TPS7H2201 是一款單通道 eFuse，可提供可配置的上升時間，以最大限度地減少浪涌電流和反向電流保護。該器件包含一個 P 溝道 MOSFET，可在 1.5V 至 7V 的輸入電壓范圍內工作，并支持最大 6A 的連續電流。該開關由開和關輸入 （EN） 控制，該輸入能夠直接與低壓控制信號連接。
*附件：tps7h2201-sep.pdf

TPS7H2201 采用陶瓷和塑料封裝，帶有集成導熱墊，可實現高功率耗散。該器件的額定工作溫度范圍為 –55°C 至 125°C 的自由空氣溫度。

特性

• 提供標準微電路，SMD 5962R17220
• 提供供應商項目圖紙，VID V62/23608
• 輻射性能：
  • 抗輻射保證 （RHA） 高達 TID 100krad（Si）
  • 單粒子閂鎖 （SEL）、單粒子倦怠 （SEB） 和單粒子門破裂 （SEGR） 不受 LET = 75MeV-cm2/mg 的影響
  • SEFI/SET 的特征是 LET = 75MeV-cm2/mg
• 集成單通道 eFuse
• 輸入電壓范圍：1.5V 至 7V
• 低導通電阻 （RON） ：
  • 25°C 和 VIN = 5V（CFP 和 KGD）時最大值為 35mΩ
  • 25°C 和 VIN = 5V 時（對于 HTSSOP），最大值為 23mΩ
• 最大連續開關電流為 6A
• 低控制輸入閾值允許使用 1.2、1.8、2.5 和 3.3V 邏輯
• 可配置的上升時間（軟啟動）
• 反向電流保護
• 可編程和內部電流限制（快速跳閘）
• 可編程故障定時器（電流限制和重試模式）
• 熱關斷
• 陶瓷和塑料封裝，帶導熱墊

參數

方框圖

1. 產品概述

TPS7H2201-SEP是一款輻射硬化型單通道電子保險絲（eFuse），專為空間衛星電源管理和分配等應用設計。它支持1.5V至7V的輸入電壓范圍，最大連續開關電流為6A，并具有多種可編程保護特性。

2. 關鍵特性

• ?輻射硬化?：具有高達TID 50krad(Si)的輻射硬化保證，對LET = 43MeV-cm2/mg的單事件閂鎖（SEL）、單事件燒毀（SEB）和單事件柵極破裂（SEGR）免疫。
• ?可編程特性?：包括軟啟動時間、電流限制、故障定時器（電流限制和重試模式）等。
• ?保護特性?：具有反向電流保護、過壓保護（OVP）、熱關斷等功能。
• ?封裝選項?：提供陶瓷雙平面封裝（CFP）和塑料小型外形封裝（HTSSOP）兩種封裝選項。

3. 電氣規格

• ?輸入電壓范圍?：1.5V至7V
• ?最大連續開關電流?：6A
• ?最大脈沖開關電流?（t≤5μs）：45A
• ?工作溫度范圍?：-55°C至125°C
• ?低導通電阻?：CFP封裝在25°C和VIN = 5V時最大為35mΩ，HTSSOP封裝在相同條件下最大為23mΩ

4. 可編程功能

• ?軟啟動時間?：通過連接在VOUT和SS引腳之間的外部電容器C_SS來設置。
• ?電流限制?：通過連接在IL引腳和GND之間的外部電阻器R_IL來編程，精度為±20%。
• ?故障定時器?：
  • ?ILTIMER?：通過連接在ILTIMER引腳和GND之間的電容器C_ILTIMER來設置電流限制故障時間。
  • ?RTIMER?：通過連接在RTIMER引腳和GND之間的電容器C_RTIMER來設置重試時間。

5. 保護特性

• ? 過壓保護（OVP） ?：通過連接在OVP引腳和GND之間的外部電阻器分壓器來設置OVP閾值電壓。
• ?熱關斷?：當結溫超過175°C時自動關斷，具有20°C的熱關斷遲滯。
• ?反向電流保護?：采用背靠背FET結構，防止在開關禁用時電流從VIN流向VOUT或從VOUT流向VIN。

6. 應用領域

• ?空間衛星電源管理?：適用于需要高可靠性和輻射硬化的空間應用。
• ?冗余電源軌?：在衛星應用中實現主電源軌和備用電源軌之間的冗余。
• ?關鍵負載保護?：對單事件敏感負載提供快速響應和自動恢復功能。

7. 封裝與尺寸

• ?CFP封裝?：16引腳，尺寸為11.00 × 9.60mm，重量為1.56g。
• ?HTSSOP封裝?：32引腳，尺寸為6.10 × 11.00mm，重量為0.191g。

8. 文檔與支持

• 提供詳細的數據手冊、應用指南、評估板用戶指南以及相關技術報告。
• 可通過TI的E2E?支持論壇獲取快速驗證答案和設計幫助。