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開關(guān)電源芯片U2315X產(chǎn)品介紹

開關(guān)電源芯片 ? 來源:開關(guān)電源芯片 ? 2024-12-16 10:24 ? 次閱讀

芯片的ESD(Electro-Static Discharge,靜電放電)性能是指芯片在靜電放電事件中的保護(hù)能力和可靠性。?ESD是電子設(shè)備中常見但又極具破壞性的現(xiàn)象,可能導(dǎo)致芯片損壞、系統(tǒng)故障甚至整個設(shè)備的癱瘓。因此,ESD性能是芯片可靠性的關(guān)鍵因素之一。開關(guān)電源芯片U2315X優(yōu)化的ESD性能、EMI性能,可提供更有利保護(hù),?典型功率表如下:

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PCB設(shè)計電源的EMI,ESD等性能有顯著影響,開關(guān)電源芯片U2315X設(shè)計原邊回路時建議參考下圖的內(nèi)容 (以SOP-為例)。

1.原邊主功率環(huán)路 (Loop1) 的面積應(yīng)盡可能小,同時走線應(yīng)盡可能粗以優(yōu)化效率。

2. RCD 吸收回路 (Loop2) 的面積應(yīng)盡可能小。

3. VDD 電容 C3 應(yīng)緊貼芯片,保證 VDD 回路(Loop3) 的面積盡可能小。

4. 如 Line1 所示,輔助繞組應(yīng)直接連接到輸入容的地,以減少ESD能量對于芯片的干擾。

5. 如 Line2 所示,VDD電容C3及FB下阻R5應(yīng)先連接到芯片的GND管腳,再連接到輸入電容的地。

c51351dc-b926-11ef-8732-92fbcf53809c.png

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開關(guān)電源芯片U2315X主要特性:

&集成 800V 高壓功率三極管

&谷底開通、原邊控制、系統(tǒng)效率高

&電源系統(tǒng)單點(diǎn)失效保護(hù)

&多模式原邊控制方式

&優(yōu)異的動態(tài)響應(yīng)

&集成動態(tài)三極管驅(qū)動電路

&優(yōu)化的 EMI 性能

&優(yōu)化的 ESD 性能

&工作無異音

&恒流、恒壓調(diào)整率小于 ±5%

&超低待機(jī)功耗 <50mW

&線損補(bǔ)償功能

&集成完備的保護(hù)功能:

輸出短路保護(hù) (FB SLP)

輸出過壓保護(hù)功能 (FB OVP)

逐周期限流保護(hù) (OCP)

過熱保護(hù) (OTP)

VDD 過壓、欠壓和鉗位保護(hù)

&封裝類型 SOP-7

開關(guān)電源芯片U2315X集成了三極管基極動態(tài)驅(qū)動技術(shù)以優(yōu)化系統(tǒng)效率。基極驅(qū)動電流隨著負(fù)載狀態(tài)動態(tài)調(diào)節(jié),輸出負(fù)載越大,基極驅(qū)動電流越大,且基極驅(qū)動電流正比于CS管腳峰值電壓信號。優(yōu)化設(shè)計的動態(tài)響應(yīng)性能,可滿足USB充電器的要求!

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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原文標(biāo)題:開關(guān)電源芯片U2315X優(yōu)化的ESD/EMI性能

文章出處:【微信號:gh_3980db2283cd,微信公眾號:開關(guān)電源芯片】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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