三星電子加緊推進eMRAM制程升級，預計2027年推出5nm工藝?
三星電子日前在韓國舉行的“AI-PIM 研討會”上透露，公司正在按計劃提升 eMRAM 內(nèi)存制造工藝，當前已基本完成 8nm eMRAM 的研發(fā)。
作為新一代存儲器，MRAM（磁阻隨機存取存儲器）利用磁效應保存信息，無需頻繁刷新且更加節(jié)能高效。與傳統(tǒng)的 DRAM 相比，MRAM 的寫入速度可達到 NAND 的 1000 倍，適用于高寫入速率的應用場景。
針對嵌入式市場的 eMRAM，三星電子現(xiàn)已具備 28nm eMRAM 的生產(chǎn)能力，并已開始為智能手表等設備供應此類產(chǎn)品。
據(jù)2023 年的報道，三星電子曾宣布計劃于 2024 年量產(chǎn) 14nm eMRAM，2026 年量產(chǎn) 8nm eMRAM，并預計在 2027 年實現(xiàn) 5nm eMRAM 的量產(chǎn)。
截至目前，三星電子已經(jīng)成功研發(fā)出 14nm eMRAM，8nm eMRAM 的研發(fā)工作也接近尾聲，公司仍計劃在 2027 年推出 5nm eMRAM。
此外，三星電子預測未來汽車領域?qū)?eMRAM 的需求將會持續(xù)增加，因為其產(chǎn)品能夠承受高達 150~160℃的溫度，完全符合汽車行業(yè)對半導體的嚴格標準。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
DRAM
+關注
關注
40文章
2349瀏覽量
185627 -
三星電子
+關注
關注
34文章
15888瀏覽量
182349 -
存儲器
+關注
關注
38文章
7652瀏覽量
167396
發(fā)布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
三星代工大變革：2nm全力沖刺，1.4nm量產(chǎn)延遲至2029年
在全球半導體代工領域的激烈競爭中，三星電子的戰(zhàn)略動向一直備受矚目。近期，有消息傳出，三星代工業(yè)務在制程技術推進方面做出重大調(diào)整，原本計劃于
三星在4nm邏輯芯片上實現(xiàn)40%以上的測試良率
較為激進的技術路線，以挽回局面。
4 月 18 日消息，據(jù)韓媒《ChosunBiz》當?shù)貢r間 16 日報道，三星電子在其 4nm 制程 HBM4 內(nèi)存邏輯芯片的初步測試生產(chǎn)中取得了40
發(fā)表于 04-18 10:52
千億美元打水漂，傳三星取消1.4nm晶圓代工工藝
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道?據(jù)多方消息來源推測，三星電子可能取消原計劃于?2027?年量產(chǎn)的?1.4nm
千億美元打水漂，傳三星取消1.4nm晶圓代工工藝?
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道 據(jù)多方消息來源推測，三星電子可能取消原計劃于 2027 年量產(chǎn)的 1.4nm
三星2025年晶圓代工投資減半
工廠和華城S3工廠。盡管投資規(guī)模有所縮減，但三星在這兩大工廠的項目推進上并未止步。 平澤P2工廠方面，三星計劃將部分3nm生產(chǎn)線轉(zhuǎn)換到更為先進的2n
三星電子1c nm內(nèi)存開發(fā)良率里程碑推遲
據(jù)韓媒報道，三星電子已將其1c nm DRAM內(nèi)存開發(fā)的良率里程碑時間推遲了半年。原本，三星計劃在2024年底將1c
三星重啟1b nm DRAM設計，應對良率與性能挑戰(zhàn)
近日，據(jù)韓媒最新報道，三星電子在面對其12nm級DRAM內(nèi)存產(chǎn)品的良率和性能雙重困境時，已于2024年底作出了重要決策。為了改善現(xiàn)狀，三星決
消息稱臺積電3nm、5nm和CoWoS工藝漲價，即日起效！
）計劃從2025年1月起對3nm、5nm先進制程和CoWoS封裝工藝進行價格調(diào)整。 先進制程20
三星芯片代工新掌門：先進與成熟制程并重
與成熟制程的并重發(fā)展。他指出，當前三星代工部門最緊迫的任務是提升2nm產(chǎn)能的良率爬坡。這一舉措顯示了三星在先進制程技術領域的決心和實力。 同
臺積電產(chǎn)能爆棚：3nm與5nm工藝供不應求
臺積電近期成為了高性能芯片代工領域的明星企業(yè)，其產(chǎn)能被各大科技巨頭瘋搶。據(jù)最新消息，臺積電的3nm和5nm工藝產(chǎn)能利用率均達到了極高水平，其中3nm將達到100%，而
三星電子：18FDS將成為物聯(lián)網(wǎng)和MCU領域的重要工藝
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/吳子鵬）今年上半年，三星在FD-SOI工藝上面再進一步。3月份，意法半導體（STMicroelectronics）宣布與三星聯(lián)合
發(fā)表于 10-23 11:53
?636次閱讀
三星加速2nm及1.4nm制程投資
三星正加速其在先進制程領域的投資步伐，計劃于明年第一季度在平澤一廠的“S3”代工線建成一條月產(chǎn)能達7000片晶圓的2nm生產(chǎn)線。此舉標志著三星在推進
消息稱三星電子再獲2nm訂單
三星電子在半導體代工領域再下一城，成功獲得美國知名半導體企業(yè)安霸的青睞，承接其2nm制程的ADAS（高級駕駛輔助系統(tǒng)）芯片代工項目。
三星電子計劃在2026年推出最后一代10nm級工藝1d nm
三星電子在最新的內(nèi)存產(chǎn)品路線圖中透露了未來幾年的技術布局。據(jù)透露，三星計劃在2024年率先推出基于1c
三星將為DeepX量產(chǎn)5nm AI芯片DX-M1
人工智能半導體領域的創(chuàng)新者DeepX宣布，其第一代AI芯片DX-M1即將進入量產(chǎn)階段。這一里程碑式的進展得益于與三星電子代工設計公司Gaonchips的緊密合作。雙方已正式簽署量產(chǎn)合同，標志著DeepX的5nm芯片DX-M1將大
工商網(wǎng)監(jiān)
評論