昕感科技發(fā)布一款1200V低導(dǎo)通電阻SiC MOSFET產(chǎn)品N2M120013PP0
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)獲悉：近日，昕感科技發(fā)布一款兼容15V柵壓驅(qū)動的1200V低導(dǎo)通電阻SiC MOSFET產(chǎn)品N2M120013PP0，導(dǎo)通電阻在15V柵壓下低至13mΩ，配合低熱阻TO-247-4L Plus封裝，可以有效提升電流能力，滿足客戶的大功率應(yīng)用需求。
推出兼容15V柵壓驅(qū)動的低導(dǎo)通電阻SiC MOSFET新產(chǎn)品，標(biāo)志著昕感科技在大電流低導(dǎo)通電阻產(chǎn)品和技術(shù)研發(fā)方面取得新的突破，進(jìn)一步加速推動新能源領(lǐng)域中功率器件的國產(chǎn)化進(jìn)程。
■N2M120013PP0產(chǎn)品導(dǎo)通特性及阻斷特性
昕感科技1200V/13mΩ SiC MOSFET產(chǎn)品推薦使用-3/+15V驅(qū)動?xùn)艍?/strong>，滿足IGBT應(yīng)用電路中的+15V驅(qū)動要求，便于電力電子系統(tǒng)更新?lián)Q代。同時，降低柵極電壓可以緩解柵極電應(yīng)力，提升器件的可靠性。
■N2M120013PP0產(chǎn)品閾值電壓-溫度曲線
昕感科技通過器件結(jié)構(gòu)的綜合優(yōu)化設(shè)計，實(shí)現(xiàn)15V柵壓驅(qū)動和高閾值電壓的雙重突破。新產(chǎn)品在25℃室溫下閾值電壓可達(dá)3.3V，在175℃高溫下仍可達(dá)2.4V。高閾值電壓特性能夠有效降低應(yīng)用中的誤開啟概率，避免應(yīng)用端器件和系統(tǒng)失效。
昕感科技已在650V、1200V、1700V等電壓平臺上完成數(shù)十款SiC器件和模塊產(chǎn)品量產(chǎn)，部分產(chǎn)品已通過AEC-Q101車規(guī)級可靠性認(rèn)證。其中，1200V SiC MOSFET產(chǎn)品具有80mΩ、40mΩ、21mΩ、13mΩ、7mΩ等導(dǎo)通電阻規(guī)格，模塊產(chǎn)品對標(biāo)EasyPACK、62mm、EconoDUAL等封裝形式。
昕感科技聚焦于第三代半導(dǎo)體SiC功率器件和功率模塊的技術(shù)突破創(chuàng)新和產(chǎn)品研發(fā)生產(chǎn)，致力于成為國內(nèi)領(lǐng)先和具有國際影響力的功率半導(dǎo)體變革引領(lǐng)者。
審核編輯：劉清
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原文標(biāo)題：昕感科技發(fā)布SiC MOSFET新品
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