日本豐橋科技大學(xué)的研究人員已經(jīng)成功地通過電感耦合法將電力通過了4英寸厚的混凝土層,如果該技術(shù)成熟,電動汽車將有望無需攜帶沉重的電池而直接在鋪裝了電網(wǎng)的道路運轉(zhuǎn)。目前它允許50-60W左右功率的電力通過混凝土傳送,而能量效率還大于80%。
這種混凝土和日本目前公共道路所用一致,車輪胎和車軸中間亮著的燈泡展示了實驗的成功。研究人員相信最終他們可以讓電力通過20cm厚的混凝土層,達(dá)到在現(xiàn)實中可用的能力,這將使得電力需求增加上百倍,因此難度較大。
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
電力
+關(guān)注
關(guān)注
7文章
2219瀏覽量
51032
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點推薦
12英寸SiC,再添新玩家
科晶體也宣布成功研制差距12英寸高純半絕緣碳化硅單晶襯底,并同期研制成功12英寸N型碳化硅單晶襯底;今年三月,天科合達(dá)、晶盛機電等也展出了其12英寸
研究人員開發(fā)出基于NVIDIA技術(shù)的AI模型用于檢測瘧疾
瘧疾曾一度在委內(nèi)瑞拉銷聲匿跡,但如今正卷土重來。研究人員已經(jīng)訓(xùn)練出一個模型來幫助檢測這種傳染病。
第四代半導(dǎo)體新進展:4英寸氧化鎵單晶導(dǎo)電型摻雜
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道 最近氧化鎵領(lǐng)域又有了新的進展。今年1月,鎵仁半導(dǎo)體宣布基于自主研發(fā)的氧化鎵專用晶體生長設(shè)備進行工藝優(yōu)化,采用垂直布里奇曼(VB)法成功實現(xiàn)4英寸氧化鎵單晶的導(dǎo)電型摻雜。本次
發(fā)表于 02-17 09:13
?912次閱讀
鎵仁半導(dǎo)體成功實現(xiàn)VB法4英寸氧化鎵單晶導(dǎo)電摻雜
VB法4英寸氧化鎵單晶導(dǎo)電型摻雜 2025年1月,杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司(以下簡稱“鎵仁半導(dǎo)體”)基于自主研發(fā)的氧化鎵專用晶體生長設(shè)備進行工藝優(yōu)化,采用垂直布里奇曼(VB)法成功實現(xiàn)4

水泥混凝土拌合站管理系統(tǒng)提升混凝土的質(zhì)量和工程進度
? ? ? 隨著建筑行業(yè)的快速發(fā)展,水泥混凝土作為基礎(chǔ)建設(shè)的關(guān)鍵材料,其質(zhì)量控制對工程項目的成功至關(guān)重要。水泥混凝土拌合站作為混凝土生產(chǎn)的重要環(huán)節(jié),其管理水平直接影響到
豐田合成開發(fā)出8英寸GaN單晶晶圓
近日,日本豐田合成株式會社宣布了一項重大技術(shù)突破:成功開發(fā)出用于垂直晶體管的200mm(8英寸)氮化鎵(GaN)單晶晶圓。
日本開發(fā)出用于垂直晶體管的8英寸氮化鎵單晶晶圓
工藝的橫向晶體管相比,采用氮化鎵單晶構(gòu)建垂直晶體管可提供更高密度的功率器件,可用于 200mm 和 300mm 晶圓。然而,制造尺寸大于4英寸的GaN單晶晶圓一直都面臨困難。 大阪大學(xué)和豐田合成的研究人員制造了一種 200mm
8英寸單片高溫碳化硅外延生長室結(jié)構(gòu)
隨著碳化硅(SiC)材料在電力電子、航空航天、新能源汽車等領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用,高質(zhì)量、大面積的SiC外延生長技術(shù)變得尤為重要。8英寸SiC晶圓作為當(dāng)前及未來一段時間內(nèi)的主流尺寸,其外延生長室的結(jié)構(gòu)設(shè)計

3.5英寸軟驅(qū)位利用起來!ICY DOCK打造電腦擴容新方案
眾多電腦用戶或許都曾面臨這樣一個難題:機箱內(nèi)那個孤零零的3.5英寸軟驅(qū)位,閑置不用顯得頗為可惜。為此,我們有一個既實用又創(chuàng)新的解決方案——利用一個2.5英寸的硬盤,巧妙地將這個空間轉(zhuǎn)化為3.5

DLP?顯示≥0.47英寸陣列4K UHD評估模塊
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《DLP?顯示≥0.47英寸陣列4K UHD評估模塊.pdf》資料免費下載
發(fā)表于 10-31 09:44
?0次下載

又一企業(yè)官宣已成功制備8英寸SiC晶圓
近日,日本礙子株式會(NGK,下文簡稱日本礙子)在其官網(wǎng)宣布,已成功制備出直徑為8英寸的SiC晶圓,并表示公司將于本月低在美國ICSCRM 2024展示8
蘋果iPhone SE 4或迎重大變革:OLED顯示屏與6.06英寸大屏亮相
,屏幕尺寸也將大幅躍升至6.06英寸,相較于前代產(chǎn)品的4.7英寸,實現(xiàn)了顯著增長。外觀設(shè)計上,iPhone SE 4預(yù)計將借鑒標(biāo)準(zhǔn)版iPho
昕感科技6英寸硅基半導(dǎo)體芯片項目預(yù)計年底全面通線
江蘇昕感科技在半導(dǎo)體芯片制造領(lǐng)域又邁出了重要的一步。由該公司投資建設(shè)的6英寸硅基半導(dǎo)體芯片項目,預(yù)計將在今年年底全面通線,年產(chǎn)能將達(dá)到100萬片6英寸硅基半導(dǎo)體芯片。這一項目的成功實施,將
研究人員利用人工智能提升超透鏡相機的圖像質(zhì)量
研究人員利用深度學(xué)習(xí)技術(shù)提高了直接集成在 CMOS 成像芯片上的超透鏡相機(左)的圖像質(zhì)量。超透鏡利用 1000 納米高的圓柱形氮化硅納米柱陣列(右圖)操縱光線。 研究人員利用深度學(xué)習(xí)技術(shù)提高了超

評論