HDBaseT技術(shù)簡介
HDBaseT技術(shù),由全球知名的家電巨頭如LG、Samsung、Sony(均來自亞洲),攜手以色列的半導體技術(shù)先鋒Valens Semiconductor,共同創(chuàng)立了HDBaseT聯(lián)盟。該聯(lián)盟于2009年成功獲得了Intel的HDCP(高清內(nèi)容保護)認證,標志著其技術(shù)標準的權(quán)威性與安全性。隨后,在2010年6月底,HDBaseT 1.0的官方規(guī)范正式確立,為行業(yè)樹立了新的里程碑。
與HDMI和DisplayPort等標準不同,HDBaseT并未引入全新的接口設計,而是巧妙地采用了RJ45接口,這一接口常被稱為水晶頭或以太網(wǎng)接口,極大地提升了用戶的熟悉度與便捷性。同時,HDBaseT采用了普遍易得的網(wǎng)線作為傳輸介質(zhì),進一步降低了部署成本,增強了其普及性。
HDBaseT標準不僅限于視頻信號的傳輸,它還集成了網(wǎng)絡連接功能,實現(xiàn)了音視頻信號與數(shù)據(jù)通信的同步傳輸。該技術(shù)還支持以太網(wǎng)供電(PoE),即可以通過網(wǎng)線同時為連接的設備提供電力,極大地簡化了布線工作,提升了系統(tǒng)的整體效能與靈活性。
2.HDBaseT版本介紹
HDBaseT Versions | |||
Specifications | SPEC 1.0 | SPEC 2.0 | SPEC 3.0 |
Video & distance | 1080p,100m/328ft | 4K@30 4:4:4, 100m/328ft | 4K@60 4:4:4, 100m/328ft |
UHD 4K, 90mv295ft | 4K@30 4:4:4, 100m/328ft | ||
USB | 2.0 | 2.0 | 2.0 |
Power | 100 Watts | 100 Watts | 100 Watts |
Ethernet | 100MbpS | 100MbpS | Gigabit |
Recommended cables | Category 5e and above | Category 6a and above | Category 6a and above |
表1 HDBaseT版本介紹
3.湖南靜芯HDBaseT產(chǎn)品推薦
靜芯推出超小體積、超高峰值電流,低鉗位電壓的HDBaseT ESD器件SENC26F3V4UC,該產(chǎn)品專為HDBaesT接口的TX(發(fā)送)和RX(接收)線路設計。SENC26F3V4UC為單路保護器件,具備3.3V低觸發(fā)電壓和7V低鉗位電壓特性,滿足115V低壓浪涌(8/20us)的過壓保護需求(VRWM=3.3V MAX,VCL = 13.0V@IPP = 40.0A (8/20us))。以其更小的容值和更高的峰值電流,為高速數(shù)據(jù)傳輸提供了高速信號線提供優(yōu)異的瞬態(tài)過壓保護效果,確保了信號的完整性和設備的安全性。
圖1 基本電性圖
SENC26F3V4UC參數(shù)對比RClamp2504N(包含測試圖形)
表2 器件測試參數(shù)對比
圖2 峰值電流10A 8/20測試曲線
(左邊RClamp2504N,右邊SENC26F3V4UC)
圖3極限測試 8/20浪涌測試曲線
(左邊RClamp2504N,右邊SENC26F3V4UC)
SENC26F3V4UC的實測過流能力是 46.4A, RCLAMP2504N的實測過流能力28A, SENC26F3V4UC的鉗位電壓[email protected], RCLAMP2504N的鉗位電壓14.2V@28A,超過10A后的鉗位電壓,SENC26F3V4UC的鉗位電壓會明顯好于RCLAMP2504N,考慮系統(tǒng)的穩(wěn)健性是通過測試極端參數(shù)條件下的可靠性,在RCLAMP2504N的極限電流28A的條件下,SENC26F3V4UC的鉗位電壓會低于11V(RCLAMP2504N為14.2V),對系統(tǒng)的防護效果更好。
在1A附近的鉗位電壓的實測數(shù)據(jù):SENC26F3V4UC的鉗位電壓[email protected], RCLAMP2504N的鉗位電壓[email protected],兩者差別不大(規(guī)格書上 SENC26F3V4UC的余量留的比較足,標的典型值7V,最大值10V;RCLAMP2504N的最大值4.5V,但是這個值已經(jīng)和實測的典型值接近了。)
SENC26F3V4UC第5號管腳可以接3.3V的VCC(RCLAMP2504N的5號管腳規(guī)格書提示不能接VCC,有風險),對3.3V提供比較好的防護,對靠近接口部分的電源提供靜電和浪涌防護,實際布線電源走線可以先連接到器件5號腳,再給到應用電路。
5.HDBaseT電路框圖
圖 典型應用圖
防護方案中所使用ESD型號參數(shù)描述(詳盡參數(shù)請與我司代理聯(lián)系):
信號線 | 型號 | 描述 |
電流 A |
鉗位電壓 V |
電容 pF |
封裝 |
HDBT+ HDBT- |
SENC26F3V4UC |
3.3V 單向 ESD30kV |
40 | 7 | 4 | DFN2626-10L |
D+/D- | SEUC10F5V4U |
5.0V 單向 ESD12kV |
4.5 | 9 | 0.3 | DFN2510-10L |
REMOTE/CLK DAT/OUT |
SEUC236T5F4U |
5 單向 ESD12kV |
4.5 | 9 | 0.3 | SOT-23-6L |
TP+/TP- |
SELC3D3V1BA SELC3D5V1BA |
3.3/5V 雙向 ESD15kV |
20 | 20 | 0.8 | SOD323 |
VCC/GND D+/D- |
SELC143T5V2UB |
5V 單向 ESD15kV |
5 | 9 | 0.6 | SOT-143 |
湖南靜芯是一家專門從事高可靠性器件與芯片設計的高新技術(shù)企業(yè),為客戶提供面向汽車、工業(yè)、物聯(lián)網(wǎng)等高可靠性傳感器及相關(guān)芯片、半導體器件和應用系統(tǒng)等產(chǎn)品和服務。
在分立器件方向具有自帶完整ESD/TVS/TSS/MOS等器件工藝技術(shù)和產(chǎn)品;
在集成電路芯片方向提供高可靠性的光電集成信號處理/TDS/OVP等芯片技術(shù)和產(chǎn)品;
在設計服務方面提供片上集成抗雷擊高性能ESD/TVS委托開發(fā)設計。
靜心創(chuàng)新,靜芯創(chuàng)芯
官方網(wǎng)站:www.elecsuper.com
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審核編輯 黃宇
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