本文主要是針對USB PD 3.0控制器TPS25750的浪涌防護方案,采用湖南靜芯研發的TDS浪涌保護器件對芯片進行浪涌防護,保護設備免受電氣系統中的浪涌電壓或浪涌電流的損害,確保設備的安全性。
一、TPS25750介紹
TPS25750是一款高度集成的獨立式USB Type-C和電力輸送 (PD)控制器,針對支持 USB-C PD電源的應用進行了優化。TPS25750集成了完全管理的電源路徑與強大的保護功能,可提供完整的USB-C PD解決方案。TPS25750還集成了對外部電池充電器IC的控制功能,可提高易用性并縮短產品上市時間。基于網絡的直觀GUI將使用清晰的方框圖和簡單的多選題,通過一些簡單問題了解用戶的應用需求。最后,GUI將為用戶的應用創建配置映像,從而顯著降低競爭性USB PD解決方案相關的復雜性。
二、USB-PD介紹
USB-PD是一種基于 USB Type-C標準構建的先進快速充電技術,它基于充電規范運行,以最大限度地提高傳輸到連接設備的功率。USB-PD規范定義了設備如何利用 USB Type-C連接器供電,以及如何在供電過程中識別和管理這些設備。USB-PD的一個關鍵特性是,它可以使設備能夠在精確傳輸或接收電源之前通過 USB Type-C連接器上的專用通信通道進行通信。這可以讓設備僅獲得所需的功率,防止過度充電或充電不足的問題。
由USB實施者論壇(USB-IF)設計的USB供電(USB-PD)規范已經發展了四個版本,逐步增強了供電能力和靈活性。最初的USB-PD 1.0僅提供固定功率配置:10W(5V,2A)、18W(12V,1.5A)、36W(12V,3A)、60W(20V,3A)和100W(20V,5A)。USB-PD 2.0為標準功率范圍(SPR)引入了四個固定電壓電平(5V、9V、15V、20V),具有3A或5A的靈活電流選項。這種組合實現了更多通用的充電選項,功率范圍從0.5W到100W不等。USB-PD 3.0進一步擴展了USB-PD 2.0的功能,提供額外的設備信息,如電源狀態、電池電量和系統通知。
三、TDS器件介紹
TDS(平緩鉗位浪涌抑制器)具有精準且恒定的觸發電壓、優異的鉗位性能及穩定的溫度特性,可為系統提供更全面保護。當 EOS 事件來臨時,瞬態電壓攀升至超過集成精密觸發器所設定的擊穿電壓(VBR)閾值,觸發電路精確的開啟內置泄流場效應晶體管,有效的將瞬態高壓與大電流安全釋放到地。由于TDS的內置泄流場效應晶體管具有極低的導通電阻,其鉗位電壓在額定峰值脈沖電流范圍內幾乎是恒定的。
在選擇浪涌防護器件時,許多工程師會優先選擇TVS二極管,實際上大電流TDS芯片在成本和性能、面積上比TVS更具優勢。TDS器件的優勢如下:
在提供相同保護的情況下,TDS耗散浪涌能量較小,能通過自身特性將過壓與過流事件高效泄放到地,從而避免增加自身熱損耗。
TDS器件體積小巧,結構緊湊,為硬件工程師設計高度集成型解決方案提供了更優選擇。如果應用需要超過單個TDS器件所能提供的特定鉗位電壓, 可以將多個TDS器件串聯,提供了更多的靈活性。
TDS器件的鉗位電壓通常比傳統TVS保護設備的鉗位電壓低30%,減少了系統的電氣應力,可以更好的保護后端IC,也為系統中的其他組件創造了更大的安全余量。
TDS器件在額定峰值脈沖電流范圍內擁有幾乎恒定的鉗位電壓。傳統TVS二極管的箝位電壓隨著峰值脈沖電流的增加而增加,而TDS器件的鉗位電壓在最大峰值脈沖電流之前幾乎保持不變。
TDS器件的鉗位電壓在工作溫度范圍內保持穩定,而傳統TVS二極管的鉗位電壓隨溫度變化。TDS器件擁有卓越的耐用性,在工作規格內性能不會下降,仍能保證低漏電和高鉗位電壓。
四、應用方案
圖1應用方案
上圖介紹了使用PD 3.0控制器TPS25750的部分參考設計。USB PD 3.0可以提供高達 100W的功率,VBUS上的最大電壓可以達到20V(20V&5A)。如果總線上的電壓增加超過其設計參數,USB PD控制器可能會損壞。因此設計人員經常選擇使用具有高于標定峰值脈沖電流(IPP)額定值的TVS二極管器件保護總線,VBUS引腳的安全性就需要使用工作電壓高于 20V的防護器件來保護 VBUS引腳,以保持鉗位電壓低于PD控制器損壞閾值。
ESTVS2200DRVR是湖南靜芯開發的平緩浪涌抑制器(TDS),可用于保護工作電壓為 20V、22V、24V的系統,具有精準且恒定的觸發電壓、優異的鉗位性能及穩定的溫度特性,可為系統提供更全面保護。ESTVS2200DRVR器件為 DFN 2mm x 2mm x 0.68mm 6引腳封裝,工作電壓最大可達 24V,可在 ESD和浪涌事件發生時保護 USB-PD控制器。它具有25.6V的觸發電壓和 70A(tp=8/20μs)的峰值脈沖電流,鉗位電壓VC為30V以內,且符合IEC 61000-4-2 (ESD)規范,在 ±30kV(空氣)和 ±30kV(接觸)下提供瞬變保護。
五、器件電氣特性表
At TA = 25℃ unless otherwise noted
Parameter | Symbol | Conditions | Min. | Typ. | Max. | Units |
Reverse Stand-off Voltage | VRWM | -0.5 | 22 | V | ||
Reverse Breakdown Voltage | VBR | IT=1mAfrom VDD/IO to GND | 24.6 | 25.6 | 26.6 | V |
Reverse Leakage Current | IR | VRWM=22Vfrom VDD/IO to GND | 0.5 | 60 | nA | |
Forward Voltage | VF | IT=1mA from GND to VDD/IO | 0.25 | 0.5 | 0.7 | V |
Forward Clamp Voltage | VFC | IPP=10A; tp=8/20μs | 1 | 2.7 | 5 | V |
Clamping Voltage | VC | IPP=10A; tp=8/20us | 25.6 | 26.1 | V | |
IPP=20A; tp=8/20us | 26 | 26.5 | V | |||
IPP=40A; tp=8/20us | 26.4 | 26.9 | V | |||
IPP=70A; tp=8/20us | 27.6 | 28.1 | V | |||
Dynamic Resistance | RDYN | tp=8/20us | 35 | mΩ | ||
Junction Capacitance | CJ | VR=22V; f=1MHz T=25℃ | 115 | pF |
表1 ESTVS2200DRVR電氣特性表
六、總結與結論
TPS25750作為常用的PD控制芯片,浪涌防護十分關鍵。靜芯公司推出的系列TDS芯片具有接近理想狀況的ESD和EOS保護特性,可以廣泛應用于USB/雷電接口、工業機器人、IO-Link接口、工業傳感器、IIoT設備、可編程邏輯控制器(PLC)和以太網供電(PoE)等領域,可為系統提供更全面以及更可靠的保護。目前公司推出來ESTVS2200DRVR、ESTDS2211P、ESTVS3300DRVR、ESTDS3311P等型號,歡迎客戶前來咨詢選購。
審核編輯 黃宇
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