概述
ADMV1009 是一款采用緊湊的砷化鎵(GaAs)設(shè)計(jì)、單芯片微波集成電路(MMIC)、上邊帶(USB)、差分上變頻器，采用符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的封裝，針對工作頻率范圍為12.7 GHz至15.4 GHz的點(diǎn)對點(diǎn)微波無線電設(shè)計(jì)進(jìn)行優(yōu)化。

ADMV1009 提供21 dB的轉(zhuǎn)換增益和20 dB的邊帶抑制性能。ADMV1009采用射頻(RF)放大器，前接由驅(qū)動(dòng)放大器驅(qū)動(dòng)本振(LO)的無源、雙平衡混頻器。還提供IF1和IF2混頻器輸入，需通過外部180°巴倫差分驅(qū)動(dòng)IF引腳。ADMV1009為混合型單邊帶(SSB)上變頻器的小型替代器件，無需線焊，可以使用表貼制造裝配。

ADMV1009上變頻器采用緊湊的散熱增強(qiáng)型、4.9 mm × 4.9 mm LCC封裝。ADMV1009工作溫度范圍為?40°C至+85°C。
數(shù)據(jù)表：*附件：ADMV1009 12.7GHz至15.4GHz、GaAs、MMIC、差分上變頻器技術(shù)手冊.pdf

應(yīng)用

• 點(diǎn)對點(diǎn)微波無線電
• 雷達(dá)和電子戰(zhàn)系統(tǒng)
• 儀器儀表、自動(dòng)測試設(shè)備

特性

• RF 輸出頻率范圍：12.7 GHz 至 15.4 GHz
• IF 輸入頻率范圍：2.8 GHz 至 4 GHz
• LO 輸入頻率范圍：9 GHz 至 12.6 GHz
• 匹配的 50 ? RF 輸出、LO 輸入和 IF 輸入
• 20 dB 鏡頻抑制
• 32 引腳、4.9 mm × 4.9 mm LCC封裝

框圖
引腳配置描述

典型性能特征

典型應(yīng)用電路

典型應(yīng)用電路如圖 59 所示。此處展示的應(yīng)用電路已在評估板電路中復(fù)現(xiàn)。

評估板信息

應(yīng)用中使用的電路板必須采用射頻電路設(shè)計(jì)技術(shù)。信號線必須具有50Ω的阻抗，封裝接地引腳和外露焊盤應(yīng)直接連接到接地層，與圖60和圖61中所示類似。使用足夠數(shù)量的過孔連接電路板的頂層和底層接地層。圖59中所示的評估電路板可應(yīng)要求從亞德諾半導(dǎo)體公司（Analog Devices, Inc.）獲取。

布局

將ADMV1009底面的外露焊盤焊接到具有低熱阻和低電阻抗的接地平面上。該焊盤通常焊接到評估板阻焊層的外露開口處。將這些接地過孔連接到評估板上的所有其他接地層，以實(shí)現(xiàn)器件封裝的最大散熱效果。圖60展示了ADMV1009 - EVALZ的印刷電路板（PCB）焊盤圖形，圖61展示了ADMV1009 - EVALZ評估板的鋼網(wǎng)模板。

上電順序

設(shè)置ADMV1009 - EVALZ，可按以下步驟操作：

1. 用 - 1.5V電源為VGLO供電。
2. 用5V電源為VDLO供電。
3. 在 - 1.5V至 - 0.5V之間調(diào)節(jié)VGLO，使IDLO = 60mA。
4. 用 - 1.5V電源為VGRF供電。
5. 用5V電源為VDRF供電。
6. 在 - 1.5V至 - 0.5V之間調(diào)節(jié)VGRF，使IDLO = 250mA。
7. 用 - 1.5V電源為VGMIX供電。
8. 施加本振（LO）信號。
9. 施加中頻（IF）信號。

斷電順序

關(guān)閉ADMV1009 - EVALZ，可按以下步驟操作：

1. 關(guān)閉LO和IF信號。
2. 將VGRF和VGLO設(shè)置為 - 1.5V。
3. 將VDRF和VDLO電源設(shè)置為0V，然后關(guān)閉VDRF和VDLO電源。
4. 關(guān)閉VGRF和VGLO電源。