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HMC8118 71GHz至76GHz,E頻段I/Q上變頻器技術(shù)手冊

要長高 ? 2025-03-28 09:49 ? 次閱讀

概述
HMC8118是一款集成E頻段的砷化鎵(GaAs) 單芯片微波集成電路(MMIC)同相和正交(I/Q)上變頻器芯片,工作頻率范圍為71 GHz至76 GHz。 HMC8118在整個頻段內(nèi)提供11 dB小信號轉(zhuǎn)換增益和33 dBc邊帶抑制性能。 該器件采用由6倍LO倍頻器驅(qū)動的圖像抑制混頻器。 提供差分I和Q混頻器輸入。 輸入可由針對直接變頻應(yīng)用的差分I和Q基帶波形驅(qū)動。 或者,輸入可使用針對單邊帶應(yīng)用的外部90°混合器件和兩個外部180°混合器件進(jìn)行驅(qū)動。 所有數(shù)據(jù)包括中頻(IF)端口上1 mil金線焊的效應(yīng)。
數(shù)據(jù)表:*附件:HMC8118 71GHz至76GHz,E頻段I Q上變頻器技術(shù)手冊.pdf

應(yīng)用

  • E頻段通信系統(tǒng)
  • 高容量無線回程
  • 測試與測量

特性

  • 轉(zhuǎn)換損耗: 11 dB(典型值)
  • 邊帶抑制: 針對1 dB壓縮(P1dB)的典型輸入功率:33 dBc 14 dBm(典型值)
  • 輸入三階交調(diào)截點(diǎn)(IP3): 22 dBm(典型值)
  • 輸入二階交調(diào)截點(diǎn)(IP2): -5 dBm(典型值)
  • RFOUT上6倍本振(LO)泄漏: -27 dBm(典型值)
  • RF回?fù)p: 6 dB(典型值)
  • LO回?fù)p: 18 dB(典型值)
  • 裸片尺寸: 3.601 mm × 1.609 mm × 0.05 mm

框圖
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引腳配置描述
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接口示意圖
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典型性能特征
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工作原理

HMC8118 是一款砷化鎵(GaAs)I/Q 上變頻器,集成了本振(LO)緩沖器和 6 倍頻器。電路架構(gòu)的功能框圖如圖 79 所示。6 倍頻器能夠使用較低頻率范圍的本振輸入信號,通常在 11.83 GHz 至 14.33 GHz 之間。該 6 倍頻器通過級聯(lián)一個 3 倍頻器和一個 2 倍頻器來實現(xiàn)。芯片上集成的本振緩沖放大器,可提供典型的 2 dBm 本振驅(qū)動電平,以實現(xiàn)最佳性能。

本振路徑驅(qū)動一個正交功分器,其后連接片上巴倫,進(jìn)而驅(qū)動 I 和 Q 混頻器核心。混頻器核心由平衡無源混頻器組成。I 和 Q 混頻器的射頻輸出隨后通過片上威爾金森功率合成器進(jìn)行合成,并進(jìn)行電抗匹配,以在 RFOUT 引腳上提供單端 50Ω 輸出信號 。
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工作原理

HMC8118是一款砷化鎵(GaAs)I/Q上變頻器,集成了本振(LO)緩沖器和6倍頻器。電路架構(gòu)的功能框圖如圖79所示。6倍頻器能夠使用較低頻率范圍的本振輸入信號,通常在11.83 GHz至14.33 GHz之間。該6倍頻器通過級聯(lián)一個3倍頻器和一個2倍頻器來實現(xiàn)。芯片上集成的本振緩沖放大器,可提供典型的2 dBm本振驅(qū)動電平,以實現(xiàn)最佳性能。

本振路徑驅(qū)動一個正交功分器,其后連接片上巴倫,進(jìn)而驅(qū)動I和Q混頻器核心?;祛l器核心由平衡無源混頻器組成。I和Q混頻器的射頻輸出隨后通過片上威爾金森功率合成器進(jìn)行合成,并進(jìn)行電抗匹配,以在RFOUT引腳上提供單端50Ω輸出信號 。
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