韓國(guó)媒體The Elec于本周五透露，SK海力士向東京電子寄送了晶圓樣品，旨在檢驗(yàn)其低溫蝕刻技術(shù)，這可能引領(lǐng)未來(lái)NAND閃存制造的變革。

當(dāng)前，3D NAND閃存在通過(guò)提高堆棧層數(shù)來(lái)增加容量上取得顯著進(jìn)展。然而，在這種趨勢(shì)下，閃存顆粒中的垂直通道蝕刻變得愈發(fā)困難且速率減緩。

為了解決這個(gè)問(wèn)題，制造商們開始嘗試將整個(gè)NAND閃存分為多個(gè)堆棧制造，然后再將這些堆棧整合為一個(gè)整體。然而，這種方法帶來(lái)了新的挑戰(zhàn)，如對(duì)齊問(wèn)題和性能、能效的下降。

值得注意的是，東京電子的新型低溫蝕刻設(shè)備的工作溫度為-70℃，遠(yuǎn)低于現(xiàn)有的0~30℃范圍。根據(jù)IT之家去年的報(bào)道，這款設(shè)備可以在短短33分鐘內(nèi)完成10微米的蝕刻，效率超過(guò)現(xiàn)有設(shè)備的3倍。此外，該設(shè)備還采用了更環(huán)保的氟化氫（HF）氣體，相比傳統(tǒng)的氟碳化物氣體，其溫室效應(yīng)更小。

SK海力士已宣布推出最新的321層NAND閃存，采用了三堆棧結(jié)構(gòu)。業(yè)界預(yù)測(cè)，若東京電子的低溫蝕刻設(shè)備表現(xiàn)出色，未來(lái)400+層閃存產(chǎn)品的堆棧數(shù)量有望降至2甚至1。

與此同時(shí)，SK海力士的主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手三星電子也正在試用該設(shè)備的演示版，以評(píng)估低溫蝕刻的效果。