1.外圍電路

1.1.柵極電阻

R51的柵極電阻可以控制MOS管的GS結電容的充放電速度。對于MOS管而言，開通速度越快，開通損耗越小。但是速度太快容易引起震蕩，震蕩波形（GS之間，這個震蕩與MOS管的米勒效應有關）如下左圖所示，而正常不震蕩的波形如下右圖所示。所以實際使用中希望開通速度盡量快，但是又不能發生震蕩。此時需要根據實際調試的波形確定R51的阻值。

此外開通太快引起容易產生EMC的問題，此時因為du/dt很大，開通快dt小，那么DS開通過程中DS兩端的壓差在變小，如果Vbus的電壓高，那么電壓的變化du很大，所以du/dt很大。

1.2.GS電容放電電阻

R54的電阻是給GS電容提供放電回路，這個電阻的取值一般在10-50K之間。在板子沒有上電的時候，有這個電阻GS之間就不會提供靜電荷，尤其在搬運過程中，GS電容之間很容易積累電荷，或者靜電作用到MOS管的G極，此時給GS電容充電可能會導致MOS管誤導通。那么一旦上電后可能導致同一橋臂的MOS管同時導通造成短路。

1.3.C45電容

調整GS電容的充放電時間，因為和GS電容并聯

給米勒電容提供泄放回路，如下圖所示。MOS管的GD之間存在一個結電容稱為米勒電容，下管導通時Vbus會有一部分電流流過這個米勒電容。米勒電容和C45串聯，可以間接減少米勒電容（電容越串越?。纳泼桌招挠绊?。

2.MOS選型

2.1.耐壓

一般選擇Vbus電壓的1.5-2倍。

2.2.額定電流

一般選擇負載額定電流的5-7倍，余量需要留大一些，因為要考慮到電機堵轉、負載突變等情況。

PS：

1.可以兩個或者幾個MOS管并聯使用，在電動車和汽車行業等大功率場合下可以這樣使用，此時多個MOS管并聯可能比一個大功率的MOS管要便宜。并聯使用時，可以使用一個預驅動芯片同時驅動多個MOS管。此外MOS管并聯使用還需要考慮分流的問題，有的時候MOS管的參數不一致，導通和關斷時間不一樣，所以并聯之后可能要讓開關速度變慢。

2.MOS管耐壓不夠時，理論上可以串聯使用，但是不建議這樣用。

2.3.封裝

MOS管的封裝實際就是考慮溫升問題，因為MOS是大功率發熱器件。經驗是在MOS管滿負荷工作時，表面溫度不要超過120度。這個溫度就是個經驗值。

2.4.Rdson

MOS管一共有四類損耗，分別是打開損耗、關斷損耗、導通損耗、續流損耗，前兩個損耗是開關過程中的損耗，是MOS管經過放大區產生的損耗；后兩種是開關結束之后的正常工作損耗。對于Rdson，對應導通損耗，這個阻值越大，相同電流的情況下導通損耗就越大，所以Rdson對導通損耗起到決定作用。因此Rdson越小越好，但是越小價格也越貴。

此外，溫度越高，Rdson越大；Vgs電壓越高，Rdson越小。并且當GS電壓超過10V以上，Rdson減小就不明顯了，所以MOS管的驅動電壓經常選擇12V或者15V，注意是驅動電壓，也就是GS之間的電壓。

2.5.Vgs閾值電壓

一般Vgs的閾值電壓都是正負20V，如下圖所示，使用時不能超過這個閾值，否則可能導致MOS管損壞。

MOS管的開通閾值一般在2-4V之間，一般選擇12-15V的驅動電壓，0V關斷。對于大功率或者要求較高的場合，也可以選擇負壓關斷，如下圖所示。大功率情況下關斷快可以減小關斷損耗，降低米勒效應的影響。此外負壓關斷的關斷速度快，可以迅速越過放大區，不易發生震蕩。

2.6.快開管和慢開管

快管通常Qg小，Rdson大，慢管相反。這個涉及到半導體的工藝，一般為了降低Rdson，晶圓面積就要做大，結果寄生電容相應變大，同理Qg也會變大。

Qg，Gate charge，門級電荷總和，一般管子的同流能力越強，Qg越大，速度也越慢。一般耐壓高的MOS開得快，大電流的MOS開的慢。

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