電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃晶晶）近日，繼閃迪、長(zhǎng)江存儲(chǔ)向渠道發(fā)布了漲價(jià)通知后，美光科技向客戶(hù)發(fā)出的漲價(jià)函在渠道曝光。漲價(jià)函顯示，美光觀察到各個(gè)業(yè)務(wù)部門(mén)的需求顯著增加，美光決定將面向渠道合作伙伴提高產(chǎn)品價(jià)格。據(jù)CFM閃存市場(chǎng)的消息，美光此次漲價(jià)幅度將在10%-15%。另電子發(fā)燒友網(wǎng)了解到，此前市場(chǎng)傳出美光要求NAND閃存芯片漲價(jià)約為11%。

此番漲價(jià)普遍認(rèn)為是原廠減產(chǎn)疊加終端回升助推了閃存的需求。另一方面，HBM高帶寬存儲(chǔ)在AI時(shí)代得到廣泛應(yīng)用，HBM成為存儲(chǔ)芯片大廠的投入重點(diǎn)。據(jù)集邦咨詢(xún)?cè)缜邦A(yù)測(cè)，預(yù)計(jì)到2025 年HBM的價(jià)格將上漲5-10%。同時(shí)，我們可以看到，DeepSeek帶動(dòng)端側(cè)AI需求，也將加速DDR5等內(nèi)存產(chǎn)品的市場(chǎng)滲透。

近日，美光再次表示，在同一節(jié)點(diǎn)生產(chǎn)同等容量的情況下，最先進(jìn)的HBM3E內(nèi)存對(duì)晶圓量的消耗是標(biāo)準(zhǔn)DDR5內(nèi)存的三倍。無(wú)疑對(duì)HBM的投入將可能進(jìn)一步導(dǎo)致常規(guī)DRAM出現(xiàn)供應(yīng)短缺。

據(jù)韓媒報(bào)道，SK海力士CEO郭魯正在股東大會(huì)上表示，盡管人工智能（AI）公司調(diào)整投資速度，以及出現(xiàn)中國(guó)DeepSeak等低成本AI模型，但HBM市場(chǎng)的增長(zhǎng)仍將保持不變。SK海力士今年的HBM產(chǎn)能已經(jīng)售罄，明年產(chǎn)能計(jì)劃將在上半年完成與客戶(hù)的最終協(xié)商。

HBM高帶寬內(nèi)存即將進(jìn)入HBM4時(shí)代，存儲(chǔ)芯片廠商正加速這一進(jìn)程。近期，SK海力士宣布了12層HBM4開(kāi)始向客戶(hù)送樣。美光也表示2025年HBM已售罄，并且HBM4的推出時(shí)機(jī)與客戶(hù)需求高度契合，將于2026年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

SK海力士HBM4

SK海力士實(shí)際上是比原計(jì)劃提早實(shí)現(xiàn)12層HBM4的樣品出貨，并已開(kāi)始與客戶(hù)的驗(yàn)證流程。公司將在下半年完成量產(chǎn)準(zhǔn)備。

SK海力士表示，此次提供的12層HBM4樣品，兼具了面向AI的存儲(chǔ)器必備的世界最高水平速率。其容量也是12層堆疊產(chǎn)品的最高水平。
此產(chǎn)品首次實(shí)現(xiàn)了最高每秒可以處理2TB（太字節(jié)）以上數(shù)據(jù)的帶寬。其相當(dāng)于在1秒內(nèi)可處理400部以上全高清（Full-HD，F(xiàn)HD）級(jí)電影（5GB=5千兆字節(jié)）的數(shù)據(jù)，運(yùn)行速度與前一代（HBM3E）相比提高了60%以上。

同時(shí)，公司通過(guò)在該產(chǎn)品上采用已在前一代產(chǎn)品獲得競(jìng)爭(zhēng)力認(rèn)可的Advanced MR-MUF工藝，實(shí)現(xiàn)了現(xiàn)有12層HBM可達(dá)到的最大36GB容量。通過(guò)此工藝控制芯片的翹曲現(xiàn)象，還有效提升散熱性能，由此最大程度地提高產(chǎn)品的穩(wěn)定性。

美光HBM3E和HBM4

美光FY2025Q2財(cái)季(2024年12月-2025年2月)業(yè)績(jī)顯示，其Compute and Networking（CNBU）營(yíng)收45.64億美元，環(huán)比增長(zhǎng)4%，占總收入的57%。得益于HBM收入環(huán)比增長(zhǎng)超50%，CNBU收入連續(xù)第三個(gè)季度創(chuàng)下季度新高。

HBM市場(chǎng)需求依然強(qiáng)勁，美光預(yù)計(jì)2025日歷年HBM總市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)350億美元以上，比之前預(yù)估的300億美元有所提高，并預(yù)計(jì)2025年第四季度有望HBM份額達(dá)到與整體DRAM供應(yīng)份額相當(dāng)?shù)乃健?br />
美光表示，2025日歷年HBM已售罄，而2026年HBM市場(chǎng)需求將保持強(qiáng)勁態(tài)勢(shì)，目前，正在與客戶(hù)就2026日歷年HBM需求協(xié)議進(jìn)行討論。

美光HBM3E與競(jìng)品相比功耗可降低30%，且美光12層堆疊HBM3E（HBM3E 12H）比競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的8層堆疊產(chǎn)品的功耗降低了20%，同時(shí)內(nèi)存容量提高了50%。目前美光已開(kāi)始批量生產(chǎn)HBM3E 12H，并專(zhuān)注于提高產(chǎn)能和良率，預(yù)計(jì)2025年下半年，HBM3E 12H將占HBM總出貨量的絕大部分。

美光HBM3E 12H提供了36GB容量，比當(dāng)前的HBM3E8-high產(chǎn)品增加50%，允許更大的AI模型，如具有700億個(gè)參數(shù)的Llama2在單個(gè)處理器上運(yùn)行。這種容量的增加避免了CPU卸載和GPU-GPU通信延遲，從而加快了運(yùn)行時(shí)間。

此外，其功耗顯著低于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的 HBM3E8-high24GB解決方案。美光 HBM3E12高速36GB提供超過(guò)每秒1.2太字節(jié)(TB/s)的內(nèi)存帶寬，引腳速度超過(guò)9.2Gb/s。美光HBM3E的這些綜合優(yōu)勢(shì)提供了最高吞吐量和最低功耗，可以確保對(duì)電力需求大的數(shù)據(jù)中心獲得最佳結(jié)果。

美光HBM平臺(tái)和客戶(hù)認(rèn)證取得了良好進(jìn)展，HBM3E 8H已應(yīng)用于英偉達(dá)GB200，HBM3E 12H將應(yīng)用于GB300。第二財(cái)季，美光開(kāi)始向第三大HBM3E客戶(hù)批量出貨，并會(huì)有更多的客戶(hù)。預(yù)計(jì)在2025財(cái)年HBM收入將達(dá)到數(shù)十億美元。

隨著美光繼續(xù)專(zhuān)注于擴(kuò)展其行業(yè)領(lǐng)先地位，公司已經(jīng)著眼于未來(lái)的HBM4和HBM4E路線圖。
美光HBM4將于2026年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。HBM4與HBM3E相比其帶寬增加了60%以上。HBM4的推出時(shí)機(jī)與客戶(hù)需求高度契合，美光將專(zhuān)注于向市場(chǎng)提供能效、質(zhì)量與性能等方面最優(yōu)的HBM4產(chǎn)品。

美光預(yù)計(jì)FY25Q3凈資本支出將超過(guò)30億美元。美光2025財(cái)年全年資本支出計(jì)劃仍為約140億美元。其中，絕大部分資本支出將用于支持高帶寬內(nèi)存（HBM）業(yè)務(wù)，以及設(shè)施建設(shè)、后端制造和研發(fā)投資。

美光正專(zhuān)注于在現(xiàn)有制造設(shè)施中提升HBM產(chǎn)能，以滿足至2026年的市場(chǎng)需求。今年1月，美光在新加坡的HBM先進(jìn)封測(cè)工廠破土動(dòng)工，這項(xiàng)投資將使美光自2027日歷年開(kāi)始顯著提升總先進(jìn)封裝產(chǎn)能。與此同時(shí)，其在愛(ài)達(dá)荷州新建的DRAM工廠在本季度完成了關(guān)鍵里程碑節(jié)點(diǎn)，成功獲得CHIPS法案對(duì)該項(xiàng)目的首筆資金撥付。這座全新的愛(ài)達(dá)荷州工廠預(yù)計(jì)將于2027財(cái)年開(kāi)始貢獻(xiàn)可觀的DRAM產(chǎn)量。

2026年英偉達(dá)RubinGPU搭載8個(gè)36GB HBM4

臺(tái)媒宣稱(chēng)，英偉達(dá)將于2026 年推出的下一代 AI GPU產(chǎn)品Rubin將導(dǎo)入多制程節(jié)點(diǎn)芯粒（Chiplet）設(shè)計(jì)，其中計(jì)算芯片采用臺(tái)積電N3P制程，對(duì)PPA要求較低的I/O芯片則會(huì)使用 N5B節(jié)點(diǎn)。

每個(gè)Rubin GPU將包含2顆計(jì)算芯片和1顆I/O芯片，整體采用SoIC三維垂直堆疊先進(jìn)封裝工藝集成，然后再使用CoWoS工藝連接8個(gè)36GB HBM4 片外內(nèi)存堆棧。

美光表示，近期大型超大規(guī)?？蛻?hù)重申了其在2025日歷年資本投資將實(shí)現(xiàn)同比強(qiáng)勁增長(zhǎng)。預(yù)計(jì) 2025 年服務(wù)器出貨量將實(shí)現(xiàn)中個(gè)位數(shù)百分比增長(zhǎng)，傳統(tǒng)服務(wù)器和AI服務(wù)器均將實(shí)現(xiàn)增長(zhǎng)?？梢钥吹?，需求的穩(wěn)健增長(zhǎng)進(jìn)一步支撐了HBM市場(chǎng)的發(fā)展。


小結(jié)：

HBM配合GPU應(yīng)用于AI訓(xùn)練，在數(shù)據(jù)中心市場(chǎng)獲得成功。從目前各家存儲(chǔ)芯片廠商適配英偉下一代GPU來(lái)看，最先進(jìn)HBM產(chǎn)品仍然有著樂(lè)觀的前景。另一方面，隨著AI推理在更多新興應(yīng)用場(chǎng)景落地，HBM有望跟隨GPU下沉至一體機(jī)等終端，且具有相當(dāng)可觀的規(guī)模。屆時(shí)HBM的成本是否會(huì)進(jìn)一步下降，從而可應(yīng)用于更多端側(cè)推理場(chǎng)景。