列入貿(mào)易限制名單,也對SK海力士的決策產(chǎn)生了影響。業(yè)內(nèi)普遍預測,SK海力士將全面停止使用中國的EDA軟件,而三星電子也可能緊隨其后,做出類似
發(fā)表于 02-18 10:51
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產(chǎn)品價格。 繼美光和三星宣布減產(chǎn)計劃后,全球第二大NAND Flash廠商SK海力士也宣布了減產(chǎn)
發(fā)表于 01-20 14:43
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價格將出現(xiàn)暴跌。在這樣的市場環(huán)境下,三星電子面臨著巨大的壓力,難以維持過去那種壓倒性的生產(chǎn)力。 據(jù)報道,SK海力士正在積極增加NAND閃存的
發(fā)表于 01-14 14:21
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產(chǎn)量將從平均20萬片減少至約17萬片。同時,位于韓國華城的生產(chǎn)線也在進行相應調(diào)整,整體產(chǎn)能有所下降。 此次減產(chǎn)舉措體現(xiàn)了三星電子在激烈市場競爭中的盈利能力保護策略。隨著SK海力士等競爭
發(fā)表于 01-14 10:08
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據(jù)外媒最新報道,韓國兩大存儲芯片巨頭三星電子與SK海力士已正式結(jié)盟,共同致力于推動LPDDR6的存內(nèi)計算(Processing In Memory,簡稱PIM)產(chǎn)品的標準化進程。此舉旨在加速人工智能
發(fā)表于 12-03 10:42
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近日,據(jù)供應鏈消息,三星電子與鎧俠正考慮在第四季度對NAND閃存進行減產(chǎn),并預計根據(jù)市場狀況分階段實施。
發(fā)表于 10-30 16:18
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韓國交易所近日發(fā)布的數(shù)據(jù)顯示,三星電子與SK海力士的市值份額差距已經(jīng)縮小至近13年來的最低水平。
發(fā)表于 10-28 15:44
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隨著三星電子定于10月8日發(fā)布第三季度初步財務報告,市場焦點轉(zhuǎn)向了其與SK海力士之間營業(yè)利潤的預期差距如何進一步拉大。
SK
發(fā)表于 10-08 15:58
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近期,科技界傳來重要消息,三星、SK海力士及美光三大半導體巨頭正全力推進高帶寬內(nèi)存(HBM)的產(chǎn)能擴張計劃。據(jù)預測,至2025年,這一領域的新增產(chǎn)量將激增至27.6萬個單位,推動年度總
發(fā)表于 08-29 16:43
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在最近的FMS 2024峰會上,SK 海力士憑借其創(chuàng)新實力,率先向業(yè)界展示了尚未正式發(fā)布規(guī)范的UFS 4.1通用閃存新品,再次引領存儲技術(shù)的前沿。此次展示不僅彰顯了SK
發(fā)表于 08-10 16:52
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韓國半導體巨頭SK海力士正加速推進NAND閃存技術(shù)的革新,據(jù)韓媒最新報道,該公司計劃于2025年末全面完成400+層堆疊NAND
發(fā)表于 08-02 16:56
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據(jù)最新消息,SK海力士正醞釀一項重要財務戰(zhàn)略,考慮推動其NAND與SSD業(yè)務子公司Solidigm在美國進行首次公開募股(IPO)。Solidigm作為SK
發(fā)表于 07-30 17:35
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在半導體技術(shù)的浩瀚星空中,三星電子與SK海力士正攜手點亮一顆璀璨的新星——高帶寬存儲器(HBM)晶圓工藝技術(shù)的重大革新。據(jù)韓媒最新報道,這兩家行業(yè)巨頭已正式邁入下一代HBM的技術(shù)探索之旅,其核心在于引入一種旨在防止晶圓翹曲的新技
發(fā)表于 07-12 09:29
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近日,科技界迎來了一則重要消息:三星電子與SK海力士已攜手啟動芯片產(chǎn)品對浸沒式液冷的兼容測試。這一舉措旨在響應服務器運營方對于建立浸沒式液冷解決方案保修政策的需求,進一步推動數(shù)據(jù)中心冷卻技術(shù)的革新。
發(fā)表于 07-02 10:24
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在半導體存儲行業(yè),三星電子和SK海力士兩大韓國巨頭一直以其卓越的技術(shù)和產(chǎn)能占據(jù)市場的重要地位。然而,近期韓媒援引業(yè)內(nèi)人士的消息稱,這兩大巨頭的通用DRAM(動態(tài)隨機存取存儲器)產(chǎn)線開工率目前維持在80%~90%的水平,顯示出市場
發(fā)表于 06-24 11:26
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