8月27日，據韓國權威科技媒體The Elec及ZDNet Korea聯合報道，SK海力士公司的高級管理人員，副總裁（常務）文起一，在韓國當地時間前日的一次重要學術研討會上發(fā)表見解，預測Chiplet（芯粒/小芯片）技術將在未來兩到三年內被引入DRAM及NAND存儲產品領域。

文起一指出，并非所有存儲產品的控制器功能都苛求尖端制造工藝，通過Chiplet設計策略，企業(yè)能夠將那些對工藝要求不高的功能模塊遷移至成本效益更高的成熟制程芯粒上實施，此舉在不犧牲功能完整性的前提下，可顯著削減整體成本。

SK海力士正積極在其內部研發(fā)Chiplet技術，并已展現出對這一前沿領域的堅定承諾。公司不僅成為了UCIe（Universal Chiplet Interconnect Express）產業(yè)聯盟的活躍成員，還在2023年成功在全球范圍內注冊了MOSAIC商標，專門用于Chiplet技術，彰顯其在該領域的戰(zhàn)略布局與前瞻視野。

此外，文起一還就當前HBM（高帶寬內存）內存技術中的新興工藝——混合鍵合技術面臨的挑戰(zhàn)發(fā)表了看法。他提到，盡管混合鍵合技術為連接HBM內存各層裸片提供了創(chuàng)新路徑，但該技術在實際應用中仍需克服多重難題，包括對CMP（化學機械拋光）工藝精度要求的顯著提升，以及封裝過程中產生的碎屑污染對HBM內存良率的潛在影響。盡管如此，文起一仍堅信混合鍵合技術代表了未來的發(fā)展趨勢，其團隊正致力于解決這些挑戰(zhàn)，以推動技術進步。