TPS7H2140-SEP 器件是一款完全受保護(hù)的四通道電子保險(xiǎn)絲,具有四個(gè)集成的 160mΩ NMOS 功率 FET。
全面的診斷和高精度電流感應(yīng)可實(shí)現(xiàn)對負(fù)載的智能控制。
外部可調(diào)電流限制通過限制浪涌或過載電流來提高整個(gè)系統(tǒng)的可靠性。
*附件:tps7h2140-sep.pdf
特性
- 提供供應(yīng)商項(xiàng)目圖紙, VID V62/23610
- 總電離劑量 (TID) 以 30 krad(Si) 為特征
- RLAT(輻射批次驗(yàn)收測試)至 20 krad(Si)
- 表征單粒子效應(yīng) (SEE)
- 單粒子閂鎖 (SEL)、單粒子倦怠 (SEB) 和單粒子?xùn)艠O破裂 (SEGR),不受 43 MeV-cm 2/mg 線性能量轉(zhuǎn)移 (LET) 的影響
- 單粒子瞬態(tài) (SET) 和單粒子功能中斷 (SEFI),其特征是有效線性能量轉(zhuǎn)移 (LET) 為 43 MeV-cm 2/mg
- 四通道 160mΩ 電子保險(xiǎn)絲,具有完整的診斷功能和電流感應(yīng)模擬輸出
- 寬工作電壓 4.5 V 至 32 V
- 超低待機(jī)電流 < 500 nA
- 高精度電流感應(yīng):LOAD ≥ 25 mA 時(shí)為 ±15%
- 使用外部電阻器 (R CL) 進(jìn)行電流限制調(diào)節(jié),當(dāng) I LOAD ≥ 500 mA 時(shí),精度為 ±15%
- 保護(hù)
- 通過電流限制(內(nèi)部或外部)提供對地短路保護(hù)
- 帶閉鎖選項(xiàng)和熱擺動(dòng)的熱關(guān)斷
- 具有優(yōu)化轉(zhuǎn)換速率的電感負(fù)載負(fù)電壓箝位
- GND 丟失和斷電保護(hù)
- 診斷
- 過流和對地短路檢測
- 開路負(fù)載和電源短路檢測
- 用于快速中斷的全局故障報(bào)告
- 28 引腳熱增強(qiáng)型 PWP 封裝
- 太空增強(qiáng)塑料 (SEP)
- 適用于軍用溫度范圍(–55°C 至 125°C)
參數(shù)
方框圖
1. 產(chǎn)品概述
TPS7H2140-SEP 是一款輻射耐受型、32V、160mΩ四通道eFuse,專為衛(wèi)星電氣電力系統(tǒng)、空間衛(wèi)星電源管理及分布等應(yīng)用設(shè)計(jì)。該設(shè)備集成了四個(gè)160mΩ NMOS功率FET,具有全診斷和高精度電流感應(yīng)功能,可實(shí)現(xiàn)負(fù)載的智能控制。
2. 關(guān)鍵特性
- ?輻射耐受性?:
- 總劑量電離輻射(TID)特性高達(dá)30 krad(Si)。
- 單粒子效應(yīng)(SEE)特性,包括單粒子閂鎖(SEL)、單粒子燒毀(SEB)和單粒子?xùn)艠O穿通(SEGR)免疫,線性能量轉(zhuǎn)移(LET)高達(dá)43 MeV-cm2/mg。
- ?四通道eFuse?:每個(gè)通道具有獨(dú)立的控制和診斷功能。
- ?高精度電流感應(yīng)?:±15%的精度,當(dāng)I_LOAD ≥ 25 mA時(shí)。
- ?可調(diào)電流限制?:通過外部電阻器調(diào)整,精度±15%,當(dāng)I_LOAD ≥ 500 mA時(shí)。
- ?全面的保護(hù)功能?:包括短路到地保護(hù)、熱關(guān)斷、電感負(fù)載負(fù)電壓鉗位等。
- ?低待機(jī)電流?:< 500 nA。
- ?寬工作電壓范圍?:4.5 V至32 V。
3. 電氣規(guī)格
- ?輸入電壓?:4.5 V至32 V(推薦操作條件),絕對最大值為48 V(t < 400 ms)。
- ?輸出電流?:每通道最大1.35 A(所有通道開啟時(shí))。
- ?熱關(guān)斷閾值?:160°C至175°C。
- ?靜態(tài)電流?:7.0 mA(診斷禁用),6.2 mA(診斷啟用)。
- ?電流限制?:內(nèi)部固定值約11 A,外部可調(diào)。
4. 功能描述
- ?高精度電流感應(yīng)?:通過集成的電流鏡實(shí)現(xiàn),無需進(jìn)一步校準(zhǔn)。
- ?可調(diào)電流限制?:提供內(nèi)部和外部兩種電流限制方式,以保護(hù)負(fù)載和電源免受過流應(yīng)力。
- ?全面的診斷功能?:包括過流、短路到地、開路到電源和負(fù)載丟失檢測,以及全局故障報(bào)告。
- ?熱保護(hù)?:包括熱關(guān)斷和熱擺動(dòng)保護(hù),防止設(shè)備過熱損壞。
- ?電感負(fù)載負(fù)電壓鉗位?:在電感負(fù)載切換關(guān)斷時(shí),保護(hù)功率FET免受負(fù)電壓損壞。
5. 應(yīng)用領(lǐng)域
- 衛(wèi)星電氣電力系統(tǒng)(EPS)
- 空間衛(wèi)星電源管理及分布
- 輻射耐受型電源樹應(yīng)用
- 控制電源軌的開關(guān)電源應(yīng)用
- 電磁閥驅(qū)動(dòng)
6. 封裝與尺寸
- ?封裝類型?:28引腳熱增強(qiáng)型PWP封裝(HTSSOP)。
- ?封裝尺寸?:6.4 mm × 9.7 mm,引腳不包括在內(nèi)。
- ?質(zhì)量?:124 mg(標(biāo)稱值)。
7. 文檔與支持
- 提供詳細(xì)的數(shù)據(jù)手冊,包括規(guī)格、應(yīng)用信息、布局指南等。
- 可通過TI的E2E?支持論壇獲取設(shè)計(jì)幫助和快速驗(yàn)證答案。
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NMOS
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