在半導體制造過程中，SPM（Sulfuric Peroxide Mixture，硫酸過氧化氫混合液）清洗和HF（Hydrofluoric Acid，氫氟酸）清洗都是重要的濕法清洗步驟。但是很多人有點迷糊，到底這兩個誰先誰后呢？或者說在程序步驟上，這兩者有什么講究順序？

先總結一句話來說明這個問題：先后順序通常是先進行SPM清洗，再進行HF清洗。為此我們也準備了資料，給大家進行詳細的解釋說明，希望給大家帶來更好的了解。

一、SPM清洗的作用及特點

作用

SPM是一種強氧化性和酸性的清洗溶液，由濃硫酸和過氧化氫按一定比例混合而成。它在半導體清洗中主要用于去除有機污染物，例如光刻膠殘留、有機物分子等。

特點

濃硫酸具有強酸性和氧化性，能夠使有機物碳化，而過氧化氫在酸性條件下是一種強氧化劑，能進一步增強氧化能力，將有機污染物有效地氧化分解并去除。

二、HF清洗的作用及特點

作用

HF的主要作用是去除半導體表面的金屬雜質和自然氧化層。在半導體制造過程中，硅片表面容易吸附金屬離子，如鐵、銅、鋁等，這些金屬離子會影響半導體器件的性能。

特點

HF能夠與二氧化硅（SiO?）反應，生成可溶于水的硅氟酸（H?SiF?），從而有效去除硅片表面的自然氧化層。同時，HF對一些金屬雜質也有很好的絡合作用，能將其溶解并去除。

三、先SPM后HF的順序原因

去除有機污染物優先

在進行其他清洗步驟之前，首先需要去除硅片表面的有機污染物。因為如果先使用HF清洗，雖然可以去除金屬雜質和氧化層，但硅片表面可能仍然存在有機污染物。當后續進行其他工藝步驟時，這些有機污染物可能會影響光刻膠的附著力、摻雜過程等。

避免金屬雜質重新吸附

SPM清洗后，硅片表面會變得相對清潔，但同時也會更加活潑，容易吸附金屬雜質。如果此時先進行HF清洗去除金屬雜質和氧化層，可以在硅片表面形成一個相對純凈的環境，減少金屬雜質重新吸附的可能性。

提高清洗效果的整體協同性

按照先SPM后HF的順序進行清洗，兩種清洗方法能夠相互配合，達到更好的清洗效果。SPM清洗為HF清洗創造了一個良好的條件，使得HF清洗能夠更有效地去除金屬雜質和氧化層。

審核編輯 黃宇