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湖南靜芯推出用于USB 3.2的深回掃型靜電保護器件SEUCS2X3V1BB

靜芯微 ? 來源:jf_65561982 ? 作者:jf_65561982 ? 2025-01-07 16:01 ? 次閱讀

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【新品發(fā)布】湖南靜芯推出用于USB 3.2的深回掃型靜電保護器件SEUCS2X3V1BB

湖南靜芯宣布推出全新產(chǎn)品SEUCS2X3V1BB。SEUCS2X3V1BB是一款保護高速數(shù)據(jù)接口的超低電容深回掃型ESD保護器件,專門設計用于保護連接到數(shù)據(jù)傳輸線的敏感電子元件免受ESD(靜電放電)引起的過壓,可適用于USB 3.2的高速差分信號線防護。根據(jù)IEC61000-4-2和IEC610000-4-5規(guī)范,SEUCS2X3V1BB可用于提供高達±30kV(接觸放電)的ESD保護,可承受高達14A(8/20us)的峰值脈沖電流

關于USB 3.2

USB是一種通用的串行總線標準,定義了數(shù)據(jù)傳輸協(xié)議和電源供應規(guī)范,用于連接計算機與外部設備。USB接口的設計初衷是為了簡化計算機與外部設備之間的連接,通過一個統(tǒng)一的接口標準來替代以往計算機上眾多的串行和并行接口。USB 3.2版本1.0于 2017 年發(fā)布,分為三個版本,USB 3.2 Gen 1理論最高速率為5Gbit/s(與USB 3.1 Gen 1相同),USB 3.2 Gen 2理論最高速率為10Gbit/s(與USB 3.1 Gen 2相同),USB 3.2 Gen 2x2理論最高速率為20Gbit/s。USB 3.2 的到來使占行業(yè)主導地位的 USB-A 連接開始逐漸被 USB-C 淘汰。由于 USB-C 支持更高數(shù)據(jù)傳輸速度并能更快地為其他外圍設備充電,自然而然地成為USB 3.2 Gen 2 的主要 USB 接口。

USB-C接口和傳統(tǒng)USB-A和USB-B一樣,都為外露設計,使用者可以很方便地即插即用、隨拔即關。然而,這種頻繁的熱插入動作卻潛藏著風險,它極易引發(fā)靜電放電(ESD)等瞬時干擾。當帶電的USB-C接口與系統(tǒng)接觸時,電荷的瞬間轉(zhuǎn)移會產(chǎn)生強大的靜電沖擊,可能導致系統(tǒng)工作異常,影響設備的正常功能,還可能直接損壞控制組件,給用戶帶來不必要的損失和困擾。

USB-C接口的引腳配置如下圖所示。

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圖1 USB Type-C引腳配置

Pin 名稱 功能描述 Pin 名稱 功能描述
A1 GND B1 GND
A2 TX1+ 超高速差分信號
#1,TX,正
B2 TX2+ 超高速差分信號
#2,TX,正
A3 TX1- 超高速差分信號
#1,TX,負
B3 TX2- 超高速差分信號
#2,TX,負
A4 VBUS 總線電源 B4 VBUS 總線電源
A5 CC1 識別通道 B5 CC2 識別通道
A6 D+ USB2.0差分信號
Position1,正
B6 D+ USB2.0差分信號
Position2,正
A7 D- USB2.0差分信號
Position1,負
B7 D- USB2.0差分信號
position2,負
A8 SBU1 輔助通道 B8 SBU2 識別通道
A9 VBUS 總線電源 B9 VBUS 總線電源
A10 RX2- 超高速差分信號
#2,RX,負
B10 RX1- 超高速差分信號
#1,RX,負
A11 RX2+ 超高速差分信號
#2,RX,正
B11 RX1+ 超高速差分信號
#1,RX,正
A12 GND B12 GND

表1 USB-C引腳功能描述表

深回掃型ESD介紹

回掃特性ESD防護器件具有超小封裝體積、超低鉗位電壓、超低結(jié)電容特性,相比常規(guī)工藝 TVS 防護效果更優(yōu),且不影響信號完整性,可更有效保護USB端口免受瞬態(tài)過電壓的影響,為相關電子產(chǎn)品設備加固防護,提升消費者使用體驗。

常規(guī)型ESD的電壓會隨著IPP(峰值脈沖電流)的增加而等比例增加,呈現(xiàn)出一個較為線性的增長趨勢。而深回掃型ESD器件在當電壓達到VT(觸發(fā)電壓)后會瞬間將兩端的鉗位電壓拉低,進入一個小于工作電壓VRWM的較低電壓VHOLD,之后隨著電流的增加電壓逐漸增大。

其相較于常規(guī)ESD器件的優(yōu)點有:

更低的鉗位電壓:在相同的IPP下,帶回掃ESD的VC(鉗位電壓)比常規(guī)ESD器件低30%以上。

更低的漏電流:這類ESD器件具有更低的漏電流,有助于降低設備的功耗,實現(xiàn)更節(jié)能的設計。

更深的應用范圍:帶回掃ESD的優(yōu)異性能使其適用于更深的領域,如低壓移動電子設備、汽車電子工業(yè)控制等對ESD保護要求較高的場合。

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圖2 ESD特性曲線圖對比

通過對比常規(guī)ESD和帶回掃ESD的特性曲線圖及其優(yōu)點,可以看出帶回掃ESD在ESD保護方面具有更出色的性能和應用前景。

SEUCS2X3V1BB介紹

SEUCS2X3V1BB是湖南靜芯研發(fā)的一款超低電容ESD靜電保護器件,專門設計用于保護高速數(shù)據(jù)接口免受過應力事件的影響,可適用于USB 2.0 and USB 3.2的高速差分信號線防護。SEUCS2X3V1BB的工作電壓為3.3V,鉗位電壓為6.4V,具有 0.28pF 的極低電容,可確保信號完整性。根據(jù)IEC 61000-4-2 (ESD) 規(guī)范, SEUCS2X3V1BB可用于提供高達±30kV(接觸放電),±30kV(空氣放電)的ESD保護,并根據(jù)IEC61000-4-5標準承受高達14A(8/20μs)的峰值脈沖電流。

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擊穿電壓曲線 漏電流曲線
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wKgZO2d831WAcDq8AAAPH8MlOXE121.pngpoYBAGDYdXCAWkKMAAAAK8RNs4s030.png
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結(jié)電容曲線 IV曲線

表2 SEUCS2X3V1BB相關曲線圖

At TA = 25℃ unless otherwise noted

Parameter Symbol Conditions Min. Typ. Max. Units
Reverse Stand-off Voltage VRWM 3.3 5.0 V
Reverse Breakdown Voltage VBR IT=1mA 6.0 7.8 V
Reverse Leakage Current IR VRWM=3.3V 100 nA
Clamping Voltage VC IPP=1A; tp=8/20us 2.5 V
Clamping Voltage VC IPP=14A; tp=8/20us 6.4 V
Dynamic Resistance Rdyn 0.25 Ω
Junction Capacitance CJ VR=0V; f=1MHz 0.28 0.35 pF

表3 SEUCS2X3V1BB電氣特性表

應用示例

下圖是湖南靜芯推出的USB-C的應用方案,其中USB-C的八個引腳(Tx1±、Tx2±、Rx1±、Rx2±)用兩個差分對組成兩個超高速數(shù)據(jù)傳輸通道。由于接口在傳輸大量內(nèi)容時數(shù)據(jù)線需要經(jīng)常插拔,在熱插拔的過程中有可能因為消費者的觸摸或金屬引腳短接引發(fā)靜電放電(ESD)等問題,因此選擇深回掃型ESD器件SEUCS2X3V1BB對引腳進行保護。

wKgZPGd831WAIR-TAAAaGc8bdYs854.pngpoYBAGDYdXCAWkKMAAAAK8RNs4s030.png

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圖3 USB-C應用方案

VBUS引腳采用湖南靜芯研發(fā)的TDS浪涌保護器ESTVS2200DRVR進行防護,低速數(shù)據(jù)差分線D+/D-使用本文介紹的深回掃型超低電容ESD器件SEUCS2X3V1BB進行防護,SBU和CC引腳由于靠近VBUS,有可能發(fā)生短路現(xiàn)象而暴露在20V電壓下對系統(tǒng)造成傷害,故推薦使用湖南靜芯研發(fā)的24V的深回掃低電容靜電防護器件SEUCS2X24V1B。

總結(jié)與結(jié)論

SEUCS2X3V1BB擁有低電容低鉗位電壓的優(yōu)異性能,可適用于USB 2.0 and USB 3.2接口的高速差分信號線防護。湖南靜芯深回掃型系列ESD器件工作電壓涵蓋1.0~38V,電流涵蓋4~30A,電容最低至0.1pF,封裝涵蓋CSP、FC及各類封裝形式。同時推出22V&33V TDS平緩浪涌抑制器,可用于保護工作電壓為20V、24V、28V、36V的系統(tǒng),具有精準且恒定的觸發(fā)電壓、優(yōu)異的鉗位性能及穩(wěn)定的溫度特性,可為系統(tǒng)提供更全面保護。結(jié)合TDS器件與深回掃ESD優(yōu)勢,湖南靜芯是國內(nèi)首家推出USB4.0完整解決方案的公司,詳情可以參考:“湖南靜芯推出USB4.0&PD3.0的ESD&EOS防護完整解決方案100W+80G/120G”與“湖南靜芯推出USB4.0&PD3.1的ESD&EOS防護完整解決方案140W&180W+80G/120G”等文章。

?審核編輯 黃宇

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