕優(yōu)勢(shì)：利用TMAH溶液（25wt%，80℃）實(shí)現(xiàn)硅與重?fù)诫s層刻蝕速率比達(dá)400:1

三、掩模版制作工藝流程：雙工藝路徑解析

復(fù)雜工藝流程：

多層膜堆疊

基底：2μm LPCVD Si?N?/Si(100)

功能層：500nm Ta/Au（Ta 50nm粘附層，Au 450nm吸收層）

硬掩膜：200nm Cr

光刻膠：10μm AZP 1350（正膠）

圖形轉(zhuǎn)移關(guān)鍵步驟

反應(yīng)離子刻蝕（RIE）參數(shù)：CF?/O?=4:1，功率300W，壓強(qiáng)50mTorr，實(shí)現(xiàn)Cr:AZP選擇比>5:1

電鍍工藝：采用亞硫酸金鈉體系，電流密度0.5A/dm2，獲得純度99.99%的金圖形

簡(jiǎn)化工藝流程

技術(shù)瓶頸：鎢刻蝕需解決CF?/SF?混合氣體對(duì)Si?N?基底的攻擊問題，當(dāng)前最佳選擇比（W:Si?N?）僅15:1

突破方向：開發(fā)Cl?/BCl?基氣體組合，在100℃低溫下實(shí)現(xiàn)W:Si?N?選擇比提升至40:1

四、圖形畸變控制：多維誤差補(bǔ)償策略

四大畸變?cè)醇敖鉀Q方案：

電子束直寫誤差

補(bǔ)償技術(shù)：采用鄰近效應(yīng)校正（PEC）算法，結(jié)合蒙特卡洛模擬，將50kV電子束散射范圍控制在<30nm

壓緊不均勻性

機(jī)械優(yōu)化：采用氣浮式壓緊裝置，通過壓力反饋控制實(shí)現(xiàn)面內(nèi)壓力波動(dòng)<0.5%

薄膜應(yīng)力失配

應(yīng)力平衡設(shè)計(jì)：在吸收層下方引入50nm SiO?應(yīng)力補(bǔ)償層，使總應(yīng)力控制在±20 MPa以內(nèi)

熱膨脹差異

材料配對(duì)：選擇熱膨脹系數(shù)匹配的Ta（6.3×10??/K）與Si（2.6×10??/K），通過金屬間化合物形成梯度過渡層

五、基底層減薄技術(shù)：透明度與機(jī)械強(qiáng)度的博弈

納米多孔硅技術(shù)

制備工藝：電化學(xué)陽(yáng)極腐蝕形成孔隙率50%的多孔硅層，彈性模量從190GPa降至10GPa

強(qiáng)化措施：表面滲碳處理（1000℃，甲烷氣氛），形成3μm厚SiC保護(hù)層

復(fù)合支撐結(jié)構(gòu)

結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)：采用直徑200mm的石墨環(huán)支撐，配合鈦合金銷釘定位，實(shí)現(xiàn)基底有效厚度減至50μm

性能指標(biāo)：在1g加速度下，面形精度（PV值）保持<50nm

六、行業(yè)應(yīng)用與技術(shù)前沿

典型應(yīng)用場(chǎng)景

先進(jìn)封裝：2.5D轉(zhuǎn)接板TSV加工（孔徑<2μm，深寬比>10:1）

MEMS器件：諧振式壓力傳感器彈簧結(jié)構(gòu)（線寬變異系數(shù)<1%）

光子集成電路：氮化硅波導(dǎo)刻蝕（側(cè)壁粗糙度Ra<2nm）

技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)

極紫外兼容性：開發(fā)TaN/Ru多層膜，實(shí)現(xiàn)X射線/EUV雙模掩模版

智能掩模技術(shù)：集成壓電薄膜傳感器，實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)圖形變形量

自修復(fù)材料：探索形狀記憶合金基底，通過局部加熱實(shí)現(xiàn)亞微米級(jí)形變校正

X射線光刻掩模版技術(shù)正處于材料創(chuàng)新與工藝突破的交匯點(diǎn)，通過跨學(xué)科技術(shù)融合，正在開辟超越傳統(tǒng)光學(xué)光刻的新維度。隨著5nm以下節(jié)點(diǎn)技術(shù)的推進(jìn)，掩模版技術(shù)將從單純圖形載體演變?yōu)橹悄芑墓饪滔到y(tǒng)核心組件。

投影式X射線光刻

一、系統(tǒng)架構(gòu)與工作原理

投影式X射線光刻系統(tǒng)采用全反射式光學(xué)架構(gòu)，其核心設(shè)計(jì)邏輯源于X射線與物質(zhì)的相互作用特性。

系統(tǒng)光路可分解為四大模塊：

等離子體X射線源

激發(fā)機(jī)制：采用受激準(zhǔn)分子激光（如XeCl，308nm）轟擊液態(tài)錫靶，產(chǎn)生13.5nm波長(zhǎng)的EUV輻射

脈沖特性：重復(fù)頻率50kHz，單脈沖能量達(dá)5mJ/cm2，實(shí)現(xiàn)125W平均功率輸出

聚光與照明系統(tǒng)

多層膜反射鏡：采用40對(duì)Mo/Si周期結(jié)構(gòu)，每層厚度精確控制在6.9nm（Mo）和4.2nm（Si）

掠入射角設(shè)計(jì)：入射角控制在15°，實(shí)現(xiàn)X射線收集效率最大化

反射式掩模版

基底材料：采用熱導(dǎo)率優(yōu)異的超低膨脹玻璃（ULE，CTE<10??/K）

吸收層結(jié)構(gòu)：60nm TaN薄膜（EUV波段吸收率>95%），表面粗糙度Ra<0.2nm

球面成像反射鏡組

四鏡系統(tǒng)：采用Wolter型非球面設(shè)計(jì)，表面誤差PV值<0.5nm

數(shù)值孔徑：NA=0.3，實(shí)現(xiàn)0.1μm分辨率下的景深>1μm

二、反射鏡技術(shù)與材料科學(xué)突破

反射鏡性能是系統(tǒng)成像質(zhì)量的關(guān)鍵制約因素，技術(shù)突破集中在：

多層膜沉積技術(shù)

磁控濺射工藝：在200mm直徑基底上實(shí)現(xiàn)Mo/Si周期厚度誤差<0.05nm

界面粗糙度控制：采用低溫沉積（<100℃），將層間擴(kuò)散控制在<0.3nm

納米精度加工

應(yīng)力補(bǔ)償技術(shù)：通過離子束拋光（IBF）實(shí)現(xiàn)面形精度PV<0.2nm

污染控制：在超潔凈室（ISO 1級(jí)）內(nèi)組裝，碳?xì)浠衔镂廴径?5000個(gè)/m3

熱管理方案

主動(dòng)冷卻系統(tǒng)：采用液氦循環(huán)，將反射鏡溫度波動(dòng)控制在±0.01℃

熱變形補(bǔ)償：通過有限元分析優(yōu)化支撐結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)熱膨脹抵消

三、光源技術(shù)與波長(zhǎng)優(yōu)化

13.5nm波長(zhǎng)的選擇基于三大物理優(yōu)勢(shì)：

反射率特性

Mo/Si多層膜在13.5nm處反射率達(dá)70%（單層界面），四鏡系統(tǒng)累積反射率>25%

相比5nm波長(zhǎng)，反射率提升3倍，顯著降低光源功率需求

材料吸收特性

典型光刻膠（如PMMA）在13.5nm處吸收系數(shù)0.3μm?1，實(shí)現(xiàn)50:1的線寬比控制

掩模版吸收層厚度優(yōu)化至60nm，在保證吸收率的同時(shí)降低熱負(fù)載

等離子體產(chǎn)生效率

錫靶激光等離子體源在13.5nm波長(zhǎng)處的轉(zhuǎn)換效率達(dá)2%

相比Xe氣體源，碎片產(chǎn)生率降低80%，延長(zhǎng)反射鏡維護(hù)周期

四、掃描曝光與動(dòng)態(tài)成像技術(shù)

系統(tǒng)采用雙掃描曝光模式實(shí)現(xiàn)大面積曝光：

同步掃描機(jī)制

掩模版與晶圓以1:1速度比反向掃描，速度精度控制在±0.1%

采用激光干涉儀（分辨率0.1nm）實(shí)現(xiàn)位置閉環(huán)控制

拼接精度控制

視場(chǎng)尺寸26mm×33mm，通過六自由度微動(dòng)臺(tái)實(shí)現(xiàn)視場(chǎng)間重疊誤差<50nm

采用莫爾條紋技術(shù)，實(shí)現(xiàn)跨視場(chǎng)套刻精度<3nm

劑量控制算法

脈沖能量監(jiān)測(cè)：實(shí)時(shí)校正脈沖能量波動(dòng)（目標(biāo)值±0.5%）

灰度曝光技術(shù)：通過脈沖數(shù)量調(diào)制實(shí)現(xiàn)邊緣粗糙度（LER）<2nm

五、關(guān)鍵技術(shù)挑戰(zhàn)與突破方向

當(dāng)前技術(shù)瓶頸及解決方案包括：

反射鏡壽命問題

錫污染控制：采用磁場(chǎng)約束等離子體，將錫沉積速率控制在<0.1nm/h

離子清洗技術(shù)：開發(fā)氬氣簇離子束（GCIB）清洗工藝，實(shí)現(xiàn)反射率恢復(fù)>95%

光源穩(wěn)定性

預(yù)脈沖技術(shù)：采用雙激光脈沖（預(yù)脈沖+主脈沖），將等離子體穩(wěn)定性提升至σ<1%

碎片過濾：設(shè)計(jì)三級(jí)碎片過濾系統(tǒng)，關(guān)鍵光學(xué)元件污染周期延長(zhǎng)至>10?脈沖

系統(tǒng)集成度

真空集成：采用差分真空系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)光源區(qū)（10??Pa）與曝光區(qū)（10?3Pa）壓力隔離

熱隔離設(shè)計(jì)：通過熱屏蔽結(jié)構(gòu)將光源熱負(fù)載對(duì)成像系統(tǒng)的影響控制在<0.1℃

六、行業(yè)應(yīng)用與技術(shù)前瞻

投影式X射線光刻技術(shù)正在開辟三大應(yīng)用前沿：

邏輯器件制造

3nm節(jié)點(diǎn)以下FinFET加工，實(shí)現(xiàn)接觸孔直徑<12nm

采用雙重曝光技術(shù)，突破單次曝光分辨率極限

存儲(chǔ)器技術(shù)

3D NAND垂直溝道刻蝕，層數(shù)突破500層

采用自對(duì)準(zhǔn)多重成像（SAMP）技術(shù)，實(shí)現(xiàn)層間對(duì)準(zhǔn)精度<5nm

異構(gòu)集成

2.5D轉(zhuǎn)接板微凸點(diǎn)加工，間距<4μm

結(jié)合自組裝單分子層技術(shù)，實(shí)現(xiàn)銅互連電阻降低30%

未來技術(shù)發(fā)展將聚焦三大方向：

高NA系統(tǒng)：開發(fā)NA=0.55系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)8nm分辨率

光源創(chuàng)新：探索自由電子激光（FEL）光源，實(shí)現(xiàn)10kHz重復(fù)頻率

智能光刻：集成機(jī)器學(xué)習(xí)算法，實(shí)現(xiàn)實(shí)時(shí)像差校正與劑量?jī)?yōu)化