概述
HMC219B是一款超小型通用雙平衡混頻器,采用8引腳超小型塑料表貼封裝,帶裸露焊盤(MINI_SO_EP)。該無源單芯片微波集成電路(MMIC)混頻器采用砷化鎵(GaAs)金屬半導體場效應晶體管(MESFET)工藝制造,無需外部元件或匹配電路。該器件可用作頻率范圍為2.5 GHz至7.0 GHz的上變頻器、下變頻器、雙相調制器或相位比較器。
HMC219B采用經過優化的巴倫結構,提供出色的本振(LO)至射頻(RF)隔離及LO至中頻(IF)隔離性能。符合RoHS標準的HMC219B無需線焊,與高容量表貼制造技術兼容。MMIC性能穩定可提高系統工作效率并確保符合HiperLAN、U-NII和ISM法規要求。
數據表:*附件:HMC219B 2.5GHz至7.0GHzGaAs、MMIC基波混頻器技術手冊.pdf
應用
- 微波無線電
- 高性能無線電局域網(HiperLAN)和免執照國家信息基礎設施(U-NII)
- 工業、科研和醫療(ISM)
特性
- 轉換損耗:9 dB(典型值)
- LO至RF隔離:40 dB(典型值)
- LO至IF隔離:35 dB(典型值)
- RF至IF隔離:22 dB(典型值)
- 輸入IP3:18 dBm(典型值)
- 輸入P1dB:11 dBm(典型值)
- 輸入IP2:55 dBm(典型值)
- 無源雙平衡拓撲結構
- 8引腳、3 mm × 3 mm、MINI_SO_EP封裝
功能框圖
引腳配置描述
接口示意圖
典型應用電路
圖83展示了HMC219B的典型應用電路。HMC219B是一款無源器件,無需任何外部組件。本振(LO)引腳和射頻(RF)引腳內部已進行直流耦合。如果不需要直流中頻(IF)工作,在IF端口使用一個交流耦合電容。如果需要直流IF工作,請勿超過“絕對最大額定值”部分中規定的IF源電流和灌電流額定值。
圖83. 典型應用電路
評估印刷電路板(PCB)信息
對于圖84中所示的評估PCB,必須采用射頻電路設計技術。信號線必須具有50Ω的阻抗,封裝接地引腳和外露焊盤必須直接連接到接地層,類似于圖84中所示。使用足夠數量的過孔連接頂層和底層接地層。圖84中所示的評估電路板可根據需求從亞德諾半導體(Analog Devices, Inc.)獲取。訂購評估PCB組件時,請參考EV1HMC219BMS8G。材料清單如表5所示。
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